技术总结
本发明提供一种静电放电(ESD)保护装置，其有一个带有触发PMOS晶体管的可控硅整流器(SCR)。SCR是一个PNPN结构，有中心N‑阱内的P+阳极/源极、P‑衬底、和外N‑阱，外N‑阱通过N+阱抽头连接到阴极。P+阳极/源极是触发PMOS晶体管的源极也是SCR的阳极。触发电路将触发PMOS晶体管的栅极驱动至低，将其导通以对P+漏极充电。由于P+漏极跨越阱边界，与中心N‑阱和P‑衬底都物理接触，空穴流入到P‑衬底。P+漏极被安置靠近保护环，保护环可以抑制闩锁。P+漏极的空穴涌向保护环之下的区域，暂时削弱其影响并降低触发电压。
技术研发人员：任俊杰;霍晓
受保护的技术使用者：香港应用科技研究院有限公司
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2018.10.23