半导体器件的制作方法
【专利说明】半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年9月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0128433的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过弓|用合并于此。
技术领域
[0003]本发明的实施例大体涉及一种半导体集成电路，更具体地，在一个或更多个实施例中，涉及一种半导体器件。
【背景技术】
[0004]电连接到外部电源电压的半导体器件使用从外部电源电压产生的内部电压来操作。
[0005]半导体器件包括晶体管，所述晶体管可以根据施加到其的内部电压而处于各种状况(例如，切断、有效或饱和)中的一种。然而，晶体管的特性可以随着温度的变化而变化。例如，即使正施加到栅极和源极的内部电压保持恒定，在晶体管的漏极和源极之间流动的电流仍可以随着温度的变化而变化，并且这种变化可以引起半导体器件发生故障。
[0006]因此，如果根据温度来调节内部电压的电压电平，则可以降低发生故障的机会。
【发明内容】
[0007]在本发明的一个实施例中，半导体器件包括:控制块，其响应于使能信号和加热控制信号，产生第一控制信号、第二控制信号和加热使能信号；温度测量块，其响应于第一控制信号和第二控制信号，产生与温度相对应的温度码；加热器，其在加热使能信号的使能时段中产生热量；编码锁存块，其响应于第一控制信号和第二控制信号锁存温度码，并输出第一编码和第二编码；控制码发生电路，其将第一编码和第二编码的操作结果与预设码相比较，并产生控制码；以及参考电压发生电路，其响应于控制码，改变参考电压的电压电平。
[0008]在本发明的一个实施例中，半导体器件包括:温度码发生电路，其响应于使能信号，产生与加热器操作之前的温度相对应的第一编码并产生与加热器操作之后的温度相对应的第二编码；控制码发生电路，其响应于第一编码和第二编码，产生控制码；以及参考电压发生电路，其产生具有与控制码相对应的电压电平的参考电压。
【附图说明】
[0009]结合附图描述特征、方面和实施例，在附图中:
[0010]图1是根据本发明的一个实施例的半导体器件的配置图；
[0011]图2是图1的控制块的配置图；
[0012]图3是图1的编码锁存块的配置图；
[0013]图4是图1的参考电压发生电路的配置图；
[0014]图5是用于解释根据本发明的一个实施例的半导体器件的时序图；
[0015]图6是用于解释根据本发明的一个实施例的半导体器件的示图。
【具体实施方式】
[0016]图1是根据本发明的一个实施例的半导体器件的配置图。
[0017]如图1中所示，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括温度码发生电路100、控制码发生电路200和参考电压发生电路300。
[0018]温度码发生电路100可以响应于使能信号EN，产生与加热器130操作之前的温度相对应的第一编码Code_l以及产生与加热器130的加热操作之后的温度相对应的第二编码 Code_20
[0019]在本发明的一个实施例中，温度码发生电路100包括:控制块110、温度测量块120、加热器130和编码锁存块140。
[0020]控制块110可以响应于使能信号EN，产生第一控制信号Ctrl_l、第二控制信号Ctrl_2和加热使能信号H_EN。第一控制信号Ctrl_l和第二控制信号Ctrl_2可以用于控制温度测量块120和编码锁存块140。加热使能信号H_EN可以用于控制加热器130。例如，控制块110在使能信号EN被使能时使能第一控制信号Ctrl_l，在第一控制信号Ctrl_l被禁用之后使能加热使能信号H_EN，以及在加热使能信号H_EN被禁用时使能第二控制信号Ctrl_20可以响应于加热控制信号H_ctrl确定加热使能信号H_EN的时间段(例如，加热使能信号H_EN被使能多长时间)。
[0021]温度测量块120产生温度码T_Code，每个温度码与特定温度相对应。例，当第一控制信号Ctrl_l和第二控制信号Ctrl_2中任意一个被使能时，温度测量块120产生温度码T_Code。在本发明的一个实施例中，当第一控制信号Ctrl_l被使能时，温度测量块120产生与第一温度值相对应的温度码T_Code，并且当第二控制信号Ctrl_2被使能时，温度测量块120产生与第二温度值相对应的温度码T_Code。
[0022]加热器130可以在加热使能信号H_EN被使能时产生热量。
[0023]编码锁存块140可以响应于第一信号Ctrl_l和第二信号Ctrl_2储存温度码T_code，并输出第一编码Code_l和第二编码Code_2。例如，编码锁存块140可以输出储存的温度码T_code作为第一编码Code_l和第二编码Code_2。例如，当第一控制信号Ctrl_l被使能时，编码锁存块140储存温度码T_Code并输出第一编码Code_l，以及当第二控制信号Ctrl_2被使能时，编码锁存块140储存温度码T_Code并输出第二编码Code_2。
[0024]控制码发生电路200可以响应于第一编码Code_l和第二编码Code_2，产生控制码Ctrl_code。例如，控制码发生电路200可以通过对第一编码Code_l和第二编码Code_2执行操作而产生信号，以及通过将该信号与预设码Code_pre相比较而产生控制码Ctrl_codeD
[0025]在本发明的一个实施例中，控制码发生电路200包括相减块210和比较块220。
[0026]相减块210可以对第一编码Code—1和第二编码Code—2执行相减操作，并产生相减码 Code—sub。
[0027]比较块220将相减码Code—sub与预设码Code—pre相比较，并产生控制码Ctrl—codec例如，当相减码Code—sub等于预设码Code—pre时，比较块220产生具有预设值的控制码Ctrl—code，并且当预设码Code—pre的编码值不等于相减码Code—sub时，比较块220产生具有比预设值小或比预设值大的值的控制码Ctrl_COde。
[0028]参考电压发生电路300响应于控制码Ctrl_code，产生具有电压电平的参考电压Vref。例如，参考电压Vref可以具有与控制码Ctrl_code相对应的电压电平。
[0029]如图2中所示，根据本发明的一个实施例的控制块110包括第一控制信号发生单元111、加热使能信号发生单元112和第二控制信号发生单元113。
[0030]当使能信号EN被使能时，第一控制信号发生单元111可以使能第一控制信号Ctrl_l0例如，当使能信号EN被使能时，第一控制信号发生单元111产生被使能预定时间的第一控制信号Ctrl_l。
[0031]在本发明的一个实施例中，第一控制信号发生单元111包括第一延迟部111-1、第一反相器IV1和第二反相器IV2以及与非(NAND)门ND1。第一延迟部111-1可以接收使能信号EN并输出延迟的使能信号EN。第一反相器IV1可以接收第一延迟部111-1的输出信号。NAND门ND1可以接收使能信号EN以及第一反相器IV1的输出信号。NAND门ND1可以对使能信号EN与第一反相器IV1的输出信号执行NAND操作。第二反相器IV2接收NAND门ND1的输出信号并输出第一控制信号Ctrl_l。
[0032]当在第一控制信号Ctrl_l被禁用之后已经经过预定时间时，加热使能信号发生单元112可以使能加热使能信号H_EN。可以响应于加热控制信号H_ctrl确定持续时间，在该持续时间期间加热使能信号H_EN保持使能。
[0033]在本发明的一个实施例中，加热使能信号发生单元112包括第二延迟部112-1、可变延迟部112-2、第三反相器IV3和第一或非(N0R)门N0R1。第二延迟部112-1可以接收第一控制信号Ctrl_l并输出延迟的第一控制信号Ctrl_l。可变延迟部112-2可以将延迟的第一控制信号Ctrl_l延迟。可变延迟部112-2处的延迟时间可以根据加热控制信号H_ctrl而变化。第三反相器IV3可以接收可变延迟部112-2的输出信号。第一 N0R门N0R1可以接收第二延迟部112-1的输出信号和第三反相器IV3的输出信号，并输出加热使能信号H_EN。可变延迟部112-2可以包括第三延迟部112-2-1和第四延迟部112-2-2以及信号选择部分112-2-3。第三延迟部112-2-1可以接收第二延迟部112-1的输出信号。第四延迟部112-2-2可以接收第三延迟部112-2-1的输出信号。信号选择部分112-2-3可以响应于加热控制信号1(3壮1，将第三延迟部112-2-1的输出信号和第四延迟部112-2-2的输出信号中的一个输出给第三反相器IV3。
[0034]可以根据加热控制信号H_ctrl确定可变延迟部112-2的延迟时间，并且延迟时间可以对应于加热使能信号H_EN被使能的时段的持续时间。
[0035]当已处于逻辑高状态的加热使能信号H_EN变成逻辑低时，第二控制信号发生单元113可以使能第二控制信号Ctrl_2。
[0036]第二控制信号发生单元113可以包括第五延迟部113-1、第四反相器IV4和第二N0R门N0R2。