一种单晶掺镓硅片及其制备方法和太阳电池与流程

技术总结
本发明公开了一种单晶掺镓硅片及其制备方法和太阳电池，此单晶硅片中含有镓元素；其中镓元素的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米；使用此单晶硅片制备成电池具有较好的效率，以及相对较低的光衰比例。

技术研发人员：李华;靳玉鹏
受保护的技术使用者：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
技术研发日：2018.01.29
技术公布日：2018.08.03