半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一晶体管，其包括第一栅极叠层；第二晶体管，其包括比第一栅极叠层具有更窄宽度的第二栅极叠层；以及虚设栅极叠层，其设置在第一栅极叠层和第二栅极叠层周围，其中，虚设栅极叠层包括氧吸收层，该氧吸收层用于捕获从外部扩散到第一栅极叠层和第二栅极叠层中的氧原子。

技术研发人员：李殷星
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2018.09.28
技术公布日：2019.06.25