平坦集成电路封装互连的制作方法

本专利申请要求于2016年6月30日提交的序列号为15/198107的美国申请的优先权的权益，通过引用将其完整地结合于本文。

示例一般涉及集成电路（ic）封装，更具体涉及用于创建包含大体上平坦的导电柱的ic封装的工艺以及从这类工艺得到的装置。

背景技术：

ic封装技术具有朝着将ic制作得越来越小的方向发展的趋势。相比更大的ic封装，更小的ic封装一般每单位面积包含更多信号布线。制造这样更小的封装可能是有挑战性的。相比更大的封装，更小的封装可能具有更高的成品率损失。

附图说明

在不一定按比例绘制的附图中，类似的标号在不同视图中可描述相似的部件。具有不同字母后缀的类似的标号可表示相似部件的不同实例。附图通过示例而不通过限制来一般性地示出本文件中讨论的各种实施例。

图1通过示例示出ic封装的示例的截面图。

图2a-2h通过示例示出创建ic封装的工艺的示例的阶段的截面图。

图3a-3d通过示例示出用于创建ic封装的另一工艺的示例的阶段的截面图。

图4a-4d通过示例示出用于创建ic封装的另一工艺的示例的阶段的截面图。

图5通过示例示出电子系统的示例的示意图。

具体实施方式

本公开中的示例涉及用于创建具有大体上平坦（例如，彼此差距大约五（5）微米以内或更小）的导电柱的ic封装的工艺。示例也涉及使用这样的工艺创建的设备和系统。

以下描述包含诸如更高、更低、第一、第二之类的术语，这些术语仅用于描述性目的，并且不要解释为限制性的。本文描述的设备或产品的示例能够以多个定位和定向被制造、使用或航运。术语“管芯（die）”和“芯片（chip）”一般指的是作为基础加工件的物理对象，所述基础加工件通过各种工艺操作被变换成所期望的集成电路装置。管芯通常是从晶元切割而来，并且晶元可由半导体、非半导体、或者半导体和非半导体材料的组合制成。

随着ic封装互连（例如，倒装芯片或其它互连）不断缩小到更细微的间距，互连中/上使用的焊料为表面共面性或凸起高度的随机或系统性波动提供余地的能力变得更有限。本文讨论的是用于创建具有大体上共面的导电柱的ic封装的工艺。大体上共面的导电柱能够诸如通过减小导电柱与要被附接到柱的芯片之间的间隙的变化，有助于增加制造成品率。大体上共面的导电柱能够有助于使间距缩小更可行。由于相应的导电柱与该导电柱要连接到的衬垫之间的更可预测的间隙距离，能够容许更细微的间距。

在高级概述中，该工艺能够包含在封装衬底的表面上的每个凸起位置上创建导电柱（例如，在某些制造工艺中，大约四十（40）微米高）。能够采用比导电柱的高度更厚的模化合物来覆盖衬底，使得模化合物延伸到越过并且覆盖导电柱。然后，诸如通过能够移除规定量的模（例如，几微米的模）的受控研磨工艺，能够暴露导电柱。在研磨之后，导电粘合剂材料（例如，焊球、焊料或膏等等）能够被附接到柱，或者能够用形成图案的衬垫覆盖柱，然后能够将导电粘合剂加至衬垫。然后，管芯能够诸如通过导电粘合剂材料被附接到导电柱。

与当前衬底扭曲组合的当前衬底导电柱共面性能够导致跨封装上的管芯附接区域大约十（10）微米与二十（20）微米之间的高度变化。此变化使芯片附接困难，并且能够负面地影响封装成品率。此变化也危及通过热压焊（tcb）工具在管芯放置精确度和准确度上获得的优点。本文讨论的实施例能够有助于创建跨导电柱的表面的小于（或等于）五（5）微米的绝对高度变化。这样的共面性能够有助于诸如以小于一百三十（130）微米的间距实现高成品率的tcb芯片附接工艺。此外，这样的共面性能够有助于减小导电柱之下的衬底接合衬垫的尺寸。将接合衬垫的尺寸减小能够有助于增加i/o布线密度，诸如无需修改衬底图案化工艺。

现将参照附图，其中，将给类似的结构提供类似的后缀参考标号。为了清楚地示出各种示例的结构，本文包含的附图是集成电路结构的图形表示。因此，所制造的结构例如在显微照相中的实际外观可能显得不同而仍然结合了所示出的示例的主题。此外，附图示出结构来帮助理解所示出的示例。

图1通过示例示出在将管芯103附接到衬底101之前集成电路（ic）封装100的实施例的截面图。衬底101上的导电柱102的高度变化使间隙108在导电球106和管芯103的接触衬垫104之间形成。例如，在导电球106在回流之后没有跨过整个间隙108的情况下，间隙108可能引起电短路。例如，通过在管芯103被设置在导电凸起106中的一个或多个上面之后引起管芯103相对于衬底101移位或旋转，间隙108可能引起管芯103未对准。

图2a通过示例示出装置200a的实施例的截面图。如所示出的装置200a包含衬底201，而导电柱202被设置在衬底201的接合衬垫204上面。如所示出的装置200a包含衬底201中和/或上的互连电路204。如所示出的装置200a包含电气上连接到互连电路204并且在衬底201上面的接合衬垫206。如所示出的装置200a包含导电衬垫208，诸如能够电气上和机械上被连接到电路，例如电气上将装置200a连接到电路。

在一个或多个实施例中，衬底201能够包含无凸起建立层（bbul）衬底或其它衬底。能够通过设置电介质（例如，ajinomoto建立膜（abf）），将电介质图案化，将导电材料添加到形成图案的电介质，将导电材料图案化，并且重复进行一直到衬底被构建，来建立衬底201。一般而言，任何数量的建立层能够被用于创建衬底201，并且层能够是各种厚度的。

导电柱202一般由铜制成，但是能够包含其它导电材料，诸如锡、镉、金、银、钯、铑、铜、青铜、黄铜、铅、镍银、铍铜、镍、这些材料的一些组合、等等。能够通过将导电材料的薄种子层设置在衬底上面，用光致抗蚀剂将种子层图案化，在每个导电柱位置上方蚀刻开口，在光致抗蚀剂中的开口中电镀导电材料，移除光致抗蚀剂，然后蚀刻曾经被光致抗蚀剂（例如，在导电柱不存在之处）保护的种子层，来创建导电柱202。

导电柱202各自包含相应的高度210a、210b、210c、210d、210e、210f、210g、210h和210i。高度210a-h的差别可能引起后续处理中的芯片附接问题，诸如针对图1描述的问题，等等。为了有助于减轻芯片附接相关的问题，使高度210a-h更统一可能是有益的，以致于减小导电柱上的导电球与要被附接到导电柱的管芯的接触衬垫的暴露的表面之间的距离（参见图2e和2f）。

能够生成具有比柱的最终高度更大的高度的导电柱202，以致于允许导电柱202在管芯附接之前被平坦化。在一个或多个实施例中，能够生成高度是三十（30）微米或者更高的导电柱202。一些实施例可包含短于30微米的导电柱。

互连电路204能够提供通过衬底201的电通路。互连电路204能够提供电通路以便电流在附接到导电柱202的管芯与接触衬垫208之间流动。互连电路204能够包含电布线，诸如能够包含迹线、平面、重分布层互连电路、通孔、接触衬垫等等。互连电路204能够包含导电材料，诸如先前针对导电柱202讨论的导电材料。

接合衬垫206电气上被连接到互连电路204。接合衬垫206能够由导电材料（诸如先前针对导电柱讨论的导电材料）制成。接合衬垫206提供电气上和机械上将导电柱202连接到互连电路204的位置。

接触衬垫208电气上被连接到互连电路204。接触衬垫208提供从互连电路204到外部装置（例如，诸如柔性或刚性印刷电路板（pcb）之类的pcb、另一封装、管芯或其它装置）的电信号。接触衬垫208能够包含导电材料，诸如先前针对导电柱202讨论的导电材料。

图2b通过示例示出在模制材料212被设置在衬底201和导电柱202上面之后，包含装置200a的装置200b的实施例的截面图。模制材料212能够被设置在导电柱202、衬底201和/或接合衬垫206的暴露部分上方和周围。模制材料212的高度213能够大于最高的导电柱202的高度（例如，大于装置200a的示例中的高度210h）。模制材料212能够包含聚合物、聚酯胶片和/或诸如聚酰亚胺之类的可光成像的材料（即能够使用光成像工艺来移除的材料）。能够基于模制材料212的化学、电气、机械或制造特性来选择模制材料212。模制材料212一般是电介质绝缘体。

图2c通过示例示出在模制材料212和导电柱202接地之后，包含装置200b的装置200c的实施例的截面图。研磨导电柱202形成具有比导电柱202（即，高度210a-i）更统一的高度216a、216b、216c、216d、216e、216f、216g、216h和216i的导电柱214。研磨形成具有小于模制材料212的高度213的高度（大体上与高度216a-i相同）的模制材料218。研磨能够包含机械研磨。在研磨工艺之后，模制材料218和导电柱214的高度能够是大体上统一的（例如，在大约5微米以内统一）。即，在跨接地表面的任何两点之间的最大高度变化最多是5微米。

图2d通过示例示出在软蚀刻（例如，化学蚀刻）已移除导电柱214的一部分来形成柱220之后，包含装置200c的装置200d的实施例的截面图。能够通过导电柱214被暴露于化学品的时间量和/或化学品中蚀刻剂的浓度来控制从导电柱214移除的材料的量。导电柱220的高度222a、222b、222c、222d、222e、222f、222g、222h和222i小于导电柱214的相应高度216a-i。导电柱220的高度222a-i小于模制材料218的高度（大体上与高度216a-i相同）。

降低导电柱220的高度能够引入导电柱220的共面性的更大变化，但是一般不影响模制材料218的共面性。降低导电柱214的高度能够使导电柱220凹陷，使得它们的高度222a-i比模制材料218的高度更小。降低导电柱214的高度能够有助于增加导电粘合剂（参见图2e）与导电柱220之间的结合强度。

图2e通过示例示出在导电粘合剂224已被设置在导电柱220上面并且连接到导电柱220之后，包含装置200d的装置200e的实施例的截面图。导电柱214的软蚀刻能够从导电柱214的接触表面移除氧化或其它材料，以致于形成具有更易于形成与导电粘合剂224的可靠电气和/或机械连接的表面的导电柱。导电粘合剂224将形成管芯的互连电路和导电柱220之间的电连接（参见图2f）。导电粘合剂224能够包含焊料（例如，焊球）、导电膏或者能够在管芯的接触衬垫和导电柱220之间形成电气和机械结合的其它导电材料（参见图2f）。能够通过形成覆盖模制材料218并且使导电柱220暴露的掩模来设置导电粘合剂224。能够通过掩模中的孔将导电粘合剂224设置在所暴露的导电柱220上面。导电粘合剂224能够被加热，以致于流动或至少部分固化导电粘合剂224并且将导电粘合剂224结合到导电柱220。

图2f通过示例示出当管芯226正被设置在导电粘合剂224上面时，包含装置200e的装置200f的实施例的截面图。导电粘合剂224能够诸如通过加热导电粘合剂224来被软化，以及被硬化来形成管芯226的接触衬垫228与导电柱220之间的电气和机械连接。图2g通过示例示出在管芯226通过导电粘合剂224电气上和机械上被连接到导电柱220之后，包含装置200f的ic封装200g的实施例的截面图。

图2h通过示例示出图2g中标注“图2h”的虚线框的分解视图。导电粘合剂224在导电柱220上面。导电粘合剂224在模制材料218的上表面230上方并且与之接触。在软蚀刻之前，导电粘合剂224填充由导电柱214占据的区域。导电粘合剂镶嵌延伸到越过导电柱220的上表面234的侧壁232的一部分。

图3a通过示例示出在模制材料218中的一些被移除来形成模制材料302之后，包含图2c中描绘的装置200c的装置300a的实施例的截面图。模制材料302具有比高度216a-i更小的高度304。能够使用光成像、激光消融或其它工艺来移除模制材料218。在诸如通过导电柱214电气上和机械上将管芯226连接到衬底201之前将导电粘合剂224附接到管芯226的实施例中，模制材料302能够是凹陷的。

图3b通过示例示出当管芯226和导电粘合剂224正被设置在装置300a上时，包含装置300a的装置300b的实施例的截面图。导电粘合剂224能够诸如通过加热导电粘合剂224被软化，并且被硬化来形成导电柱214与管芯226的接触衬垫228之间的电气和机械连接。图3c通过示例示出在通过导电粘合剂224将管芯226电气上和机械上连接到导电柱214之后，包含装置300b的ic封装300c的实施例的截面图。

图3d通过示例示出图3c中标注“图3d”的虚线框的分解视图。导电粘合剂224在导电柱214上。导电粘合剂224在导电柱214的侧壁306a和306b上面并且与之接触。在软蚀刻之前，导电粘合剂224填充由导电柱214占据的区域。导电粘合剂224延伸到越过导电柱214的侧壁306a-b，以致于悬于导电柱224之上。

图4a通过示例示出在相应的导电柱214上面形成接触衬垫402之后，包含图2c中描绘的装置200c的装置400a的实施例的截面图。接触衬垫402能够被用在例如其中导电柱214的宽度408（参见图4d）太小以致无法支持到导电粘合剂224的直接连接的实例中。能够通过将导电材料的层设置在导电柱214和模制材料218上来创建接触衬垫402，然后，形成图案的掩模能够被设置在导电材料上，导电材料能够被蚀刻并且掩模能够被移除。接触衬垫402的宽度404能够比接合衬垫206的宽度406更大。具有更窄的接合衬垫宽度406能够有助于增加衬底101中的i/o密度。

图4b通过示例示出在导电粘合剂224被设置在相应的接触衬垫402上之后并且当管芯226正被设置在导电粘合剂上时，包含装置400a的装置400b的实施例的截面图。导电粘合剂224能够诸如通过加热导电粘合剂224被软化，并且被硬化来形成接触衬垫402与管芯226的接触衬垫228之间的电气和机械连接。图4c通过示例示出在通过导电粘合剂224和接触衬垫402电气上和机械上将管芯26连接到导电柱214之后，包含装置400b的ic封装400c的实施例的截面图。

图4d通过示例示出图3c中标注“图3d”的虚线框的分解视图。导电粘合剂224在导电柱214上。导电粘合剂224在导电柱214的侧壁306a和306b上面并且与之接触。在软蚀刻之前，导电粘合剂224填充由导电柱214占据的区域。导电粘合剂224延伸到越过导电柱214的侧壁306a-b，以致于悬于导电柱224之上。

图5通过示例示出系统500的实施例的逻辑框图。在一个或多个实施例中，系统500包含一个或多个部件，所述部件能够包含具有如本文讨论的平坦互连的封装。

在一个实施例中，处理器510具有一个或多个处理核512和512n，其中512n表示在处理器510内的第n个处理器核，其中n是正整数。在一个实施例中，系统500包含多个处理器，其中包含510和505，其中处理器505具有与处理器510的逻辑相似或相同的逻辑。在一些实施例中，处理核512包含但不限于：用于取指令的预取逻辑、用于对指令解码的解码逻辑、用于执行指令的执行逻辑、等等。在一些实施例中，处理器510具有高速缓冲存储器516来高速缓冲用于系统500的指令和/或数据。高速缓冲存储器516可被组织成包含高速缓冲存储器的一级或多级的分层结构。

在一些实施例中，处理器510包含存储器控制器514，其可操作以执行使处理器510能访问存储器530并与之通信的功能，存储器530包含易失性存储器532和/或非易失性存储器534。在一些实施例中，处理器510与存储器530和芯片集520耦合。处理器510也可被耦合到无线天线578来与被配置成传送和/或接收无线信号的任何装置通信。在一个实施例中，无线天线接口578根据（但不限于）ieee802.11标准及其相关系列、homeplugav（hpav）、超宽带（uwb）、蓝牙、wimax或任何形式的无线通信协议来操作。

在一些实施例中，易失性存储器532包括但不限于：同步动态随机存取存储器（sdram）、动态随机存取存储器（dram）、rambus动态随机存取存储器（rdram）和/或任何其它类型的随机存取存储器装置。非易失性存储器534包括但不限于：闪速存储器、相变存储器（pcm）、只读存储器（rom）、电可擦除可编程只读存储器（eeprom）或任何其它类型的非易失性存储器装置。

存储器530存储要由处理器510执行的指令和信息。在一个实施例中，当处理器510正执行指令时，存储器530也可存储临时变量或其它中间信息。在所示出的实施例中，芯片集520经由点对点（ptp或p-p）接口517和522与处理器510连接。芯片集520使处理器510能连接到系统500中的其它元件。在本发明的一些实施例中，接口517和522根据诸如intel®快速路径互连（qpi）之类的ptp通信协议来操作。在其它实施例中，可使用不同的互连。

在一些实施例中，芯片集520可操作以与处理器510、505n、显示器装置540和其它装置通信。芯片集520也可被耦合到无线天线578以与被配置成传送和/或接收无线信号的任何装置通信。

芯片集520经由接口526连接到显示器装置540。显示器540可以是例如液晶显示器（lcd）、等离子体显示器、阴极射线管（crt）显示器或任何其它形式的视觉显示器装置。在本发明的一些实施例中，处理器510和芯片集520被合并成单个soc。此外，芯片集520连接到互连各种元件574、560、562、564和566的一个或多个总线550和555。总线550和555可经由总线桥572被互连在一起。在一个实施例中，芯片集520经由接口524和/或504等与非易失性存储器560、一个或多个大容量存储装置562、键盘/鼠标564以及网络接口566耦合。

在一个实施例中，大容量存储装置562包括但不限于：固态驱动器、硬盘驱动器、通用串行总线闪速存储器驱动器或者任何其它形式的计算机数据存储介质。在一个实施例中，网络接口566由任何类型的众所周知的网络接口标准来实现，包括但不限于：以太网接口、通用串行总线（usb）接口、外围部件互连（pci）快速接口、无线接口和/或任何其它适当类型的接口。在一个实施例中，无线接口根据（但不限于）ieee802.11标准及其相关系列、homeplugav（hpav）、超宽带（uwb）、蓝牙、wimax或任何形式的无线通信协议来操作。虽然图5中示出的部件被描绘成系统500内的分离的块，但是由这些块中的一些块执行的功能可被集成在单个半导体电路内，或者可使用两个或更多分离的集成电路来实现。例如，虽然高速缓冲存储器516被描绘成处理器510内的分离块，但是高速缓冲存储器516（或者516的所选方面）能够被结合到处理器核512中。

示例和注释

可通过若干示例来描述本主题。

在示例1中，制作集成电路封装的方法包括：在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成导电柱；将模制材料设置在所生成的导电柱周围和上面；同时移除模制材料和所生成的导电柱的一部分，以使得所生成的导电柱和模制材料大致平坦，以及电气上将管芯耦合到导电柱。

在示例2中，示例1能够还包括：在移除模制材料和所生成的导电柱的一部分之后，移除导电柱的另一部分以使导电柱凹陷在模制材料中。

在示例3中，示例2能够还包括：其中，移除导电柱的另一部分包括蚀刻导电柱。

在示例4中，示例2能够还包括：在电气上将管芯连接到衬底之前，将导电粘合剂设置在导电柱中的每个上面。

在示例5中，示例4能够还包括：其中，电气上将管芯连接到导电柱包括使导电粘合剂回流来电气上将管芯的接触衬垫连接到导电柱中的相应导电柱。

在示例6中，示例5能够还包括：其中，导电粘合剂在回流之后，镶嵌模制材料的表面的一部分和侧壁的一部分。

在示例7中，示例1-6中的至少一个在移除模制材料和所生成的导电柱的一部分之后，移除模制材料的另一部分以使模制材料相对于导电柱凹陷。

在示例8中，示例7能够还包括：其中，移除模制材料的另一部分包括对模制材料进行光成像。

在示例9中，示例7能够还包括：在电气上将管芯连接到衬底之前，将导电粘合剂设置在管芯上面。

在示例10中，示例9能够还包括：其中，电气上将管芯连接到导电柱包括使导电粘合剂回流来电气上将管芯的接触衬垫连接到导电柱中的相应导电柱。

在示例11中，示例10能够还包括：其中，导电粘合剂在回流之后，镶嵌导电柱的侧壁的暴露部分。

在示例12中，示例1-11中的至少一个能够还包括：在移除模制材料和所生成的导电柱的一部分之后，在相应导电柱上形成接触衬垫。

在示例13中，示例12能够还包括：其中，形成接触衬垫包括形成具有比接合衬垫的宽度更大的宽度的接触衬垫。

在示例14中，示例13能够还包括：在电气上将管芯连接到衬底之前，将导电粘合剂设置在接触衬垫中的每个上面。

在示例15中，一种ic封装包括：衬底，所述衬底包括在建立层中嵌入的互连电路和在衬底的上表面暴露的多个接合衬垫；电气上被连接到相应的接合衬垫的多个导电柱；在导电柱的侧壁的至少一部分周围以及在衬底上面的模制材料；以及衬底上的管芯，管芯包含通过导电柱电气上耦合到互连电路的接触衬垫，其中，导电柱各自包含上表面，所述上表面相对彼此大体上平坦，偏差在五微米以内。

在示例16中，示例15能够还包括：其中，管芯的接触衬垫是第一接触衬垫，并且封装还包括被连接到相应导电柱的第二接触衬垫，第二接触衬垫具有比接合衬垫更大的宽度，第二接触衬垫被设置在导电柱和第一接触衬垫之间。

在示例17中，示例15能够还包括：其中，导电柱具有比模制材料的高度更大的高度，以及ic封装还包括电气上将第一接触衬垫连接到导电柱的导电粘合剂，其中，导电粘合剂与导电柱的侧壁接触。

在示例18中，示例15能够还包括：其中，导电柱具有比模制材料的高度更小的高度，以及ic封装还包括电气上将第一接触衬垫连接到导电柱的导电粘合剂，其中，导电粘合剂与模制材料的侧壁接触。

在示例19中，制作集成电路封装的方法能够包括：在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成铜柱；将模制材料设置在所生成的铜柱周围和上面；同时移除模制材料和所生成的铜柱的一部分，以使得所生成的铜柱相对彼此平坦，偏差在五微米以内；以及使焊球回流来电气上将管芯的接触衬垫耦合到铜柱和衬底的互连电路。

在示例20中，示例19能够还包括：在移除模制材料和所生成的铜柱的一部分之后，蚀刻铜柱的另一部分以使铜柱凹陷在模制材料中；在使焊球回流之前，将焊球附接到相应的铜柱；以及其中，焊球在回流之后，镶嵌模制材料的表面的一部分和侧壁的一部分。

在示例21中，示例19能够还包括：在移除模制材料和所生成的导电柱的一部分之后，移除模制材料的另一部分以使模制材料相对于导电柱凹陷。

在示例22中，示例21能够还包括：其中，移除模制材料的另一部分包括对模制材料进行光成像。

在示例23中，示例21能够还包括：在电气上将管芯连接到衬底之前，将导电粘合剂设置在管芯上面。

在示例24中，示例23能够还包括：其中，电气上将管芯连接到导电柱包括使导电粘合剂回流来电气上将管芯的接触衬垫连接到导电柱中的相应导电柱。

在示例25中，示例24能够还包括：其中，导电粘合剂在回流之后，镶嵌导电柱的侧壁的暴露部分。

在示例26中，示例25能够还包括：在移除模制材料和所生成的导电柱的一部分之后，在相应导电柱上形成接触衬垫。

在示例27中，示例26能够还包括：其中，形成接触衬垫包括形成具有比接合衬垫的宽度更大的宽度的接触衬垫。

在示例28中，示例27能够还包括：在电气上将管芯连接到衬底之前，将导电粘合剂设置在接触衬垫中的每个上面。

这些非限制性示例中的每个能够自立，或者能够被组合在与其它示例中的一个或多个示例的各种置换或组合中。

以上详细描述包含对附图的引用，附图形成详细描述的一部分。附图通过举例说明示出特定实施例，其中能够实践本文讨论的方法、设备和系统。这些实施例在本文中也被称作“示例”。这样的示例能够包含除示出或描述的那些元件之外的元件。然而，本发明人也构思一些示例，其中仅提供示出或描述的那些元件。此外，或者针对某个具体示例（或其中的一个或多个方面），或者针对本文示出或描述的其它示例（或其中的一个或多个方面），本发明人也构思使用示出或描述的那些元件（或其中的一个或多个方面）的任何组合或置换的示例。

在此文件中，如专利文件中常见的，使用了术语“一个”（“a”或“an”）来包含一个或多于一个，其独立于“至少一个”或“一个或多个”的任何其它实例或使用。在此文件中，除非另有指示，否则术语“或”用于指代非排他的或，使得“a或b”包含“a但不是b”、“b但不是a”以及“a和b”。在此文件中，术语“包含”以及“在其中”用作相应术语“包括”和“其中”的普通英语等价物。同样，在下面的权利要求中，术语“包含”和“包括”是开放式的，即，包含除权利要求中这类术语之后列出的那些元素之外的元素的系统、装置、产品、组成、配方或工艺仍然被认为落入该权利要求的范围内。此外，在下面的权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标签，而并非意在将数字要求强加在其对象上。

以上描述意在举例说明而不是限制。例如，可彼此组合来使用以上描述的示例（或者其中的一个或多个方面）。诸如本领域普通技术人员在审阅以上描述后，能够使用其它实施例。提供摘要以允许读者迅速断定技术公开的性质。提交摘要是基于它不会被用于解释或限制权利要求的范围或含义的理解。同样，在以上详细描述中，可将各种特征编组在一起以简化本公开。这不应被解释为预期未要求保护的所公开特征对于任何权利要求是必要的。相反，发明主题可在于所公开的具体实施例的少于全部的特征。因此，下面的权利要求据此被结合到详细描述中作为示例或实施例，其中，每个权利要求作为分离的实施例自立，并且构思了这样的实施例能够在各种组合或置换中彼此组合。应参考所附权利要求连同这类权利要求有权享有的等价物的全部范围来确定本发明的范围。