1.一种NMOS器件(100)，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
SiGe虚衬底(102)，设置于所述Si衬底(101)上表面；
P型SiGe层(103)，设置于所述SiGe虚衬底(102)上表面；
栅极(104)，设置于所述P型SiGe层(103)上表面中间位置处；
源区(105)与漏区(106)，设置于所述P型SiGe层(103)上部并分别位于所述栅极(104)两侧位置处；
源区电极(107)、漏区电极(108)，分别设置于所述源区(105)上表面中间位置处与所述漏区(106)上表面中间位置处；
介质层(109)，设置于所述源区(105)上表面并位于所述源区电极(107)两侧位置处、所述漏区(106)上表面并位于所述漏区电极(108)两侧位置处及所述栅极(104)上表面；
钝化层(110)，设置于所述源区电极(107)、所述漏区电极(108)及所述介质层(109)上表面。
2.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述Si衬底(101)为厚度为2μm的单晶硅。
3.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，所述SiGe虚衬底(102)的厚度为450～500nm。
4.根据权利要求1所述的NMOS器件(100)，其特征在于，P型SiGe层(103)的厚度为900～950nm。