鳍式场效应晶体管及其形成方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。

背景技术：

MOS晶体管是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，位于栅极结构一侧半导体衬底内的源区和位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。MOS晶体管的工作原理是：通过在栅极结构施加电压，调节通过栅极结构底部沟道的电流来产生开关信号。

随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。而鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新兴的多栅器件，一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁表面的栅极结构，位于栅极结构一侧的鳍部内的源区和位于栅极结构另一侧的鳍部内的漏区。

然而，现有的鳍式场效应晶体管的电学性能较差。

技术实现要素：

本发明解决的问题是提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，以提高鳍式场效应晶体管的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面，所述鳍部具有第一高度；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于部分隔离结构上、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；对栅极结构两侧的鳍部进行第一刻蚀，使栅极结构两侧的鳍部形成刻蚀鳍部，所述隔离结构覆盖刻蚀鳍部的部分侧壁，所述刻蚀鳍部具有第二高度，第二高度小于第一高度；采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部；离子注入工艺之后，在所述刻蚀鳍部表面形成源漏外延层，所述源漏外延层中具有源漏离子，所述掺杂离子的导电类型和所述源漏离子的导电类型相同。

可选的，当所述鳍式场效应晶体管的类型为N型时，所述掺杂离子和源漏离子的导电类型为N型；当所述鳍式场效应晶体管的类型为P型时，所述掺杂离子和源漏离子的导电类型为P型。

可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为磷离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为4KeV～20KeV，注入角度为0度～30度。

可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为砷离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为6KeV～30KeV，注入角度为0度～30度。

可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为硼离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为1KeV～10KeV，注入角度为0度～30度。

可选的，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为氟化硼离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为2KeV～15KeV，注入角度为0度～30度。

可选的，所述掺杂离子在刻蚀鳍部中的浓度小于所述源漏离子在源漏外延层中的浓度。

可选的，还包括：采用所述离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部后，对所述刻蚀鳍部进行第二刻蚀，使刻蚀鳍部具有第三高度，所述第三高度小于所述第二高度；所述隔离结构覆盖第二刻蚀后的刻蚀鳍部的部分侧壁；进行第二刻蚀后，在所述刻蚀鳍部表面形成源漏外延层。

可选的，所述第二刻蚀的工艺包括各向异性干刻工艺。

可选的，第二刻蚀之后的刻蚀鳍部的顶部表面到隔离结构顶部表面具有目标厚度。

可选的，第一刻蚀后的刻蚀鳍部的顶部表面到隔离结构顶部表面具有目标厚度。

可选的，所述目标厚度为鳍部顶部表面到隔离结构顶部表面距离的20％～40％。

可选的，所述第一刻蚀的工艺包括各向异性干刻工艺。

可选的，还包括：采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部后，且在形成所述源漏外延层之前，进行退火处理。

可选的，还包括：在进行所述第一刻蚀之前，在所述栅极结构、鳍部和隔离结构的表面形成侧墙材料层；所述第一刻蚀还刻蚀侧墙材料层，在形成所述刻蚀鳍部的过程中，形成位于栅极结构侧壁的第一侧墙和位于刻蚀鳍部侧壁的第二侧墙。

本发明还提供一种采用上述任意一项方法形成的鳍式场效应晶体管。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的鳍式场效应晶体管的形成方法中，对所述栅极结构两侧鳍部进行第一刻蚀以使栅极结构两侧的鳍部的高度降低，从而使栅极结构两侧的鳍部形成刻蚀鳍部。在刻蚀鳍部表面形成源漏外延层后，所述刻蚀鳍部用于相对于源漏外延层形成低掺杂区，使栅极结构两侧的刻蚀鳍部在沟道区底部不易发生穿通。所述离子注入工艺注入到刻蚀鳍部的掺杂离子的导电类型和源漏外延层中的源漏离子的导电类型相同。所述离子注入工艺用于降低刻蚀鳍部的电阻，使得刻蚀鳍部和源漏外延层的总电阻降低，从而降低功耗。由于在刻蚀鳍部表面形成源漏外延层之前进行所述离子注入工艺，所述掺杂离子无需穿过源漏外延层而注入到刻蚀鳍部中，因此所述离子注入工艺采用的能量较低。由于所述离子注入工艺采用的能量较低，因此能够避免所述离子注入工艺将掺杂离子穿过隔离结构而注入到半导体衬底中，避免造成隔离结构的隔离失效，因而提高了半导体器件的电学性能。

附图说明

图1至图4是一种鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图；

图5至图14是本发明一实施例中鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图；

图15至图22是本发明另一实施例中鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有的鳍式场效应晶体管的电学性能较差。

图1至图4是一种鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。

结合参考图1和图2，图2为沿图1中切割线M-M1的剖面图，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100上具有鳍部110和覆盖鳍部110部分侧壁的隔离结构101，隔离结构101的顶部表面低于鳍部110的顶部表面，所述鳍部110具有第一高度；形成横跨所述鳍部110的栅极结构120，所述栅极结构120位于部分隔离结构101上、覆盖鳍部110的部分顶部表面和部分侧壁表面；对栅极结构120两侧的鳍部110进行第一刻蚀，使栅极结构120两侧的鳍部110形成刻蚀鳍部130，所述隔离结构101覆盖刻蚀鳍部130的部分侧壁，所述刻蚀鳍部130具有第二高度，第二高度小于第一高度。

参考图3，图3为在图2基础上的示意图，在所述刻蚀鳍部130表面形成源漏外延层140，所述源漏外延层140中具有源漏离子。

参考图4，形成所述源漏外延层140后，采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部130，所述掺杂离子的导电类型和所述源漏离子的导电类型相同。

然而，上述方法形成的鳍式场效应晶体管的电学性能较差，经研究发现，原因在于：

所述离子注入工艺用于降低刻蚀鳍部130的电阻，使得栅极结构120两侧的刻蚀鳍部130和源漏外延层140的总电阻降低，从而降低功耗。由于在刻蚀鳍部130表面形成源漏外延层140之后进行所述离子注入工艺，因此所述离子注入工艺需要穿过源漏外延层140而注入到刻蚀鳍部130中，所述离子注入工艺采用的能量较高。进而导致所述离子注入工艺的离子穿过隔离结构101而注入到半导体衬底100中，导致隔离结构101隔离失效。因而导致半导体器件的电学性能较差。

在此基础上，本发明提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面，所述鳍部具有第一高度；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于部分隔离结构上、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；对栅极结构两侧的鳍部进行第一刻蚀，使栅极结构两侧的鳍部形成刻蚀鳍部，所述隔离结构覆盖刻蚀鳍部的部分侧壁，所述刻蚀鳍部具有第二高度，第二高度小于第一高度；采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部；离子注入工艺之后，在所述刻蚀鳍部表面形成源漏外延层，所述源漏外延层中具有源漏离子，所述掺杂离子的导电类型和所述源漏离子的导电类型相同。

所述方法中，对所述栅极结构两侧鳍部进行第一刻蚀以使栅极结构两侧的鳍部的高度降低，从而使栅极结构两侧的鳍部形成刻蚀鳍部。在刻蚀鳍部表面形成源漏外延层后，所述刻蚀鳍部用于相对于源漏外延层形成低掺杂区，使栅极结构两侧的刻蚀鳍部在沟道区底部不易发生穿通。所述离子注入工艺注入到刻蚀鳍部的掺杂离子的导电类型和源漏外延层中的源漏离子的导电类型相同。所述离子注入工艺用于降低刻蚀鳍部的电阻，使得刻蚀鳍部和源漏外延层的总电阻降低，从而降低功耗。由于在刻蚀鳍部表面形成源漏外延层之前进行所述离子注入工艺，所述掺杂离子无需穿过源漏外延层而注入到刻蚀鳍部中，因此所述离子注入工艺采用的能量较低。由于所述离子注入工艺采用的能量较低，因此能够避免所述离子注入工艺将掺杂离子穿过隔离结构而注入到半导体衬底中，避免造成隔离结构的隔离失效，因而提高了半导体器件的电学性能。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图5至图14是本发明一实施例中鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。

结合参考图5和图6，图6为沿图5中切割线A-A1的剖面图，提供半导体衬底200，所述半导体衬底200上具有鳍部210和覆盖鳍部210部分侧壁的隔离结构201，隔离结构201的顶部表面低于鳍部210的顶部表面，所述鳍部210具有第一高度。

所述半导体衬底200为形成鳍式场效应晶体管提供工艺平台。

本实施例中，所述半导体衬底200的材料为单晶硅。所述半导体衬底200还可以是多晶硅或非晶硅。所述半导体衬底200的材料还可以为锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料。

本实施例中，所述鳍部210通过图形化所述半导体衬底200而形成。在其它实施例中，可以是：在所述半导体衬底上形成鳍部材料层，然后图形化所述鳍部材料层，从而形成鳍部。

本实施例中，受到刻蚀工艺的影响，所述鳍部210的底部宽度大于鳍部210的顶部宽度，所述宽度指的是平行于鳍部210排列方向上的尺寸。

本实施例中，所述半导体衬底200上还具有隔离结构201，所述隔离结构201覆盖鳍部210的部分侧壁表面，隔离结构201的顶部表面低于鳍部210的顶部表面。

所述隔离结构201的材料为氧化硅。

所述隔离结构201的高度为第一高度的30％～60％，选择此范围的意义在于：若所述隔离结构201的高度大于第一高度的60％，后续栅极结构横跨的鳍部210高度较小，栅极结构对鳍部210的控制能力较弱；若所述隔离结构201的高度小于第一高度的30％，导致所述隔离结构201的隔离性能降低。

需要说明的是，本实施例中的高度均指的是在垂直于半导体衬底200表面方向上的尺寸。

本实施例中，所述第一高度为800埃～1500埃，所述隔离结构201的高度为300埃～800埃。

继续结合参考图5和图6，形成横跨所述鳍部210的栅极结构220，所述栅极结构220位于部分隔离结构201上、覆盖鳍部210的部分顶部表面和部分侧壁表面。

所述栅极结构220包括栅介质层221和位于栅介质层221上的栅电极层222。其中，所述栅介质层221位于部分隔离结构201表面、覆盖鳍部210的部分顶部表面和部分侧壁表面。

所述栅介质层221的材料为氧化硅或高K(K大于3.9)介质材料。所述栅电极层222的材料为多晶硅或金属。

形成所述栅极结构220的方法包括：在所述隔离结构201表面以及鳍部210表面形成栅介质材料层；在所述栅介质材料层上形成栅电极材料层；图形化所述栅电极材料层和栅介质材料层，形成栅介质层221和栅电极层222。

所述栅介质层221对应所述栅介质材料层，所述栅电极层222对应所述栅电极材料层。

本实施例中，还包括：在所述栅极结构220、鳍部210和半导体衬底200的表面形成侧墙材料层。

结合参考图7和图8，图7为在图5基础上的示意图，图8为在图6基础上的示意图，在所述栅极结构220、鳍部210和半导体衬底200的表面形成侧墙材料层230。

所述侧墙材料层230的材料为氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅。

形成所述侧墙材料层230的工艺为沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺、亚大气压化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

所述侧墙材料层230用于形成后续的第一侧墙和第二侧墙。

接着，结合参考图9和图10，图9为在图7基础上的示意图，图10为在图8基础上的示意图，对栅极结构220两侧的鳍部210进行第一刻蚀，使栅极结构220两侧的鳍部210形成刻蚀鳍部240，所述隔离结构201覆盖刻蚀鳍部240的部分侧壁，所述刻蚀鳍部240具有第二高度，第二高度小于第一高度。

所述第一刻蚀的工艺包括各向异性干刻工艺，参数包括：采用的气体包括O2、CH3F和He，O2的流量为50sccm～300sccm，CH3F的流量为100sccm～400sccm，He的流量为50sccm～200sccm，源射频功率为100瓦～800瓦，偏置电压为50伏～800伏，腔室压强为1mtorr～300mtorr。

进行所述第一刻蚀后，使栅极结构220两侧鳍部210的高度降低，从而形成刻蚀鳍部240。

所述隔离结构201的顶部表面低于刻蚀鳍部240的顶部表面。

本实施例中，所述第一刻蚀还刻蚀侧墙材料层230(参考图7和图8)，在形成所述刻蚀鳍部240的过程中，形成位于栅极结构220侧壁的第一侧墙251和位于刻蚀鳍部240侧壁的第二侧墙252。

在一个实施例中，所述第二侧墙的顶部表面高于刻蚀鳍部的顶部表面，优点在于：在后续形成源漏外延层的过程中，所述第二侧墙能够在源漏外延层生长的初始阶段限制源漏外延层的生长空间，降低相邻刻蚀鳍部表面生长的源漏外延层连接在一起的几率。

在另一个实施例中，所述第二侧墙的顶部表面低于或齐平于所述刻蚀鳍部的顶部表面。

本实施例中，第一刻蚀后的刻蚀鳍部240的顶部表面到隔离结构201顶部表面具有目标厚度。

所述目标厚度为鳍部210顶部表面到隔离结构201表面距离的20％～40％。选择此范围的意义在于：若所述目标厚度相对于鳍部210顶部表面到隔离结构201表面的距离过大，导致后续形成源漏外延层的空间较小；若所述目标厚度相对于鳍部210顶部表面到隔离结构201表面的距离过小于，导致源漏外延层中底部区域处发生穿通的几率较大。

结合参考图11和图12，图11为在图9基础上的示意图，图12为在图10基础上的示意图，采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部240。

所述该掺杂离子的导电类型后后续源漏外延层中的源漏离子的导电类型相同。

所述离子注入工艺的作用包括：降低刻蚀鳍部240的电阻，使得栅极结构220两侧的刻蚀鳍部240和后续形成的源漏外延层的总电阻降低，从而降低功耗。

当所述鳍式场效应晶体管的类型为N型时，所述掺杂离子的导电类型为N型；当所述鳍式场效应晶体管的类型为P型时，所述掺杂离子的导电类型为P型。

由于所述离子注入工艺在后续刻蚀鳍部240表面形成源漏外延层之前进行，所述掺杂离子无需穿过后续的源漏外延层而注入到刻蚀鳍部240中，因此所述离子注入工艺采用的能量较低。由于所述离子注入工艺采用的能量较低，因此能够避免所述离子注入工艺将掺杂离子穿过隔离结构201而注入到半导体衬底200中，避免造成隔离结构201的隔离失效，因而提高了半导体器件的电学性能。

若所述离子注入工艺的注入能量过低，将导致将掺杂离子仅注入到刻蚀鳍部240的表面附近，不能有效的降低刻蚀鳍部240的电阻；若所述离子注入工艺的注入能量过高，则导致会注入到隔离结构201下方的半导体衬底200中，导致隔离结构201的隔离失效。

若所述离子注入工艺的剂量过高，则导致离子注入工艺的工艺成本增加；若所述离子注入工艺的剂量过低，则导致不能有效的降低刻蚀鳍部240的电阻。

所述离子注入工艺的注入角度和注入能量有关，所述注入角度为与半导体衬底200法线方向之间的锐角夹角。在一定的注入深度的情况下，注入能量越小，需要的注入角度越小。

综上，所述离子注入工艺的注入能量、注入剂量和注入角度需要选择合适的范围。

当所述掺杂离子的导电类型为N型时，在一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为磷离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为4KeV～20KeV，注入角度为0度～30度；

在另一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为砷离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为6KeV～30KeV，注入角度为0度～30度。

当所述掺杂离子的导电类型为P型时，在一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为硼离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为1KeV～10KeV，注入角度为0度～30度；

在另一个实施例中，所述离子注入工艺的参数包括：采用的离子为氟化硼离子，注入剂量为1.0E14atom/cm²～1.0E16atom/cm²，注入能量为2KeV～15KeV，注入角度为0度～30度。

需要说明的是，不同的离子对应的原子质量不同。在相同的注入深度的情况下，原子质量较大的离子需要损耗的能量较大，故需要较大的注入能量。

由于磷离子对应的原子质量小于砷离子对应的原子质量，因此磷离子的注入能量小于砷离子的注入能量；由于硼离子对应的原子质量小于氟化硼离子对应的原子总质量，因此硼离子的注入能量小于氟化硼离子的注入能量。

本实施例中，还包括：进行所述离子注入工艺后，且在形成后续源漏外延层之前，进行退火处理。

所述退火处理的作用包括：激活所述离子注入工艺注入到刻蚀鳍部240中的掺杂离子；使得掺杂离子在刻蚀鳍部240中分布较为均匀。在其它实施例中，不进行所述退火处理。

结合参考图13和图14，图13为在图11基础上的示意图，图14为在图12基础上的示意图，采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部240后，在所述刻蚀鳍部240表面形成源漏外延层260，所述源漏外延层260中具有源漏离子，所述源漏离子和掺杂离子的导电类型相同。

本实施例中，进行了退火处理，相应的，在进行所述退火处理之后，在所述刻蚀鳍部240表面形成源漏外延层260。

形成所述源漏外延层260的工艺为外延生长工艺。

所述掺杂离子在刻蚀鳍部240中的浓度小于所述源漏离子在源漏外延层260中的浓度。

形成源漏外延层260后，刻蚀鳍部240相对于源漏外延层260作为低掺杂区，使栅极结构220两侧的刻蚀鳍部240在沟道底部不易发生穿通。

当所述鳍式场效应晶体管的类型为N型时，所述源漏外延层260的材料为掺杂N型离子的碳硅。当所述鳍式场效应晶体管的类型为P型时，所述源漏外延层260的材料为掺杂P型离子的锗硅。

所述N型离子为P(磷)离子或As离子。所述P型离子为B离子或In离子。

本实施例中，所述源漏外延层260在所述离子注入工艺进行之后形成，使得所述离子注入工艺不会影响源漏外延层260中的载流子浓度。

本实施例还提供一种采用上述方法形成的鳍式场效应晶体管。

本发明另一实施例还提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面，所述鳍部具有第一高度；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于部分隔离结构上、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；对栅极结构两侧的鳍部进行第一刻蚀，使栅极结构两侧的鳍部形成刻蚀鳍部，所述隔离结构覆盖刻蚀鳍部的部分侧壁，刻蚀鳍部具有第二高度，第二高度小于第一高度；采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部后，对所述刻蚀鳍部进行第二刻蚀，使刻蚀鳍部具有第三高度，所述第三高度小于所述第二高度；所述隔离结构覆盖第二刻蚀后的刻蚀鳍部的部分侧壁；进行第二刻蚀后，在所述刻蚀鳍部表面形成源漏外延层，所述源漏外延层中具有源漏离子，所述源漏离子和掺杂离子的导电类型相同。

图15至图22是本发明另一实施例中鳍式场效应晶体管形成过程的结构示意图。

结合参考图15和图16，图15为在图7基础上的示意图，图16为在图8基础上的示意图，对栅极结构220两侧的鳍部210(参考图7和图8)进行第一刻蚀，使栅极结构220两侧的鳍部形成刻蚀鳍部340，所述隔离结构201覆盖刻蚀鳍部340的部分侧壁，所述刻蚀鳍部340具有第二高度，第二高度小于第一高度。

所述第一刻蚀的参数参照前述实施例中第一刻蚀的参数，不再详述。

进行所述第一刻蚀后，使栅极结构220两侧鳍部210的高度降低，从而形成刻蚀鳍部340。

所述隔离结构201覆盖第一刻蚀后的刻蚀鳍部340的部分侧壁。所述隔离结构201的顶部表面低于第一刻蚀后刻蚀鳍部340的顶部表面。

本实施例中，所述第一刻蚀还刻蚀侧墙材料层230(参考图7和图8)，在形成所述刻蚀鳍部340的过程中，形成位于栅极结构220侧壁的第一侧墙351和位于刻蚀鳍部340侧壁的第二侧墙352。

所述第一侧墙351的高度和材料参照第一侧墙251的高度和材料。

所述第二侧墙352的高度和材料参照第二侧墙252的高度和材料。

结合参考图17和图18，图17为在图15基础上的示意图，图18为在图16基础上的示意图，采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部340。

所述离子注入工艺的作用和参数参照前述实施例中离子注入工艺的参数。

本实施例中，还包括：进行所述离子注入工艺后，且在形成后续源漏外延层之前，进行退火处理。

所述退火处理的作用参照前述实施例中退火处理的作用。

结合参考图19和图20，图19为在图17基础上的示意图，图20为在图18基础上的示意图，采用离子注入工艺将掺杂离子注入刻蚀鳍部340后，对所述刻蚀鳍部340进行第二刻蚀，使刻蚀鳍部340具有第三高度，所述第三高度小于所述第二高度。

本实施例中，在进行所述退火处理之后，进行所述第二刻蚀。

所述隔离结构201覆盖第二刻蚀后的刻蚀鳍部340的部分侧壁。所述隔离结构201的顶部表面低于第二刻蚀后刻蚀鳍部340的顶部表面。

本实施例中，所述第二刻蚀的工艺包括各向异性干刻工艺，参数参照第一刻蚀采用的各向异性干刻工艺的参数，不再详述。

由于所述离子注入工艺对刻蚀鳍部340中的顶部区域相对于对底部区域的注入损伤较大，且在退火处理中，刻蚀鳍部340中的顶部区域较难得到修复，因此采用第二刻蚀，能够将刻蚀鳍部340中顶部区域的材料去除。

本实施例中第二刻蚀之后的刻蚀鳍部340的顶部表面到隔离结构201顶部表面具有目标厚度。

所述目标厚度为鳍部210顶部表面到隔离结构201顶部表面距离的20％～40％。

结合参考图21和图22，图21为在图19基础上的示意图，图22为在图20基础上的示意图，进行第二刻蚀后，在所述刻蚀鳍部340表面形成源漏外延层360，所述源漏外延层360中具有源漏离子，所述源漏离子和掺杂离子的导电类型相同。

所述源漏外延层360的形成工艺和材料参照源漏外延层260的形成工艺和材料，不再详述。

本实施例还提供一种采用上述方法形成的鳍式场效应晶体管。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。