本实用新型涉及整流桥技术领域，尤其涉及的是一种零平面高功率的整流桥。
背景技术：
现有的整流桥堆内部置四颗芯片，通过上下双层铜引线，及设置四个不同位置芯片正反方面，直接相连，组成整流的桥式结构，工作时产生的热量通过双层铜引线传导至外封环氧树脂，将热量散发出去，
现有的封装内部设计简单直接，虽可实现产品功能，但因内部仅通过双层外延铜引线相接，其余空间以环氧树脂封装，封装后的产品芯片产生的热量传导至外延铜引线，通过铜引线与环氧树脂的接触面积来散热，此散热面积接触面相对较小，若电路中电流加大，其温升迅速升高，使内部温度过高，大大减少芯片寿命。
技术实现要素：
针对以上所存在缺陷，本实用新型提供一种结构简单、散热效果好、整流芯片工作稳定、整流芯片工作寿命长且具有高效散热功能的整流桥。
本实用新型的技术方案如下：一种零平面高功率的整流桥，包括第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、四个整流芯片、封装机构；所述第一框架、第四框架为扁平的L形结构，所述第二框架、第三框架均为扁平的Z型结构；所述第一框架、第四框架均设有两个凸起，该两凸起上均设有方形焊片；所述第二框架、第三框架上也均设有两焊片；所述每一整流芯片一端分别与第一框架、第四框架的焊片焊接，每一整流芯片的另外一端分别与对应的第二框架、第三框架上的焊片焊接；所述封装机构用于封装第一框架、第二框架、第三框架、第四框架，且第一框架、第二框架、第三框架均从封装机构伸出一引脚；所述每个整流芯片分别与第一框架、第二框架、第三框架、第四框架相互连接成一整流桥。
优选地，所述第一框架、第二框架、第三框架、第四框架均为铜材料制成，且第一框架、第二框架、第三框架、第四框架的引脚均为圆柱形结构。
优选地，所述封装机构为环氧密封树脂制成，且为方形结构。
采用上述方案，本实用新型有益效果是：
(1)、本实用新型的所述第一框架、第四框架为扁平的L形结构，所述第二框架、第三框架均为扁平的Z型结构；所述第一框架、第四框架均设有两个凸起，该两凸起上均设有方形焊片；所述第二框架、第三框架上也均设有两焊片；所述每一整流芯片一端分别与第一框架、第四框架的焊片焊接，每一整流芯片的另外一端分别与对应的第二框架、第三框架上的焊片焊接；所述封装机构用于封装第一框架、第二框架、第三框架、第四框架，且第一框架、第二框架、第三框架均从封装机构伸出一引脚；所述每个整流芯片分别与第一框架、第二框架、第三框架、第四框架相互连接成一整流桥；这样的设计结构简单、另外通过第一框架、第二框架、第三框架、第四框架和对应的方形焊片，可以快速的传导整流芯片上的热量，且通过引脚将热量散出；
(2)、本实用新型的第一框架、第二框架、第三框架、第四框架均为铜材料制成，且第一框架、第二框架、第三框架、第四框架的引脚均为圆柱形结构；所述封装机构为环氧密封树脂制成，且为方形结构；这样的设计方便进一步散热，及增加整流芯片的稳定性和提高寿命；因此本实用新型具有结构简单、散热效果好、整流芯片工作稳定、整流芯片工作寿命长的有益效果。
附图说明
图1为本实用新型的爆炸结构意图；
图2为本实用新型的剖示结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明；
如图1、图2所示：本实施例提供了一种零平面高功率的整流桥，包括第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架7、四个整流芯片4、封装机构6；所述第一框架2、第四框架7均为扁平的L形结构，所述第二框架 1、第三框架5均为扁平的Z型结构；所述第一框架2、第四框架7均设有两个凸起，该两凸起上均设有方形焊片3；所述第二框架1、第三框架5上也均设有两焊片3；所述每一整流芯片4一端分别与第一框架2、第四框架 7上的焊片3焊接，每一整流芯片4的另外一端分别与对应的第二框架1、第三框架5上的焊片3焊接；所述封装机构6用于封装第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架7，且第一框架2、第二框架1、第三框架5均从封装机构6伸出一引脚8；所述每个整流芯片4分别与第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架7相互连接成一整流桥。
所述第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架7均为铜材料制成，且第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架7的引脚均为圆柱形结构。
所述封装机构6为环氧密封树脂制成，且为方形结构。
实施例：
如图1、图2所示：第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架 7均为铜材料制成，且第一框架2、第二框架1、第三框架5、第四框架7 的引脚均为圆柱形结构；所述封装机构6为环氧密封树脂制成，且为方形结构；这样的设计方便进一步散热，及增加整流芯片的稳定性和提高寿命。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。