一种产生宽带微波频率梳的装置及方法与流程

本发明涉及光学技术领域，特别是涉及一种微波频率梳的产生技术。

背景技术

微波频率梳由一系列频率间隔相等的梳状微波信号组成，它可以在一个频段内同时提供几十个不同频率的微波信号，因而在雷达测距、宽带无线通信、卫星通信、军事侦察等领域具有广泛的应用。

目前，微波频率梳的产生方法主要包括电学和光学两种。传统的电学方法受所用电子器件的带宽限制，仅能产生带宽为十几ghz的微波频率梳，且通过电学方法产生的微波频率梳存在梳距不能灵活调节、梳线功率极不均衡等缺陷。

在利用光学方法产生微波频率梳方面，其中一种方式是将光学频率梳经光电探测器转换为微波频率梳。然而，受这种获取方式的物理机制影响，基于光学频率梳获取微波频率梳的系统比较复杂，成本高昂，且通过该方法产生的微波频率梳的梳线功率不均衡、梳距较大(数ghz以上)且难以调节。除了上述微波频率梳的产生方法外，人们还提出了利用半导体激光器的非线性特性来产生微波频率梳。如名称为“一种高质量微波频率梳的光学产生方法”(公开号cn106159640a)的中国发明专利，公开了基于半导体激光器的声光频移光学回路产生高质量微波频率梳；名称为“一种基于光电反馈vcsel的双路微波频率梳”(cn105006727a)的中国发明专利，公开了基于光电反馈半导体激光器产生双路微波频率梳，名称为“全光宽带微波频率梳发生器”(cn104577648a)的中国发明专利，公开了基于非相干光反馈半导体激光器产生宽带微波频率梳，名称为“一种微波频率梳生成方法、装置”(cn106816802a)的中国发明专利，公开了基于光注入及光电反馈半导体激光器产生梳齿间距高精细的微波频率梳。上述微波频率梳生成技术均采用了光反馈回路或光电反馈回路，由于微波频率梳的性能及梳距与反馈回路的长度有密切关系，且受系统结构限制，反馈回路的长度往往有限且很难灵活调节，这导致基于反馈回路的微波频率梳的产生方案很难获得梳距在较大范围内连续可调的微波频率梳。比如cn106159640a公开的一种高质量微波频率梳的光学产生方法，其梳距就只能在几十mhz～1ghz范围内调节。另外，上述采用反馈回路获取的微波频率梳的纯净度不高，梳线的线宽较大，一般在几khz乃至几百khz量级，且微波频率梳的相位噪声较高，这对一些高精度、高精准的雷达探测和军事侦察是极大的限制。名称为“基于半导体激光器的可调谐超宽带微波频率梳的产生方法”(公开号cn106981814a)，可以在1.1ghz～1.2ghz和3.3ghz～8.0ghz两个非连续可调的梳距范围内获得带宽高达59ghz(在±5db幅度平坦度内)、相噪低于-86dbc/hz@10khz的纯净微波频率梳。但是，通过该方法产生的微波频率梳的低频梳线功率明显高于其他高频梳线功率，如果从常规的角度(即一般从低频梳线到高频梳线范围)考虑整个微波频率梳的平坦度，该微波频率梳的功率极不均衡。因此cn106981814a是在排除了0ghz至8ghz低频梳线，且在两个非连续可调的梳距范围内才能获得59ghz带宽(在±5db幅度平坦度内)的微波频率梳。

对于很多实际应用，人们对梳距连续可调、梳线从低频到高频均十分平坦的宽带、纯净微波频率梳极其渴望。因此，为了克服上述微波频率梳产生方案的弊端，获得功率均衡、梳线纯净、频率稳定、梳距大范围连续可调的宽带微波频率梳，需要进行更加深入的技术探索。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术的上述不足，设计一种基于半导体激光器的非线性动态获取微波频率梳的装置，可以产生功率均衡、梳线纯净、频率稳定、梳距大范围连续可调的宽带微波频率梳。

本发明解决上述技术问题的技术方案是，提供一种功率均衡、梳距可调、梳线纯净的宽带微波频率梳产生装置，该装置包括：种子频率梳模块，第一光分束器，第二半导体激光器，光脉冲注入模块，光环形器oc，微波频率梳探测模块。

其中，种子频率梳模块，采用直接调制第一半导体激光器产生种子频率梳，为后续获得功率均衡、梳距可调、梳线纯净的宽带优质微波频率梳信号提供种子源；第一光分束器，用于将种子频率梳信号分路；第二半导体激光器，用于产生宽带优质微波频率梳信号，含射频调制端口，其温度及电流受高精度的温控及电流源所控制；光脉冲注入模块，用于将种子频率梳单向注入到第二半导体激光器中，其输入端、输出端分别与第一光分束器、光环形器连接；光环形器,用于将种子频率梳注入到第二半导体激光器，同时将第二半导体激光器的信号输出到微波频率梳探测模块进行探测，为三端口器件；微波频率梳探测模块，用于探测种子频率梳和第二半导体激光器输出的宽带优质微波频率梳的性能。

具体为，一种产生宽带微波频率梳的装置，包括：种子频率梳模块，第一光分束器，光脉冲注入模块，光环形器，第二半导体激光器，其中，种子频率梳模块中信号源直接调制第一半导体激光器dfb-sl1产生种子频率梳信号；第一光分束器fc1将种子频率梳信号分成两路，其中一路信号进入光脉冲注入模块，另一路信号进入微波频率梳探测模块，光脉冲注入模块的输出信号通过光环形器oc将种子频率梳信号单向注入到第二半导体激光器dfb-sl2，第二半导体激光器dfb-sl2输出梳距连续可调、梳线从低频到高频均十分平坦的宽带、纯净微波频率梳信号。

进一步地，该装置还包括微波频率梳探测模块，用于探测种子频率梳和第二半导体激光器输出的微波频率梳的性能，包括：第三光分束器fc3、第一光电探测器pd1、第二光电探测器pd2、数字示波器osc、频谱分析仪esa，第一半导体激光器dfb-sl1或第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳信号通过第三光分束器fc3分成两路，两路微波频率梳信号分别经第一光电探测器pd1和第二光电探测器pd2转换为电信号后，输入数字示波器osc和频谱分析仪esa，数字示波器探测微波频率梳的时间序列，频谱分析仪探测微波频率梳的功率谱及单边带相位噪声。

优选地，种子频率梳模块中信号源输出调制频率fm和调制功率pm均可调的调制信号，直接电流调制第一半导体激光器dfb-sl1的工作电流，第一半导体激光器dfb-sl1输出一个梳距随fm改变的微波种子频率梳信号。

进一步地，光脉冲注入模块包括：掺铒光纤放大器edfa、偏振控制器pc、可变光衰减器va、第二光分束器fc2、光功率计pm，掺铒光纤放大器edfa放大第一半导体激光器dfb-sl1产生的种子频率梳信号；偏振控制器pc匹配第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2的偏振态；可变光衰减器va调节注入的种子频率梳信号功率的大小后输入光环形器oc单向注入种子频率梳到第二半导体激光器dfb-sl2。

本发明还提供一种产生宽带微波频率梳的方法，包括步骤，信号源mfs输出调制频率fm和调制功率pm均可调的调制信号，直接调制第一半导体激光器dfb-sl1的工作电流，使第一半导体激光器dfb-sl1输出一个梳距可调的微波种子频率梳，输入第一光分束器fc1；fc1将种子频率梳分成两路，其中一路信号进入微波频率梳探测模块，另一路信号进入光脉冲注入模块，光脉冲注入模块对微波种子频率梳进行放大、偏振、分路处理后通过光环形器单向注入到第二半导体激光器dfb-sl2中，促使第二半导体激光器dfb-sl2输出梳距连续可调、梳线从低频到高频均十分平坦的宽带、纯净微波频率梳信号。

通过调节调制信号的频率fm和功率pm，直接电流调制第一半导体激光器dfb-sl1输出规则脉冲信号，产生种子频率梳；第一半导体激光器dfb-sl1输出的规则脉冲信号被分成两路，一路输入到微波频率梳探测系统监测种子频率梳的性能，另一路通过光脉冲注入系统及光环形器单向注入到第二半导体激光器dfb-sl2中，利用光注入引起的频谱扩展效应，通过调整光脉冲注入参数的变化范围，改变第二半导体激光器dfb-sl2产生微波频率梳的带宽，第二半导体激光器dfb-sl2能够输出功率均衡、梳线纯净、频率稳定的宽带微波频率梳信号，该优质频率梳信号能够从微波频率梳探测系统中观察。同时，由于种子频率梳的梳距能够简单地通过改变调制信号的频率fm进行连续调节，这导致基于光脉冲注入的第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的梳距也能够大范围地连续改变。进一步地，通过调节第一半导体激光器dfb-sl1的控制温度与偏置电流，可以改变自由运行的第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2之间的频率失谐。

本发明采用光脉冲注入的频谱优化结构，产生梳距大范围连续可调、梳线从低频到高频均十分平坦的宽带、纯净微波频率梳。可以获得频率覆盖67ghz高频，且在低频0ghz至高频33.6ghz范围内，梳线功率十分均衡的宽带微波频率梳；所获微波频率梳的梳线纯净、频率稳定，梳线线宽低至1hz以下，且在低频0ghz至高频33.6ghz范围内的所有梳线的相位噪声均低于-90.9dbc/hz@10khz；系统结构简单，操作方便。仅仅通过简单地改变调制信号的频率fm，就能连续调节微波频率梳的梳距，微波频率梳的梳距能在250khz至20ghz的大范围内连续改变，且在1.0ghz至5.5ghz连续可调的梳距范围内，能够获得带宽超过21.0ghz的宽带纯净微波频率梳。

附图说明

图1为本发明微波频率梳产生装置的基本结构示意图；

图2为本发明微波频率梳产生装置一个优选实施例的结构示意图；

图3为第一半导体激光器dfb-sl1输出的种子频率梳的频谱图(a)和第二半导体激光器dfb-sl2输出的宽带微波频率梳的频谱图(b)；

图4为第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳在10khz频偏处的单边带相位噪声图；

图5为四个不同调制频率fm下，第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的频谱图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实例对本发明的实施作进一步说明，

直接电流调制第一半导体激光器dfb-sl1输出规则脉冲信号，产生一个种子频率梳，该种子频率梳的梳线功率不均衡、带宽较小，规则脉冲信号被第一光分束器fc1分成两路，一路输入微波频率梳探测系统监测种子频率梳的性能，另一路通过光脉冲注入系统及光环形器单向注入第二半导体激光器dfb-sl2，利用光注入引起的频谱扩展效应，第二半导体激光器dfb-sl2输出功率均衡、梳线纯净、频率稳定的宽带微波频率梳信号。由于种子频率梳的梳距能够简单地通过改变调制信号的频率fm进行连续调节，因此基于光脉冲注入的第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的梳距也能够大范围连续调节。

通过调节调制信号的频率fm和功率pm，使第一半导体激光器dfb-sl1输出规则脉冲信号，产生种子频率梳。通过调节光脉冲注入模块中的可调光衰减器va，每次以固定的步进(如10μw)增加注入光功率，当注入功率在预定阈值(160μw～2710μw)之间变化时，第二半导体激光器dfb-sl2输出微波频率梳的带宽随注入功率而改变。通过调节高精度低噪声的第一半导体激光器dfb-sl1驱动源的温度及电流，促使自由运行第一半导体激光器dfb-sl1的波长发生变化，从而使得第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2之间的频率失谐改变。

图1所示为本发明微波频率梳产生装置的基本结构示意图，该装置包括：种子频率梳模块，第一光分束器，光脉冲注入模块，光环形器，第二半导体激光器。为测试微波频率梳产生装置产生的微波频率梳的性能，还可增加微波频率梳探测模块，对本装置输出的微波频率梳进行检测。

种子频率梳模块为获得功率均衡、梳距可调、梳线纯净的宽带优质微波频率梳信号提供种子频率梳源，信号源mfs输出的调制信号直接电流调制第一半导体激光器dfb-sl1的工作电流，改变调制信号的调制频率fm和调制功率pm，驱使第一半导体激光器dfb-sl1输出一个梳距随fm变化的微波频率梳的种子源(种子频率梳)，该种子频率梳的带宽较小、功率不均衡；种子频率梳经第一光分束器后分成两路，第一光分束器输出的其中一路种子频率梳信号进入光脉冲注入模块，另一路种子频率梳信号输出到微波频率梳探测模块，光脉冲注入模块的输出端连接光环形器的第1端口，通过光环形器将种子频率梳单向注入到第二半导体激光器(dfb-sl2)中，利用光注入引起的带宽增强效应，促使第二半导体激光器dfb-sl2输出梳距连续可调、梳线从低频到高频均十分平坦的宽带、纯净微波频率梳信号。第二半导体激光器含射频调制端口，其温度及电流受高精度温控及电流源所控制，用于产生优质微波频率梳信号。

第一半导体激光器dfb-sl1的温度及电流受高精度的温控及电流源所控制，在信号源mfs输出的调制功率pm较大的电流调制作用下，第一半导体激光器dfb-sl1输出规则脉冲态，用于产生功率不均衡、带宽小的种子频率梳。

光环形器包括沿光传输方向依次相邻排列的第1端口至第3端口，其中第1端口连接光脉冲注入模块，第2端口连接第二半导体激光器dfb-sl2，第3端口连接微波频率梳探测模块，光脉冲注入模块输出的光脉冲信号通过光环形器的第2端口将种子频率梳注入到第二半导体激光器dfb-sl2中，从第二半导体激光器dfb-sl2产生优质微波频率梳信号，为对微波频率梳的性能进行检测，本发明还设置微波频率梳探测模块检测种子频率梳和第二半导体激光器dfb-sl2输出的优质微波频率梳的性能。

光脉冲注入模块可包括：掺铒光纤放大器edfa、偏振控制器pc、可变光衰减器va、光功率计pm、第二光分束器fc2。

掺铒光纤放大器edfa放大从第一光分束器fc1其中一个端口分出的光脉冲信号，偏振控制器pc匹配第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2的偏振态，可变光衰减器va调节注入到第二半导体激光器dfb-sl2的光功率大小，第二光分束器fc2将注入光脉冲分成两部分，其中一部分光脉冲进入光功率计pm，光功率计pm测量注入到第二半导体激光器dfb-sl2的光功率大小，其余部分光脉冲输入光环形器oc，单向注入种子频率梳到第二半导体激光器dfb-sl2。

微波频率梳探测模块包括：第三光分束器fc3、第一光电探测器pd1、第二光电探测器pd2、数字示波器osc、频谱分析仪esa，第三光分束器fc3将第二半导体激光器dfb-sl2的输出分成左、右两路，左路光信号输入第一光电探测器pd1转换为电信号，右路光信号输入第二光电探测器pd2转换为电信号，pd1、pd2输出的电信号分别输入数字示波器osc和频谱分析仪esa，探测微波频率梳的时间序列、功率谱及单边带相位噪声。

为了便于理解，下面以本发明微波频率梳产生装置的一个优选实施例来对本发明技术方案进行进一步详细说明。图2显示了本发明微波频率梳生成装置一个优选实施例的具体结构，该装置包括：信号源mfs、第一半导体激光器dfb-sl1、第一光分束器fc1、掺饵光纤放大器edfa、偏振控制器pc、可变光衰减器va、第二光分束器fc2、光功率计pm、光环形器oc、第二半导体激光器dfb-sl2、第三光分束器fc3、第一光电探测器pd1、第二光电探测器pd2、数字示波器osc、频谱分析仪esa。

信号源mfs提供的调制信号对第一半导体激光器dfb-sl1的电流进行调制，产生种子频率梳，dfb-sl1输出的种子频率梳进入第一光分束器fc1，fc1输出的其中一部分进入掺铒光纤放大器edfa，fc1输出的另一部分从链路1line1通过第三光分束器fc3分路后，其中一部分进入第一光电探测器pd1转换为电信号后输入数字示波器osc检测时间序列，另外一部分进入第二光电探测器pd2转换为电信号后输入频谱分析仪esa进行频谱分析和相噪分析；

掺饵光纤放大器edfa的输出进入偏振控制器pc，通过可变光衰减器va调节注入种子频率梳的光功率后输入第二光分束器fc2，fc2输出的其中一部分(如10％)进入光功率计pm测量注入到第二半导体激光器dfb-sl2的光功率大小，fc2输出的其余部分(如90％)进入光环形器oc的第1端口，通过oc的第2端口单向注入种子频率梳到第二半导体激光器dfb-sl2，oc的第3端口输出信号从链路2line2进入第三光分束器fc3分路，分路后其中一部分进入第一光电探测器pd1转换为电信号后输入数字示波器osc进行时间序列检测，分路后的另一部分进入第二光电探测器pd2转换为电信号后输入频谱分析仪esa进行频谱测量和相噪测量。

优选地，在具体实施中装置的各部分可采用以下的器件，也可采用其他的型号和具有相似功能的部件，第一半导体激光器dfb-sl1采用调制带宽10ghz的高速直接调制分布式反馈半导体激光器,其中心波长为1550nm；信号源mfs采用e8257c型模拟信号发生器,其频率范围250khz至20ghz可调，其功率范围-135dbm至25dbm可调；第一光分束器fc1采用10:90的光纤耦合器；掺饵光纤放大器edfa采用功率放大或增益放大可选的普通商用掺饵光纤放大器；偏振控制器pc采用普通的商用偏振控制器；可变光衰减器va采用1550nm波长的可调光衰减器；光环形器oc采用三端口光环形器；第二光分束器fc2采用10:90的光纤耦合器；光功率计pm采用带pm100d表头的s155c光纤功率传感器；第二半导体激光器dfb-sl2采用调制带宽10ghz的高速直接调制分布式反馈半导体激光器,其中心波长为1550nm；第三光分束器fc3采用10:90的光纤耦合器；第一光电探测器pd1采用12ghz带宽的newfocus1544-b光电探测器；第二光电探测器pd2采用50ghz带宽的u2t-xpdv2150r光电探测器；数字示波器osc采用16ghz带宽的agilentx91604a数字实时示波器；频谱分析仪esa采用67ghz带宽的fsw频谱分析仪。

两只调制带宽10ghz的高速直接调制分布式反馈半导体激光器分别被用作第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2，它们的电流及温度受两个高精度低噪声的激光器驱动源(ilx-lightwave,ldc-3724c)所控制，其电流的控制精度为0.01ma，温度的控制精度为0.01℃。在实施过程中，如第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2的温度分别稳定在20.86℃和21.19℃，电流分别稳定在18.70ma和25.00ma，在上述温度及电流条件下，自由运行的第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2的弛豫振荡频率分别为7.60ghz和8.20ghz，它们之间的频率失谐δf为0ghz。

首先，我们采用一个外部的信号源mfs去调制第一半导体激光器dfb-sl1的驱动电流，通过调节信号源mfs输出信号的频率fm和功率pm，使第一半导体激光器dfb-sl1工作在规则脉冲态，进而产生种子频率梳。然后，第一半导体激光器dfb-sl1输出的光脉冲信号被10:90的第一光分束器fc1分成两部分，90％的部分通过线路1进入微波频率梳探测系统去测试种子频率梳的性能，另外10％的部分经过掺铒光纤放大器edfa、偏振控制器pc、可变光衰减器va、第二光分束器fc2、光环形器oc后被单向注入到第二半导体激光器dfb-sl2中。其中，线路中的可变光衰减器va用于调节注入光功率pi的大小，该注入功率由光功率计pm测量。第二半导体激光器dfb-sl2的输出经过光环形器oc和线路2后进入微波频率梳探测系统。在微波频率梳探测系统部分，第一半导体激光器dfb-sl1和第二半导体激光器dfb-sl2输出的光信号被第一光电探测器pd1和第二光电探测器pd2转换为电信号后，由频谱分析仪esa观测它们输出的功率谱及单边带相位噪声，数字示波器osc记录它们输出的时间序列。

以下结合实例对本发明作进一步阐述。

图3为第一半导体激光器dfb-sl1输出的种子频率梳的频谱图(a)和第二半导体激光器dfb-sl2输出的宽带微波频率梳的频谱图(b)，图4为第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳在10khz频偏处的单边带相位噪声图，图5为四个不同调制频率fm下，从第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的频谱图。为便于对发明技术方案的理解，实施例选取以下相关参数为例对其进行分析说明。

第一半导体激光器dfb-sl1的温度稳定在20.86℃，电流控制在18.70ma；第二半导体激光器dfb-sl2的温度稳定在21.19℃，电流控制在25.00ma，在上述温度及电流条件下，自由运行的第一半导体激光器dfb-sl1的输出功率为1.27mw，输出波长为1549.106nm，弛豫振荡频率为7.60ghz；第二半导体激光器dfb-sl2的输出功率为0.71mw，输出波长为1549.106nm，弛豫振荡频率为8.20ghz；同时，两个激光器之间的频率失谐δf为0ghz。

图3显示调制频率fm＝1.2ghz、调制功率pm＝22dbm时，第一半导体激光器dfb-sl1输出的种子频率梳的频谱图(a)和注入强度pi＝2060μw时，第二半导体激光器dfb-sl2输出的宽带微波频率梳的频谱图(b)。其中，频谱分析仪esa的分辨率带宽为100khz。从图3(a)中可以看出，在(fm,pm)＝(1.2ghz,22dbm)的调制参数下，直接电流调制的第一半导体激光器dfb-sl1能够产生种子频率梳，但该种子频率梳的低频梳线幅度明显高于其他高频梳线幅度，这导致种子频率梳的功率极不均衡，带宽较小，只有14.4ghz(在±5db的幅度变化范围内)。在图3(b)中，进一步把种子频率梳注入到第二半导体激光器dfb-sl2，在pi＝2060μw的注入功率下，第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的性能得到明显提升，微波频率梳的梳线更加平坦，功率更加均衡，带宽扩展到了33.6ghz(从低频0ghz到高频33.6ghz(在±5db的幅度变化范围内))。

图4显示调制频率fm＝1.2ghz、调制功率pm＝22dbm，注入强度pi＝2060μw时，第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳在10khz频偏处的单边带相位噪声。图4显示图3(b)中所获微波频率梳的第一条梳线、第五条梳线、第十条梳线、第十五条梳线、第二十条梳线、第二十五条梳线、第三十条梳线的10khz频偏处的单边带相位噪声。从图4可以看出，在光脉冲注入后，从第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的单边带相位噪声均低于-90.9dbc/hz@10khz，这表明本发明能够产生梳线纯净、频率稳定的微波频率梳信号。

图5显示注入强度pi＝2060μw、调制功率pm＝22dbm时，四个不同调制频率fm下，从第二半导体激光器dfb-sl2输出的微波频率梳的频谱图。从图5可以看出，随着调制频率fm的增加，微波频率梳的梳距、梳线条数以及幅度平坦度随其变化，且微波频率梳的梳距等于调制频率fm的大小。在图5(a)中，fm＝0.5ghz时，微波频率梳的梳距为0.5ghz，此时微波频率梳的低频梳线功率明显高于其他高频梳线功率，这导致微波频率梳具有极小的带宽，带宽只有1.5ghz。在图5(b)、5(c)和图5(d)中，当fm分别为1.2ghz、2.2ghz和3.9ghz时，微波频率梳的梳距对应为1.2ghz、2.2ghz和3.9ghz，此时微波频率梳的高频梳线拥有更强的功率，这使得微波频率梳具有更平坦的幅度和更大的带宽，带宽分别为33.6ghz、30.8ghz和31.2ghz。这表明本发明能够在连续可调的梳距范围内获得宽带的微波频率梳。

综上所述，该试验充分验证了本发明技术方案所具有的优异效果，其不但可以产生从低频梳线至高频梳线均十分平坦的宽带微波频率梳；且所产生的微波频率梳具有纯净的梳线特性，其梳线线宽低于1hz，单边带相位噪声低于-90.9dbc/hz@10khz；同时所获微波频率梳存在大范围连续可调的梳距区域，在该梳距区域内，我们能够获得超宽带的优质纯净微波频率梳信号。本发明技术方案所产生的微波频率梳即可适用于常用低频段(0.5～3ghz)密集微波通信，也可以满足高频段高速微波通信的需求，解决了目前微波技术的难题。