技术特征：
技术总结
本发明涉及一种异质半导体结构及其制造方法。该异质半导体结构包括第一集成电路和第二集成电路，第二集成电路是光子集成电路。该异质半导体结构可以通过以倒装芯片的方式将多层源管芯接合到第一集成电路、去除源管芯的衬底、以及使用蚀刻和/或沉积工艺在源管芯上制造一个或更多个部件以形成第二集成电路来制造。第二集成电路可以包括由立方相镓氮化物化合物制成的部件，并且被配置为在短于450nm的波长下工作。
技术研发人员：D.卡罗瑟斯
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.10.18
技术公布日：2019.05.24