技术特征：
技术总结
本发明涉及一种功率器件终端结构及其制作方法，所述方法包括：在第一导电类型的外延层上表面形成至少一个沟槽；在所述沟槽侧壁及底部形成第二导电类型的注入区；在所述注入区表面形成第一隔离层；在所述沟槽底部的第一隔离层上方淀积第一导电类型的埋层；在所述埋层上表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层上方淀积第一导电类型的多晶硅层，以将所述沟槽填满；在所述外延层表面形成第三隔离层。本发明的所述功率器件的终端结构的耐压高，占用芯片的面积更小，器件成本低。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市心版图科技有限公司
技术研发日：2018.09.18
技术公布日：2019.01.11