包括整流元件和电荷存储元件的电路的制作方法

本公开涉及包括整流元件和电荷存储元件的电路。

背景技术：

电源转换器可具有以相对高的频率开关的相对高的电流。这种电源转换器的一个示例可为高频稳压器。电源转换器内的开关可在开关节点处引起振荡。本领域希望在减弱振荡、以及在开关期间和之后回收能量这些方面作出改进。

技术实现要素：

本实用新型涉及现有技术的一个或多个问题，还提供了对电路的改进，尤其在开关操作期间提供了较小的电压摆幅和振荡。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种电路，其中该电路包括输入节点、开关节点和参考节点；具有耦接到开关节点的第一载流电极的第一开关元件；具有第一端子和第二端子的第一电荷存储元件，其中第一电荷存储元件的第一端子耦接到开关节点；具有阳极和阴极的第一整流元件，其中第一整流元件的阳极耦接到第一电荷存储元件的第二端子，并且第一整流元件的阴极耦接到输入节点；具有阳极和阴极的第二整流元件，其中第二整流元件的阴极耦接到第一电荷存储元件的第二端子，并且第二整流元件的阳极耦接到参考节点。

优选地，该电路还包括将第一开关元件的第二载流电极耦接到输入节点的第一传导路径，其中第二载流电极耦接到输入节点；以及将第一整流元件的阴极耦接到输入节点的第二传导路径，其中第一传导路径的至少一部分不包括在第二传导路径中，并且第二传导路径的至少一部分不包括在第一传导路径中。

优选地，该电路还包括具有第一端子和第二端子的第二电荷存储元件，其中第二电荷存储元件的第一端子通过第二传导路径的至少一部分耦接到输入节点，并且第二电荷存储元件的第二端子耦接到参考节点。

优选地，该电路还包括在输入节点与第一开关元件的第二载流电极之间沿着第一传导路径放置的滤波器，其中第一整流元件的阴极耦接到滤波器的输入端。

优选地，该电路还包括第二开关元件，其具有耦接到开关节点的第一载流电极和耦接到参考节点的第二载流电极。

优选地，其中第一电荷存储元件具有在0.2nF至50nF范围内的电容。

根据另一方面，提供了一种电路，其中该电路包括具有第一载流电极和第二载流电极的第一开关元件；具有阳极和阴极的第一整流元件；以及具有输入端子和输出端子的低通滤波器，其中第一电源端子耦接到第一整流元件的阴极和低通滤波器的输入端子，并且低通滤波器的输出端子耦接到第一开关元件的第一载流电极。

优选地，该电路还包括具有第一端子和第二端子的电荷存储元件，其中第一端子耦接到第一整流元件的阳极，并且第二端子耦接到第一开关元件的第二载流电极。

优选地，该电路还包括具有阳极和阴极的第二整流元件，其中第二整流元件的阴极耦接到电荷存储元件的第一端子和第一整流元件的阳极。

优选地，该电路还包括具有第一载流电极和第二载流电极的第二开关元件，其中第一开关元件的第二载流电极、第二开关元件的第一载流电极和电荷存储元件的第二端子耦接到开关节点，并且第二电源端子耦接到第二开关元件的第二载流电极和第二整流元件的阳极。

本实用新型的一个方面的技术效果是改善电路的性能。

附图说明

在附图中以举例说明的方式示出实施方案，而实施方案并不受限于附图。

图1包括根据一个实施方案的电路的示意图。

图2包括根据一个具体实施方案的图1所示电路的含有具体电路元件的示意图。

图3包括图2所示电路的时序图，示出了电路内不同节点在不同开关时间处的电压。

图4包括图2的时序图的放大部分。

图5包括如本文所述的电路和比较电路的效率对输出电流的曲线图。

技术人员认识到附图中的元件为了简明起见而示出，而未必按比例绘制。例如，附图中一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大，以有助于理解本实用新型的实施方案。另外，为使概念简单易懂，用单个电路元件表示的一些结构实际上可对应于串联连接、并联连接或以串联和并联的另一些组合连接的多个物理元件。

具体实施方式

提供以下与附图相结合的说明以帮助理解本文所公开的教导。以下讨论将着重于该教导的具体实现方式和实施方案。提供该着重点以帮助描述所述教导，而不应被解释为对所述教导的范围或适用性的限制。然而，当然可在本申请中使用其他教导。

如本文所用，术语“耦接”旨在表示两个或更多个电子部件、电路、系统或下列各项的任意组合的连接、链接或关联：(1)至少一个电子部件，(2)至少一个电路，或(3)至少一个系统；以此方式，信号(例如，电流、电压或光信号)可从一者传递至另一者。“耦接”的非限制性示例可包括电子部件之间、电路之间、或者电子部件与其间连接的开关(例如，晶体管)之间的电气连接等。

相对于电子部件、电路或它们的多个部分，术语“电气连接”旨在表示两个或更多个电子部件、电路、或者至少一个电子部件与至少一个电路的任意组合不具有铺设于其间的任一介入电子部件。出于本定义的目的，寄生电阻、寄生电容、寄生电感或它们的任意组合都不被认为是电子部件。在一个实施方案中，电子部件一旦彼此电短接并位于基本上相同的电压下，就发生电气连接。

术语“高压电源”和“低压电源”彼此相对，使得高压电源的电压减去低压电源的电压大于0V(即，(V_HPS–V_LPS)>0V)。例如，V_HPS和V_LPS都可以是正电压；V_HPS和V_LPS都可以是负电压；V_HPS可以是正电压，而V_LPS可以是负电压或0V；或者V_HPS可以是正电压或0V，而V_LPS可以是负电压。

术语“正常操作”和“正常操作状态”是指电子部件或器件被设计来根据其进行操作的条件。条件可从数据表或关于电压、电流、电容、电阻或其他电气条件的其他信息获得。因此，正常操作不包括在电子部件或器件的设计极限之外对其进行操作。

术语“包含”、“含有”、“包括”、“具有”或其任何其他变化形式旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或设备不一定仅限于那些特征，而是可以包括未明确列出的或该方法、制品或设备固有的其他特征。另外，除非相反地明确规定，否则“或”是指包括性的或，而非排他性的或。例如，条件A或B由以下任一者满足：A为真(或存在)而B为假(或不存在)，A为假(或不存在)而B为真(或存在)，以及A和B均为真(或存在)。

另外，使用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这仅仅是为了方便，并给出该实用新型的范围的一般含义。该描述应被视为包括一个(种)或至少一个(种)，并且单数形式也包括复数形式，反之亦然，除非明确有相反的含义。例如，当本文描述单项时，可以使用多于一项来代替单项。类似地，在本文描述多于一项的情况下，可用单项替代所述多于一项。

词语“约”、“大约”或“基本上”的使用旨在意指参数的值接近于规定值或位置。然而，细微差值可防止值或位置完全如所规定的那样。因此，从完全如所述的理想目标来看，针对值至多百分之十(10％)的差值为合理差值。

除非另外定义，否则本文所用的所有技术和科学术语具有与该实用新型所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。材料、方法和例子仅为示例性的，而无意进行限制。在本文未描述的情况下，关于具体材料和加工动作的许多细节是常规的，并可在半导体和电子领域中的教科书和其他来源中找到。

电路可包括用于捕获电荷、随后释放电荷以改善电路效率的部件。在一个实施方案中，电路可包括开关元件、电荷存储元件、第一整流元件和第二整流元件。所述开关元件的载流电极和所述电荷存储元件的一个端子彼此耦接。所述电荷存储元件的另一端子、所述第一整流元件的阳极和所述第二整流元件的阴极耦接到浮动节点。所述第一整流元件的阴极耦接到输入端子，所述第二整流元件的阳极耦接到参考节点。在一个具体实施方案中，电路可以是电源转换器的一部分。电容元件可有助于在开关操作期间捕获电荷，以及在后续开关操作期间释放所捕获的电荷。所述电荷存储元件可有助于所述电路更有效地工作。

在一个具体实施方案中，电路可以是电源转换器的一部分，所述电源转换器包括高端晶体管、低端晶体管、电容器、第一肖特基二极管和第二肖特基二极管。浮动节点耦接到电容器的端子、第一肖特基二极管的阳极和第二肖特基二极管的阴极。电容器的另一端子、高端晶体管的源极和低端晶体管的漏极均耦接到开关节点。在操作期间，当高端晶体管处于导通状态并且低端晶体管处于关断状态时，电荷可被存储在电容器中。当高端晶体管被关断时，存储在电容器中的电荷可被释放至开关节点，并允许向开关节点下游的负载提供更多能量。

在一个具体实施方案中，可应用任选的电压滤波器。电压滤波器的输入端可耦接到第一整流元件的阴极，而该滤波器的输出端子可耦接到开关元件(诸如，在更具体的实施方案中为高端晶体管)的载流电极，或电路中的另一个部件。电压滤波器可有助于减小提供给开关元件或其他部件的电压的变化，从而减弱开关操作期间开关节点处的振荡。结合附图和下文的描述可更好地理解电路、实施细节和操作。

图1包括根据一个实施方案的电路100(图1中虚线左侧)的示意图。电路100包括开关元件122，该开关元件具有耦接到高压电源端子102的载流电极和耦接到开关节点135的另一个载流电极。电路100还包括开关元件124，该开关元件具有耦接到低压电源端子108的载流电极和耦接到开关节点135的另一个载流电极。开关元件122和124具有控制电极，这些控制电极分别耦接到电路100的控制端子104和106。开关元件122和124可以是场效应晶体管、双极型晶体管、用于开关电路的开关元件结构的另一种合适类型，或它们的任意组合。开关元件122和124中每一者可包括并联连接的多个晶体管结构，使得晶体管结构的组合在电学上等效于单个晶体管。

如果需要或必要时，可在高压电源端子102和开关元件122之间应用滤波器120。滤波器120的输入端子耦接到高压电源端子，滤波器120的输出端子耦接到开关元件的载流电极。滤波器120还包括参考电源端子103。滤波器120可以是低通滤波器，用于允许直流电从高压电源端子102流到开关元件的载流电极，同时阻断通过对元件122进行开关所产生的高频噪音传播回电源。下面将结合电路100的操作更详细地描述滤波器120的意义。

电路100还包括整流元件142和144。整流元件142具有阴极和阳极，其中阴极耦接到高压电源端子102，阳极耦接到整流元件144的阴极。整流元件144的阳极耦接到低压电源端子108。整流元件142和144可以是PN结二极管、肖特基二极管、另一种合适的整流元件结构，或它们的任意组合。整流元件142和144中每一者可包括并联连接的多个二极管，使得二极管的组合在电学上等效于单个二极管。

电路100还进一步包括电荷存储元件146。电荷存储元件146有两个电极，其中一个耦接到开关节点135，另一个在浮动节点148处耦接到整流元件142的阳极和整流元件144的阴极。电荷存储元件146聚积过量的电荷并在开关操作期间将电荷释放，本说明书随后将对其进行更详细的描述。

电路100包括电荷存储元件162。电荷存储元件162有两个电极，其中一个耦接到高压电源端子102，另一个耦接到低压电源端子108。

电荷存储元件146和162可以是下列形式：平行板电容器结构、场效应晶体管结构、另一种合适的电荷存储元件结构，或它们的任意组合。电荷存储元件146和162中每一者可包括并联连接的多个结构，使得结构的组合在电学上等效于单个电容器。

电路100可用于驱动负载182。负载182具有耦接到开关节点135的输入端子，以及耦接到电源端子109的另一个端子。在一个具体实施方案中，电源端子103、108和109为电路100工作时连接到地的接地端子。

图2包括为根据一个实施方案的电路100的非限制性实施方式的具体电路200的示意图。电路200(如图2中的虚线左侧示出)为开关电路，更具体地为降压转换器，其可用作高频稳压器。图1中的开关元件122和124为图2中的n沟道IGFET 222和224。IGFET 222和224的主体与它们的源极连接。

IGFET 222和224的有源区域形成PN结二极管。IGFET 222和224的PN结二极管可用于测定可跨IGFET 222和224的漏极和源极保持的最大可持续电压差。这种电压差可称为漏极-源极击穿电压。开关电路200的正常工作电压可决定选择IGFET时的击穿电压。该击穿电压可为电源102的端子与地面之间电压的至少两倍。IGFET 222和224可具有大致相同的漏极-源极击穿电压或不同的漏极-源极击穿电压。如本说明书随后将要讨论的，整流元件有助于减小在IGFET中的一者或两者的状态改变之后的瞬态时间期间IGFET发生漏极-源极击穿的可能性。

图1中的整流元件142和144为图2中的肖特基二极管242和244。在另一个实施方案中，肖特基二极管242和244中每一者可用PN结二极管、或者PN结二极管与肖特基二极管的组合替换。肖特基二极管242和244有助于分别保护IGFET 222和224，使其免受由于开关操作期间可能出现的振荡而引起的过电压破坏。肖特基二极管242和244的反向偏置击穿电压可分别不大于IGFET 222和224的漏极-源极击穿电压。肖特基二极管242和244可具有相同的反向偏置击穿电压或不同的反向偏置击穿电压。

图1中的电荷存储元件146和162为图2中的电容器246和262。电容器246发挥与电容器262不同的作用。电容器246与肖特基二极管242、244结合，可存储在IGFET 224关断且IGFET 222导通时出现振荡期间收集的过量电荷，并可在IGFET 222关断且IGFET 224导通时将这些电荷释放。电容器246的容量大小可取决于为电路200设计的电流和电压，以及IGFET 222、224与肖特基二极管242、244的特性。在一个实施方案中，电容器246的电容为至少0.2nF、至少0.5nF或至少1.1nF；而在另一个实施方案中，电容器246的电容为至多50nF、至多20nF或至多11nF。在一个具体实施方案中，电容器246的电容大致在0.2nF至50nF、0.5nF至20nF或1.1nF至11nF的范围内。

电容器262的电容可有助于减小电路200在高压电源端子102与接地端子处经受的电压摆动。在一个实施方案中，电容器262的电容可在大约1.5μF至大约40μF的范围内。

已针对电路100和200内的电子元件提供多个值。提供这类值是用于举例说明，而非限制本文所述概念的范围。技术人员在阅读本说明书之后将会知道，对绝对值或相对值的选择取决于运行电路的特定应用或环境。

在图1和图2所描述的电路100和200中，电路元件之间的很多耦接可为电气连接。就图2来说，电路200的开关节点235可包括IGFET 222的源极、IGFET 224的漏极和电容器246的一个电极。另一个节点可包括高压电源端子102、滤波器120的输入端、肖特基二极管242的阴极和电容器262的一个电极。又一个节点可包括接地端子、IGFET 224的源极、肖特基二极管244的阳极和电容器262的另一个电极。浮动节点248包括电容器246的另一个电极、肖特基二极管242的阳极和肖特基二极管244的阴极。浮动节点248发生电浮动，但电压超过肖特基二极管242和244之一的正向偏置电压时除外。肖特基二极管242和244在开关瞬变期间的短暂时段之外经常反向偏置。

结合在开关操作之前、期间和之后节点电压随时间变化的曲线图(如图3所示)，可更好地理解电路100和200的操作。为简化理解，将结合图2中的电路200来描述操作，该电路被设计成采用下述参数工作：高压电源端子102处的电压为12V，低压电源处的电压为0V，开关节点处的时间平均电压为1.2V，工作频率为1MHz。针对不同的电压，可使用不同的尺寸适当的部件，并且操作将类似于下述的操作。

时序图从IGFET 222(高端FET)关断且IGFET 224(低端FET)导通开始。IGFET 222的漏极(滤波器120的输出端)处的电压为12V，开关节点235处的电压接近0V，浮动节点248处的电压接近开关节点处的电压，在一个实施方案中，介于0V和0.5V之间。

在开关操作期间，IGFET 224被关断，在几纳秒之后(<5ns)，IGFET 222被导通。电压突然改变在IGFET 222的漏极、开关节点235和浮动节点248处引起振荡。在相对的基础上，IGFET 222的漏极处的振荡可能明显短于开关节点235和浮动节点248处的振荡，尤其是在IGFET 222的源极与IGFET 224的漏极之间的电气连接中存在寄生电感的情况下。当开关节点235处的电压超过高压电源端子102处的电压时，电流从开关节点235通过电容器246和肖特基二极管242流回高压电源端子102，从而对电容器246充电。15ns之后，IGFET 222的漏极处的振荡大部分已平息，IGFET的漏极处的电压为12V。约50ns之后，开关节点235和浮动节点248处的振荡大部分已平息。开关节点235处的电压接近IGFET 222的漏极处的电压，在一个实施方案中，介于12V和11.5V之间。浮动节点248处的电压接近开关节点235和接地端子之间电压差的1/2，在一个实施方案中，介于6V和5.5V之间。在开关操作之后，相比开关操作之前，开关节点235和浮动节点248之间的电压差更大，此时明显在对电容器246充电。

在后续的开关操作期间，IGFET 222被关断，在几纳秒之后(<5ns)，IGFET 224被导通。电压突然改变在IGFET 222的漏极、开关节点235和浮动节点248处引起振荡。在IGFET 222的漏极、开关节点235和浮动节点248中每一者处，同第一开关操作相比，振荡期间的电压摆幅明显更小，振荡持续时间明显更短。开关操作后紧接着(例如，几纳秒内)，电流从地面通过电容器246和肖特基二极管244流到开关节点235，从而对电容器246放电。振荡平息下来后，IGFET 222的漏极处的电压为12V，开关节点235处的电压接近0V，浮动节点248处的电压接近开关节点处的电压，在一个实施方案中，介于0V和0.5V之间。在开关操作之后，相比开关操作之前，开关节点235和浮动节点248之间的电压差更小，此时明显在对电容器246放电。

图4包括与开关操作有关的、IGFET 222的漏极、开关节点235和浮动节点248处的电压的波形的扩展曲线图。波形的左手侧对应于IGFET 222处于导通状态且IGFET 224处于关断状态。开关节点235处的电压接近IGFET 222的漏极处的电压，在一个实施方案中，介于12V和11.5V之间。浮动节点248处的电压接近开关节点235和接地端子之间电压差的1/2，在一个实施方案中，介于6V和5.5V之间。

将IGFET 222关断。开关节点235和浮动节点248处的电压开始下降。一旦浮动节点248处的电压降至0V以下的值，开关节点235处电压下降的速率就会减小。因此，当浮动节点248处的电压大于0V时，开关节点235处的电压随时间的变化具有相对陡峭的斜率，而当浮动节点248处的电压小于0V时，开关节点235处的电压随时间的变化具有相对平坦的斜率。图4中，箭头400指向发生斜率变化的曲线。在一个具体实施方案中，相对陡峭部分的斜率至少为相对平坦部分的斜率的1.5倍。尽管不受理论束缚，但据信电容器246正在放电，这将其存储的能量转移到负载182，并降低了开关节点235处电压下降的速率。

与被设计成以相同的电压和工作频率工作的比较电路相比，本文所述的电路效率更高。图5包括如本文所述的电路和不具有电容器246的比较电路的效率曲线图。该曲线图中的曲线基于对电源转换器的模拟，在该电源转换器中，高压电源端子电压为12V，输出电压为1.2V，并且电路以1MHz频率工作。输出电流从大约2A变为25A。就具体的实施方式来说，电流效率最多增加2％，平均整体增加0.8％至1.1％。

比较电路在高压电源端子与低压电源端子之间的电源回路的寄生电阻中耗散掉其过量振荡能量的一大部分。上述实施方案的电路在电荷存储元件(诸如电容器)中捕获了这种过量能量的一部分，随后向负载释放存储的能量，而非在电源回路中将这种能量耗散掉。因此，这类电路的效率较高。此外，开关节点处的振荡减弱，这允许电路在开关节点处更快地实现稳态电压。振荡的这种减弱还可允许把设备开关为将用于电路的较低击穿电压。

许多不同的方面和实施方案是可能的。那些方面和实施方案中的一些在下文进行描述。在阅读本说明书后，技术人员将认识到，那些方面和实施方案仅为示例性的，而不限制本实用新型的范围。实施方案可根据如下所列的实施方案中的任一个或多个。

实施方案1。一种电路，包括：

输入节点、开关节点和参考节点；

具有耦接到所述开关节点的第一载流电极的第一开关元件；

具有第一端子和第二端子的第一电荷存储元件，其中所述第一电荷存储元件的所述第一端子耦接到所述开关节点；

具有阳极和阴极的第一整流元件，其中所述第一整流元件的所述阳极耦接到所述第一电荷存储元件的所述第二端子，并且所述第一整流元件的所述阴极耦接到所述输入节点；以及

具有阳极和阴极的第二整流元件，其中所述第二整流元件的所述阴极耦接到所述第一电荷存储元件的所述第二端子，并且所述第二整流元件的所述阳极耦接到所述参考节点。

实施方案2。根据实施方案1所述的电路，其中所述第一开关元件具有耦接到所述输入节点的第二载流电极。

实施方案3。根据实施方案2所述的电路，还包括：

第一传导路径，其将所述第一开关元件的所述第二载流电极耦接到所述输入节点；

第二传导路径，其将所述第一整流元件的所述阴极耦接到所述输入节点；

所述第一传导路径的至少一部分不包括在所述第二传导路径中，并且所述第二传导路径的至少一部分不包括在所述第一传导路径中。

实施方案4。根据实施方案3所述的电路，还包括具有第一端子和第二端子的第二电荷存储元件，其中所述第二电荷存储元件的所述第一端子通过所述第二传导路径的至少一部分耦接到所述输入节点。

实施方案5。根据实施方案4所述的电路，其中所述第二电荷存储元件的所述第二端子耦接到所述参考节点。

实施方案6。根据实施方案3所述的电路，还包括在所述输入节点与所述第一开关元件的所述第二载流电极之间沿着所述第一传导路径放置的滤波器。

实施方案7。根据实施方案6所述的电路，其中所述第一整流元件的所述阴极耦接到所述滤波器的输入端。

实施方案8。根据实施方案3所述的电路，还包括第二开关元件，所述第二开关元件具有耦接到所述开关节点的第一载流电极。

实施方案9。根据实施方案8所述的电路，其中所述第二开关元件的第二载流电极耦接到所述参考节点。

实施方案10。根据实施方案1所述的电路，其中所述第一电荷存储元件具有在0.2nF至50nF范围内的电容。

实施方案11。一种电路，包括：

具有第一载流电极和第二载流电极的第一开关元件；

具有阳极和阴极的第一整流元件；以及

具有输入端子和输出端子的低通滤波器，

其中：

第一电源端子耦接到所述第一整流元件的所述阴极和所述低通滤波器的输入端子；并且

所述低通滤波器的所述输出端子耦接到所述第一开关元件的所述第一载流电极。

实施方案12。根据实施方案11所述的电路，还包括具有第一端子和第二端子的电荷存储元件，其中

所述第一端子耦接到所述第一整流元件的所述阳极；并且

所述第二端子耦接到所述第一开关元件的所述第二载流电极。

实施方案13。根据实施方案12所述的电路，还包括具有阳极和阴极的第二整流元件，其中所述第二整流元件的所述阴极耦接到所述电荷存储元件的所述第一端子和所述第一整流元件的所述阳极。

实施方案14。根据实施方案13所述的电路，还包括具有第一载流电极和第二载流电极的第二开关元件，其中：

所述第一开关元件的所述第二载流电极、所述第二开关元件的所述第一载流电极和所述电荷存储元件的所述第二端子均耦接到开关节点；并且

第二电源端子耦接到所述第二开关元件的所述第二载流电极和所述第二整流元件的所述阳极。

实施方案15。一种使用包括具有输入端子、开关端子和参考端子的电路的电子设备的方法，所述方法包括：

将所述电路中的开关元件的状态改变为关断状态，其中所述开关端子

的波形包括：

第一部分，其中所述开关端子的电压介于所述输入端子的电压和中间电压之间，其中所述中间电压介于所述输入端子的电压和所述参考端子的电压之间，并且其中所述开关端子在所述第一部分期间的电压变化作为时间的函数沿第一斜率下降；以及

第二部分，其中所述开关端子的电压介于所述中间电压和所述参考端子的电压之间，并且其中所述开关端子在所述第二部分期间的电压变化作为时间的函数沿第二斜率下降，

其中所述第二部分出现在所述第一部分之后，并且所述第一斜率的绝对值大于所述第二斜率的绝对值。

实施方案16。根据实施方案15所述的方法，还包括先将所述开关元件的状态改变为导通状态，再将所述开关元件的状态改变为关断状态，其中所述开关端子的波形的脉冲形状还包括：

第三部分，其中所述开关端子的电压大致等于所述参考端子的电压；

第四部分，其中所述开关端子的电压在所述参考端子的电压与所述输入端子的电压之间上升，其中所述开关端子在所述第四部分期间的电压变化作为时间的函数沿第三斜率上升；以及

第五部分，其中所述开关端子的电压大致等于所述输入端子的电压。

实施方案17。根据实施方案16所述的方法，其中在将所述开关元件的状态改变为导通状态之后：

所述中间电压至少比所述参考端子的电压高1.2V；并且

所述中间电压至少比所述输入端子的电压低1.2V。

实施方案18。根据实施方案16所述的方法，其中所述第一斜率的绝对值至少为所述第二斜率的1.5倍。

实施方案19。根据实施方案16所述的方法，其中：

所述中间电压比所述参考端子的电压至少高所述输入端子和所述参考端子之间的电压差所限定电压的10％；并且

所述中间电压比所述输入端子的电压至少低所述输入端子和所述参考端子之间的电压差所限定电压的10％。

实施方案20。根据实施方案19所述的方法，其中所述第三斜率的绝对值至少为所述第二斜率的1.5倍。

注意，并不需要上文在一般性说明或例子中所述的所有活动，某一具体活动的一部分可能不需要，并且除了所述的那些之外还可能执行一项或多项另外的活动。还有，列出的活动所按的顺序不一定是执行所述活动的顺序。

上文已经关于具体实施方案描述了有益效果、其他优点和问题解决方案。然而，这些有益效果、优点、问题解决方案，以及可导致任何有益效果、优点或解决方案出现或变得更明显的任何特征都不应被解释为是任何或所有权利要求的关键、需要或必要特征。

本文描述的实施方案的说明书和图示旨在提供对各种实施方案的结构的一般性理解。说明书和图示并非旨在用作对使用本文所述的结构或方法的设备及系统的所有要素和特征的穷尽性及全面性描述。为了清楚起见在本文的单独实施例的背景下描述的某些特征也可以按组合方式在单个实施例中提供。相反，为了简便起见而在单个实施例的背景下描述的各种特征也可以单独地或以任何子组合的方式提供。此外，对表示为范围的值的提及包括在该范围内的所有值。许多其他实施方案仅对阅读了本说明书之后的技术人员是显而易见的。因此，本公开应当被看作是示例性的，而非限制性的。