技术特征：
技术总结
描述通过在沉积过程中流动材料进入间隙来降低形成在图案化基板上的介电膜的湿蚀刻速率的方法。以此方式沉积的膜可能最初呈现提高的湿蚀刻速率。通过暴露图案化基板至气相水蒸汽的高压力来处理介电膜。处理可降低介电膜的湿蚀刻速率，特别是介电膜的间隙填充部分。扫描电子显微镜已经确认通过本文所述的工序降低或排除孔的数量与/或尺寸。也已经发现处理降低了例如由介电膜填充的间隙的底部处的蚀刻速率。
技术研发人员：柯蒂斯·S·莱斯基斯;基思·塔特森·王;史蒂文·维哈沃贝克
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2017.10.23
技术公布日：2019.06.21