技术特征：
技术总结
本公开提供了一种具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，采用碳化硅衬底，在衬底上生长一层石墨烯材料，在石墨烯材料上生长氮化镓成核层，在成核层上生长氮化镓高阻缓冲层，在其上生长高迁移率的氮化镓沟道层，在沟道层上生长AlGaN势垒层，两个欧姆接触形成器件的源漏电极，在此之上淀积一薄层氮化硅表面钝化层，在源极和漏极之间将SiNX钝化层刻蚀出槽，然后在其后制作肖特基栅极。本公开可应用于高可靠GaN基微波功率器件领域，有利于降低GaN基HEMT的自热效应，降低界面热阻，进而提升GaN基HEMT在强电场以及高温环境下工作时热可靠性。
技术研发人员：赵妙;刘洪刚;张国斌;吴宗刚;孙兵;黄凯亮
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.03.01
技术公布日：2018.08.10