技术特征：
技术总结
提供了包括二维材料的装置，所述装置包括：基底；第一电极，位于基底上；绝缘图案，位于基底上；第二电极，位于绝缘图案的上端上；二维(2D)材料层，位于绝缘图案的侧表面上；栅极绝缘层，覆盖2D材料层；以及栅电极，接触栅极绝缘层。绝缘图案在与基底基本垂直的方向上从第一电极延伸。2D材料层包括与绝缘图案的侧表面基本平行的至少一个原子层的2D材料。
技术研发人员：朴台镇;金真范;金奉秀;李圭弼;洪亨善;黄有商
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.09.04
技术公布日：2019.03.05