本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。
背景技术：
在显示技术领域，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示装置。液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)、设于空穴注入层上的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、设于电子传输层上的电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。
现有的显示面板的设计中，常有需要将两层互相绝缘的金属层进行连接的设计，例如采用触屏技术的显示面板中，一般将触控信号输入TFT阵列基板的一层金属层，并使该层金属层与其上方的另一层金属层连接，由该另一层金属层与感测端子连接，从而实现触控显示。请参阅图1及图2，现有的一种TFT阵列基板包括第一金属层910、设于第一金属层910上的第一绝缘层920、设于第一绝缘层920上的第二金属层930、设于第一绝缘层920及第二金属层930上的第二绝缘层940及设于第二绝缘层940上的氧化铟锡层950。所述第二绝缘层940上设有位于第二金属层930上方的两个第一过孔941及位于第一金属层910上方的两个第二过孔942，所述第一绝缘层920上设有位于第一金属层910上方的第三过孔921，每一第二过孔942对应位于一第三过孔921内，氧化铟锡层950穿过第一过孔941及第二过孔942分别与第二金属层930及第一金属层910连接，从而实现第一金属层910与第二金属层930之间的连接。当工艺制程产生以及外界进入的静电在氧化铟锡层950上积累，会产生静电击穿效应，使得氧化铟锡层950容易在第一过孔941的底部边缘及第二过孔942的底部边缘处断裂，该断裂会向过孔外部延伸，请参阅图3，当断裂不断延伸直至氧化铟锡层950的两侧边缘后，会导致氧化铟锡层950断裂为间隔的且分别与第一金属层910及第二金属层930连接的两个部分，此时第一金属层910与第二金属层930不再连接，影响显示面板的功能的实现，可靠性较低。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，能够避免由于静电击穿导致的导电层断裂，可靠性高。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT阵列基板，包括第一导电层、设于第一导电层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的第二导电层、设于第二导电层及第一绝缘层上的第二绝缘层以及设于第二绝缘层上的第三导电层；
所述第二绝缘层上设有位于第二导电层上方的第一过孔及位于第一导电层上方的第二过孔，所述第一绝缘层上设有位于第一导电层上方的第三过孔，第二过孔位于第三过孔内；第三导电层经第一过孔及第二过孔分别与第二导电层及第一导电层连接；
所述第三导电层上设有间隔的第一开口与第二开口，所述第一开口在竖直方向的投影位于第二过孔底部边缘的一侧且一端突出第二过孔底部边缘靠近第一过孔的一端；所述第二开口在竖直方向的投影位于第一过孔底部边缘的一侧且一端突出第一过孔底部边缘靠近第二过孔的一端。
所述第一开口在竖直方向的投影突出第二过孔底部边缘靠近第一过孔一端的部分与所述第二开口在竖直方向的投影突出第一过孔底部边缘靠近第二过孔一端的部分在第一过孔和第二过孔排列方向上的长度之和大于等于第一过孔底部边缘与第二过孔底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离；
所述第一开口及第二开口在竖直方向的投影分别位于由第一过孔及第二过孔组成的过孔列的两侧；
所述第一开口及第二开口均为长条状；所述第一开口的延伸方向与第二开口的延伸方向平行。
所述第二绝缘层上还设有位于第二导电层上方的第四过孔及位于第一导电层上方的第五过孔，所述第一绝缘层上设有位于第一导电层上方的第六过孔，第五过孔位于第六过孔内，所述第三导电层经第四过孔与第五过孔分别与第二导电层及第一导电层连接；所述第四过孔、第一过孔、第二过孔及第五过孔依次设置排成一列。
可选地，所述第一开口在竖直方向的投影的另一端突出第二过孔底部边缘靠近第五过孔的一端；所述第二开口在竖直方向的投影的另一端突出第一过孔底部边缘靠近第四过孔的一端；
所述第三导电层还设有间隔的第三开口及第四开口；所述第三开口在竖直方向的投影位于第四过孔底部边缘的一侧，且一端突出第四过孔底部边缘靠近第一过孔的一端，另一端突出第四过孔底部边缘远离第一过孔的一端；所述第四开口在竖直方向的投影位于第五过孔底部边缘的一侧，且一端突出第五过孔底部边缘靠近第二过孔的一端，另一端突出第五过孔底部边缘远离第二过孔的一端；
所述第三开口和第一开口的排列方向与第一过孔和第二过孔的排列方向平行；所述第二开口和第四开口的排列方向与第一过孔和第二过孔的排列方向平行。
所述第一开口在竖直方向的投影突出第二过孔底部边缘靠近第五过孔一端的部分与所述第四开口在竖直方向的投影突出第五过孔底部边缘靠近第二过孔一端的部分在第二过孔和第五过孔排列方向上的长度之和大于等于第二过孔的底部边缘与第五过孔底部边缘之间的距离；
所述第二开口在竖直方向的投影突出第一过孔底部边缘靠近第四过孔一端的部分与所述第三开口在竖直方向的投影突出第四过孔底部边缘靠近第一过孔一端的部分在第四过孔和第一过孔排列方向上的长度之和大于等于第四过孔的底部边缘与第一过孔底部边缘之间的距离；
所述第三开口及第四开口均为长条状，所述第三开口及第四开口的延伸方向均与第一开口的延伸方向平行；所述第一开口的延伸方向与第一过孔和第二过孔的排列方向平行。
可选地，所述第三导电层还设有间隔的第三开口、第四开口、第五开口、第六开口、第七开口及第八开口；
所述第三开口在竖直方向的投影位于第一过孔底部边缘的一侧，且一端突出第一过孔底部边缘靠近第四过孔的一端；所述第四开口在竖直方向的投影位于第四过孔底部边缘的一侧，且一端突出第四过孔底部边缘靠近第一过孔的一端；所述第五开口在竖直方向的投影位于第四过孔底部边缘的一侧，且一端突出第四过孔底部边缘远离第一过孔的一端；所述第六开口在竖直方向的投影位于第五过孔底部边缘的一侧，且一端突出第五过孔底部边缘靠近第二过孔的一端；所述第七开口在竖直方向的投影位于第二过孔底部边缘的一侧，且一端突出第二过孔底部边缘靠近第五过孔的一端；所述第八开口在竖直方向的投影位于第五过孔底部边缘的一侧，且一端突出第五过孔底部边缘远离第二过孔的一端；
所述第五开口、第三开口、第一开口及第六开口依次排成一列，且所述第五开口、第三开口、第一开口和第六开口的排列方向与第一过孔和第二过孔的排列方向平行；
所述第四开口、第二开口、第七开口及第八开口依次排成一列，且所述第四开口、第二开口、第七开口和第八开口的排列方向与第一过孔和第二过孔的排列方向平行。
所述第三开口在竖直方向的投影突出第一过孔底部边缘靠近第四过孔一端的部分与第四开口在竖直方向的投影突出第四过孔底部边缘靠近第一过孔一端的部分在第一过孔和第四过孔排列方向上的长度之和大于等于第一过孔底部边缘与第四过孔底部边缘之间的距离；
所述第六开口在竖直方向的投影突出第五过孔底部边缘靠近第二过孔一端的部分与第七开口在竖直方向的投影突出第二过孔底部边缘靠近第五过孔一端的部分在第二过孔和第五过孔排列方向上的长度之和大于等于第二过孔底部边缘与第五过孔底部边缘之间的距离；
所述第三开口、第四开口、第五开口、第六开口、第七开口及第八开口均为长条状，所述第三开口、第四开口、第五开口、第六开口、第七开口及第八开口的延伸方向均与第一开口的延伸方向平行；
所述第一开口的延伸方向与第一过孔和第二过孔的排列方向之间的夹角为45°。
可选地，所述第一开口在竖直方向的投影突出第二过孔底部边缘靠近第一过孔一端的部分在第一过孔和第二过孔排列方向上的长度大于第一过孔底部边缘与第二过孔底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离；所述第二开口在竖直方向的投影突出第一过孔底部边缘靠近第二过孔一端的部分在第一过孔和第二过孔排列方向上的长度大于第一过孔底部边缘与第二过孔底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离；
所述第三导电层还设有间隔的第三开口、第四开口、第五开口、第六开口、第七开口、第八开口、第九开口、第十开口；
所述第三开口及第四开口在竖直方向的投影分别位于第四过孔底部边缘的两侧且一端均突出第四过孔底部边缘靠近第一过孔的一端；所述第三开口及第四开口在竖直方向的投影突出第四过孔底部边缘靠近第一过孔一端的部分在第一过孔和第四过孔排列方向上的长度均大于第一过孔底部边缘与第四过孔底部边缘之间的距离；
所述第五开口及第六开口在竖直方向的投影分别位于第五过孔底部边缘的两侧且一端均突出第五过孔底部边缘靠近第二过孔的一端；所述第五开口及第六开口在竖直方向的投影突出第五过孔底部边缘靠近第二过孔一端的部分在第二过孔和第五过孔排列方向上的长度均大于第二过孔底部边缘与第五过孔底部边缘之间的距离；
所述第七开口及第八开口在竖直方向的投影分别位于第四过孔底部边缘的两侧且一端均突出第四过孔底部边缘远离第一过孔的一端；
所述第九开口及第十开口在竖直方向的投影分别位于第五过孔底部边缘的两侧且一端均突出第五过孔底部边缘远离第二过孔的一端。
所述第三开口、第四开口、第五开口、第六开口、第七开口、第八开口、第九开口、第十开口均为长条状，第三开口、第四开口、第五开口、第六开口、第七开口、第八开口、第九开口、第十开口的延伸方向均与第一开口的延伸方向平行；
第一开口的延伸方向与第一过孔和第二过孔的排列方向平行。
所述第三导电层还设有间隔的第十一开口、第十二开口、第十三开口及第十四开口；所述第十一开口、第十二开口、第十三开口及第十四开口均为长条状；
所述第十一开口在竖直方向的投影位于第四过孔底部边缘远离第一过孔的一端且与第七开口连接；所述第十一开口的延伸方向与第七开口的延伸方向垂直；
所述第十二开口在竖直方向的投影位于第四过孔底部边缘远离第一过孔的一端且与第八开口连接；所述第十二开口的延伸方向与第八开口的延伸方向垂直；
所述第十三开口在竖直方向的投影位于第五过孔底部边缘远离第二过孔的一端且与第九开口连接；所述第十三开口的延伸方向与第九开口的延伸方向垂直；
所述第十四开口在竖直方向的投影位于第五过孔底部边缘远离第二过孔的一端且与第十开口连接；所述第十四开口的延伸方向与第十开口的延伸方向垂直。
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT阵列基板设置第三导电层通过第一过孔及第二过孔分别连接第一导电层及第二导电层，并在第三导电层上设置间隔的第一开口与第二开口，第一开口在竖直方向的投影位于第二过孔底部边缘的一侧且一端突出第二过孔底部边缘靠近第一过孔的一端，第二开口在竖直方向的投影位于第一过孔底部边缘的一侧且一端突出第一过孔底部边缘靠近第二过孔的一端，从而在第三导电层因静电击穿而在对应第一过孔与第二过孔互相靠近的边缘产生断裂时，第一开口及第二开口能够对断裂进行阻隔，防止断裂导致第一导电层与第二导电层断开，保证第一导电层与第二导电层连接的可靠性，提升产品的品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种TFT阵列基板的俯视示意图；
图2为沿图1中的A-A’线的剖视示意图；
图3为图1所示的TFT阵列基板的氧化铟锡层因静电击穿而发生断裂的示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板的第一实施例的俯视示意图；
图5为沿图4中的B-B’线的剖视示意图；
图6为本发明的TFT阵列基板的第一实施例的第三导电层因静电击穿而发生断裂的示意图；
图7为本发明的TFT阵列基板的第二实施例的俯视示意图；
图8为本发明的TFT阵列基板的第三实施例的俯视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4及图5，本发明的TFT阵列基板的第一实施例包括第一导电层100、设于第一导电层100上的第一绝缘层200、设于第一绝缘层200上的第二导电层300、设于第二导电层300及第一绝缘层200上的第二绝缘层400以及设于第二绝缘层400上的第三导电层500。
所述第二绝缘层400上设有位于第二导电层300上方的第一过孔410及位于第一导电层100上方的第二过孔420，所述第一绝缘层200上设有位于第一导电层100上方的第三过孔210，第二过孔420位于第三过孔210内。第三导电层500经第一过孔410及第二过孔420分别与第二导电层300及第一导电层100连接。
所述第三导电层500上设有间隔的第一开口510与第二开口520，所述第一开口510在竖直方向的投影位于第二过孔420底部边缘的一侧且一端突出第二过孔420底部边缘靠近第一过孔410的一端；所述第二开口520在竖直方向的投影位于第一过孔410底部边缘的一侧且一端突出第一过孔410底部边缘靠近第二过孔420的一端。
具体地，请参阅图4，在本发明的第一实施例中，所述第一开口510在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第一过孔410一端的部分与所述第二开口520在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第二过孔420一端的部分在第一过孔410和第二过孔420排列方向上的长度之和等于第一过孔410底部边缘与第二过孔420底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离。当然，在本发明的其他实施例中，也可设置所述第一开口510在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第一过孔410一端的部分与所述第二开口520在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第二过孔420一端的部分在第一过孔410和第二过孔420排列方向上的长度之和大于第一过孔410底部边缘与第二过孔420底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离，并不会影响本发明的实现。
优选地，请参阅图4，所述第一开口510及第二开口520在竖直方向的投影分别位于由第一过孔410及第二过孔420组成的过孔列的两侧。所述第一开口510及第二开口520均为长条状。所述第一开口510的延伸方向与第二开口520的延伸方向平行。
具体地，请参阅图4及图5，所述第二绝缘层400上还设有位于第二导电层300上方的第四过孔440及位于第一导电层100上方的第五过孔450，所述第一绝缘层200上设有位于第一导电层100上方的第六过孔220，第五过孔450位于第六过孔220内，所述第三导电层500经第四过孔440与第五过孔450分别与第二导电层300及第一导电层100连接。所述第四过孔440、第一过孔410、第二过孔420及第五过孔450依次设置排成一列。
进一步地，请参阅图4，所述第一开口510在竖直方向的投影的另一端突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450的一端。所述第二开口520在竖直方向的投影的另一端突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440的一端。所述第三导电层500还设有间隔的第三开口530及第四开口540。所述第三开口530在竖直方向的投影位于第四过孔440底部边缘的一侧，且一端突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410的一端，另一端突出第四过孔440底部边缘远离第一过孔410的一端，所述第四开口540在竖直方向的投影位于第五过孔450底部边缘的一侧，且一端突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420的一端，另一端突出第五过孔450底部边缘远离第二过孔420的一端。
具体地，所述第三开口530和第一开口510的排列方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向平行。所述第二开口520和第四开口540的排列方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向平行。
具体地，请参阅图4，在本发明的第一实施例中，所述第一开口510在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450一端的部分与所述第四开口540在竖直方向的投影突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420一端的部分在第二过孔420和第五过孔450排列方向上的长度之和等于第二过孔420的底部边缘与第五过孔450底部边缘之间的距离。所述第二开口520在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440一端的部分与所述第三开口530在竖直方向的投影突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410一端的部分在第四过孔440和第一过孔410排列方向上的长度之和等于第四过孔440的底部边缘与第一过孔410底部边缘之间的距离。当然，在本发明的其他实施例中，所述第一开口510在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450一端的部分与所述第四开口540在竖直方向的投影突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420一端的部分在第二过孔420和第五过孔450排列方向上的长度之和也可以大于第二过孔420的底部边缘与第五过孔450底部边缘之间的距离，所述第二开口520在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440一端的部分与所述第三开口530在竖直方向的投影突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410一端的部分在第四过孔440和第一过孔410排列方向上的长度之和也可以大于第四过孔440的底部边缘与第一过孔410底部边缘之间的距离，这并不会影响本发明的实现。
优选地，请参阅图4，所述第三开口530及第四开口540均为长条状，所述第三开口530及第四开口540的延伸方向均与第一开口510的延伸方向平行。所述第一开口510的延伸方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向平行。
具体地，所述第一导电层100及第二导电层300的材料为金属，第三导电层500的材料为氧化铟锡(ITO)。
需要说明的是，本发明的TFT阵列基板的第一实施例中，通过在第三导电层500上设置间隔的第一开口510与第二开口520，请参阅图6，在第三导电层500因静电击穿而在第一过孔410与第二过孔420互相靠近的边缘产生断裂时，由于第一开口510及第二开口520的存在，断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500的边缘，使得第三导电层500整体始终连通，从而保证经第三导电层500连通的第一导电层100及第二导电层300之间的连接的可靠性。进一步的，本发明的第一实施例中，还设置第四过孔440及第五过孔450，分别增加了第三导电层500与第二导电层300及第一导电层100之间的连接通路，保证连接效果，同时在第三导电层500上设置第三开口530及第四开口540，在第三导电层500因静电击穿而在第一过孔410与第四过孔440互相靠近的边缘产生断裂时，由于第三开口530及第二开口520的存在，断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500的边缘，使得第三导电层500整体始终连通，保证连通的可靠性，而在第三导电层500因静电击穿而在第二过孔420与第五过孔450互相靠近的边缘产生断裂时，由于第一开口510及第四开口540的存在，断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500的边缘，使得第三导电层500整体始终连通，保证连通的可靠性。
请参阅图7，并结合图5，本发明的TFT阵列基板的第二实施例与上述第一实施例的区别在于，所述第一开口510’在竖直方向的投影的另一端并不突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450的一端。所述第二开口520’在竖直方向的投影的另一端并不突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440的一端。所述第三导电层500’还设有间隔的第三开口530’、第四开口540’、第五开口550’、第六开口560’、第七开口570’及第八开口580’。所述第三开口530’在竖直方向的投影位于第一过孔410底部边缘的一侧，且一端突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440的一端。所述第四开口540’在竖直方向的投影位于第四过孔440底部边缘的一侧，且一端突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410的一端。所述第五开口550’在竖直方向的投影位于第四过孔440底部边缘的一侧，且一端突出第四过孔440底部边缘远离第一过孔410的一端。所述第六开口560’在竖直方向的投影位于第五过孔450底部边缘的一侧，且一端突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420的一端。所述第七开口570’在竖直方向的投影位于第二过孔420底部边缘的一侧，且一端突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450的一端。所述第八开口580’在竖直方向的投影位于第五过孔450底部边缘的一侧，且一端突出第五过孔450底部边缘远离第二过孔420的一端。
具体地，请参阅图7，在本发明的第二实施例中，所述第五开口550’、第三开口530’、第一开口510’及第六开口560’依次排成一列，且所述第五开口550’、第三开口530’、第一开口510’和第六开口560’的排列方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向平行。所述第四开口540’、第二开口520’、第七开口570’及第八开口580’依次排成一列，且所述第四开口540’、第二开口520’、第七开口570’和第八开口580’的排列方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向平行。
进一步地，请参阅图7，所述第三开口530’在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440一端的部分与第四开口540’在竖直方向的投影突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410一端的部分在第一过孔410和第四过孔440排列方向上的长度之和大于第一过孔410底部边缘与第四过孔440底部边缘之间的距离。而所述第六开口560’在竖直方向的投影突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420一端的部分与第七开口570’在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450一端的部分在第二过孔420和第五过孔450排列方向上的长度之和大于第二过孔420底部边缘与第五过孔450底部边缘之间的距离。当然，在本发明的其他实施例中，所述第三开口530’在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440一端的部分与第四开口540’在竖直方向的投影突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410一端的部分在第一过孔410和第四过孔440排列方向上的长度之和也可等于第一过孔410底部边缘与第四过孔440底部边缘之间的距离。而所述第六开口560’在竖直方向的投影突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420一端的部分与第七开口570’在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450一端的部分在第二过孔420和第五过孔450排列方向上的长度之和也可等于第二过孔420底部边缘与第五过孔450底部边缘之间的距离，这并不会影响本发明的实现。
具体地，所述第三开口530’、第四开口540’、第五开口550’、第六开口560’、第七开口570’及第八开口580’均为长条状，所述第三开口530’、第四开口540’、第五开口550’、第六开口560’、第七开口570’及第八开口580’的延伸方向均与第一开口510’的延伸方向平行。所述第一开口510’的延伸方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向之间的夹角为45°。
其余结构均与第一实施例相同，在此不再赘述。
需要说明的是，本发明的TFT阵列基板的第二实施例在第三导电层500’上设置第一开口510’及第二开口520’，利用第一开口510’及第二开口520’使形成于第一过孔410及第二过孔420互相靠近的边缘的断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500’的边缘，与此同时，还在第三导电层500’上设置了第三开口530’、第四开口540’、第五开口550’、第六开口560’、第七开口570’及第八开口580’，利用第三开口530’及第四开口540’使形成于第一过孔410及第四过孔440互相靠近的边缘的断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500’的边缘，利用第七开口570’及第六开口560’使形成于第二过孔420及第五过孔450互相靠近的边缘的断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500’的边缘，利用第五开口550’使第四过孔440远离第一过孔410边缘处产生的断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500’的边缘，利用第八开口580’使第五过孔450远离第二过孔420边缘处产生的断裂的两端无法同时继续向外延伸直至第三导电层500’的边缘，并且设置各个开口的延伸方向与第一过孔410及第二过孔420的排列方向呈45°角，能够防止沿第一过孔410及第二过孔420延伸方向的断裂两端延伸至第三导电层500’的边缘，从而使第三导电层500’即使发生静电击穿整体仍能够连通，保证通过第三导电层500’连通的第一导电层100及第二导电层300的连接可靠，提升产品的品质。
请参阅图8，并结合图5，本发明的TFT阵列基板的第三实施例与上述第一实施例的区别在于，所述第一开口510”在竖直方向的投影的另一端并不突出第二过孔420底部边缘靠近第五过孔450的一端。所述第二开口520”在竖直方向的投影的另一端并不突出第一过孔410底部边缘靠近第四过孔440的一端。所述第一开口510”在竖直方向的投影突出第二过孔420底部边缘靠近第一过孔410一端的部分在第一过孔410和第二过孔420排列方向上的长度大于第一过孔410底部边缘与第二过孔420底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离。所述第二开口520”在竖直方向的投影突出第一过孔410底部边缘靠近第二过孔420一端的部分在第一过孔410和第二过孔420排列方向上的长度大于第一过孔410底部边缘与第二过孔420底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离。
具体地，请参阅图8，在本发明的第三实施中，所述第三导电层500”还设有间隔的第三开口530”、第四开口540”、第五开口550”、第六开口560”、第七开口570”、第八开口580”、第九开口590”、第十开口5100”。
所述第三开口530”及第四开口540”在竖直方向的投影分别位于第四过孔440底部边缘的两侧且一端均突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410的一端；所述第三开口530”及第四开口540”在竖直方向的投影突出第四过孔440底部边缘靠近第一过孔410一端的部分在第一过孔410和第四过孔440排列方向上的长度均大于第一过孔410底部边缘与第四过孔440底部边缘之间的距离。
所述第五开口550”及第六开口560”在竖直方向的投影分别位于第五过孔450底部边缘的两侧且一端均突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420的一端；所述第五开口550”及第六开口560”在竖直方向的投影突出第五过孔450底部边缘靠近第二过孔420一端的部分在第二过孔420和第五过孔450排列方向上的长度均大于第二过孔420底部边缘与第五过孔450底部边缘之间的距离。
所述第七开口570”及第八开口580”在竖直方向的投影分别位于第四过孔440底部边缘的两侧且一端均突出第四过孔440底部边缘远离第一过孔410的一端。
所述第九开口590”及第十开口5100”在竖直方向的投影分别位于第五过孔450底部边缘的两侧且一端均突出第五过孔450底部边缘远离第二过孔420的一端。
具体地，请参阅图8，所述第三开口530”、第四开口540”、第五开口550”、第六开口560”、第七开口570”、第八开口580”、第九开口590”、第十开口5100”均为长条状，第三开口530”、第四开口540”、第五开口550”、第六开口560”、第七开口570”、第八开口580”、第九开口590”、第十开口5100”的延伸方向均与第一开口510”的延伸方向平行。第一开口510”的延伸方向与第一过孔410和第二过孔420的排列方向平行。
进一步地，请参阅图8，在本发明的第三实施例中，所述第三导电层500”还设有间隔的第十一开口5110”、第十二开口5120”、第十三开口5130”及第十四开口5140”。所述第十一开口5110”、第十二开口5120”、第十三开口5130”及第十四开口5140”均为长条状。
所述第十一开口5110”在竖直方向的投影位于第四过孔440底部边缘远离第一过孔410的一端且与第七开口570”连接。所述第十一开口5110”的延伸方向与第七开口570”的延伸方向垂直。
所述第十二开口5120”在竖直方向的投影位于第四过孔440底部边缘远离第一过孔410的一端且与第八开口580”连接。所述第十二开口5120”的延伸方向与第八开口580”的延伸方向垂直。
所述第十三开口5130”在竖直方向的投影位于第五过孔450底部边缘远离第二过孔420的一端且与第九开口590”连接。所述第十三开口5130”的延伸方向与第九开口590”的延伸方向垂直。
所述第十四开口5140”在竖直方向的投影位于第五过孔450底部边缘远离第二过孔420的一端且与第十开口5100”连接。所述第十四开口5140”的延伸方向与第十开口5100”的延伸方向垂直。
需要说明的是，本发明的TFT阵列基板的第三实施例在第三导电层500”上设置第一开口510”及第二开口520”，利用第一开口510”及第二开口520”使形成于第一过孔410及第二过孔420互相靠近的边缘的断裂的两端均不能继续向外延伸直至第三导电层500”的边缘，与此同时，还在第三导电层500”上设置了第三开口530”、第四开口540”、第五开口550”、第六开口560”、第七开口570”、第八开口580”、第九开口590”、第十开口5100”，利用第三开口530”、第四开口540”使形成于第一过孔410及第四过孔440互相靠近的边缘的断裂的两端均不能继续向外延伸直至第三导电层500”的边缘，利用第五开口550”、第六开口560”使形成于第二过孔420及第五过孔450互相靠近的边缘的断裂的两端均不能继续向外延伸直至第三导电层500”的边缘，利用第七开口570”、第八开口580”使形成于第四过孔440远离第一过孔410的边缘处的断裂的两端均不能继续向外延伸直至第三导电层500”的边缘，利用第九开口590”、第十开口5100”使形成于第五过孔450远离第二过孔420的边缘处的断裂的两端均不能继续向外延伸直至第三导电层500”的边缘，进一步地，还在第三导电层500”上设置了第十一开口5110”、第十二开口5120”、第十三开口5130”及第十四开口5140”，能够防止沿第一过孔410及第二过孔420延伸方向的断裂两端延伸至第三导电层500”的边缘，从而使第三导电层500”即使发生静电击穿整体仍能够连通，保证通过第三导电层500”连通的第一导电层100及第二导电层300的连接可靠，提升产品的品质。
综上所述，本发明的TFT阵列基板设置第三导电层通过第一过孔及第二过孔分别连接第一导电层及第二导电层，并在第三导电层上设置间隔的第一开口与第二开口，第一开口在竖直方向的投影位于第二过孔底部边缘的一侧且一端突出第二过孔底部边缘靠近第一过孔的一端，第二开口在竖直方向的投影位于第一过孔底部边缘的一侧且一端突出第一过孔底部边缘靠近第二过孔的一端，从而在第三导电层因静电击穿而在对应第一过孔与第二过孔边互相靠近的缘产生断裂时，第一开口及第二开口能够对断裂进行阻隔，防止断裂导致第一导电层与第二导电层断开，保证第一导电层与第二导电层连接的可靠性，提升产品的品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。