技术总结
本实用新型提出一种背照式图像传感器，包括：半导体材料层；位于半导体材料层的光电二极管；转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管；其中，所述光电二极管为P型掺杂区域；所述源跟随晶体管为鳍式场效应晶体管，所述源跟随晶体管的沟道区区域为横梁结构，所述横梁结构具有顶面和两个侧面，源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面；所述源跟随晶体管为NMOS晶体管，由于通过N型掺杂区域隔离源跟随晶体管底部的P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域，降低了工艺难度，并且由于源跟随晶体管底部的P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域间距相对较大，可以有效避免两者连通，从而保证图像传感器性能。
技术研发人员：赵立新;李杰
受保护的技术使用者：格科微电子（上海）有限公司
技术研发日：2017.12.27
技术公布日：2018.09.07