技术总结
本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管，包括：第一金刚石层，所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层，下表面设有阳极电极；其中，所述第一金刚石层为P型重掺杂层，所述第二金刚石层为p型轻掺杂层，且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度；所述第二金刚石层中设有多个凹槽；所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层；所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。本实用新型能够显著提高器件的性能。
技术研发人员：周闯杰;王晶晶;蔚翠;何泽召;郭建超;刘庆彬;高学栋;冯志红
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.07.17