技术特征：
技术总结
本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。
技术研发人员：哈姆扎·依玛兹;陈军;伍时谦;李文军
受保护的技术使用者：万国半导体股份有限公司
技术研发日：2011.05.25
技术公布日：2018.08.14