1.一种单晶掺镓硅片，其特征在于：所述的单晶硅片中掺杂有镓元素，镓元素的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米，单晶硅片的导电类型为p型。
2.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片中氧含量≤9×1017个原子/立方厘米。
3.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片的碳含量≤1×1017个原子/立方厘米。
4.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片的位错密度≤500个/平方厘米。
5.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片的电阻率为0.2～6.0ohm·cm。
6.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片的少数载流子寿命≥15μs。
7.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片的形状为四角倒圆弧的正方形，圆弧直径b为200～250mm，正方形对边距a为125mm～180mm；单晶硅片的厚度为80～200μm。
8.根据权利要求1所述的单晶掺镓硅片，其特征在于，所述的单晶硅片还掺杂有硼元素，硼元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。
9.权利要求1至8任意一项所述的单晶掺镓硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将包含有多晶硅料和镓材料的坩埚置于拉晶炉中；
2)加热使得材料融化；
3)进行拉晶，形成单晶晶棒；
4)将单晶晶棒进行切割、清洗，完成单晶掺镓硅片的制备。
10.一种太阳电池，其特征在于，所述的太阳电池的硅基体采用权利要求1至8任意一项所述的单晶掺镓硅片。