氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板与流程

技术总结
本发明提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底上形成源漏金属层；对所述源漏金属层进行干法刻蚀，以形成源极和漏极。相应地，本发明还提供一种氧化物薄膜晶体管和阵列基板。本发明有利于减小氧化物薄膜晶体管所占区域的面积，进而有利于实现高分辨率。

技术研发人员：宁策
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2018.01.02
技术公布日：2018.06.26