有机发光显示设备的制作方法
本发明的实施例涉及一种有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术：
有机发光二极管(oled)显示设备通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。oled显示设备是当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合至其后逐渐消失的激发态来发光。
与其他类型的显示装置相比，由于其诸如功耗相对低、亮度相对高以及响应速度相对快的高质量特性，oled显示设备作为下一代显示器而备受关注。
技术实现要素：
本发明的实施例提供了一种具有优异的显示质量的有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括与源电极和漏电极位于同一层上的第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层；保护层，位于像素电极和第一绝缘层之间；第四绝缘层，在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口，第四绝缘层覆盖焊盘电极的端部；发射层，位于像素电极上；以及相对电极，位于发射层上。
保护层可以包括与第二焊盘层的材料相同的材料。
第二焊盘层可以包括透明导电氧化物。
透明导电氧化物可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的一种或更多种。
保护层的厚度可以在
源电极和栅电极可以具有电子迁移率不同的多个异质导电层的堆叠结构。
源电极和漏电极可以包括包含钼的层和包含铝的层。
源电极和漏电极可以包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。
所述有机发光显示设备还可以包括：电容器，包括与有源层位于同一层上的第一电极和与栅电极位于同一层上的第二电极。
电容器的第一电极可以包括利用离子杂质掺杂的半导体材料。
电容器的第二电极可以包括透明导电氧化物。
电容器还可以包括与源电极和漏电极位于同一层上的第三电极。
所述有机发光显示设备还可以包括：像素电极接触单元，通过形成在第三绝缘层中的接触孔电结合在像素电极与源电极和漏电极中的一个之间，其中，像素电极接触单元可以包括：第一接触层，包括与源电极和漏电极的材料相同的材料；第二接触层，包括与第二焊盘层的材料相同的材料；以及第三接触层，位于第一绝缘层和第二绝缘层中并包括与电容器的第二电极的材料相同的材料，其中，第一接触层通过形成在第二绝缘层中的接触孔电结合到第三接触层。
像素电极接触单元还可以包括位于第一绝缘层和第三绝缘层之间并包括与栅电极的材料相同的材料的第四接触层。
所述有机发光显示设备还可以包括：电容器，包括与栅电极位于同一层上的第一电极和与源电极和漏电极位于同一层上的第二电极。
电容器的第一电极可以包括与栅电极的材料相同的材料。
电容器的第二电极可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
第二绝缘层可以设置在第一电极和第二电极之间，第二电极可以设置在形成在第二绝缘层中的沟槽中。
第一焊盘层可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
半透射导电层可以包括银(ag)或银合金。
第一透明导电氧化物层可以进一步堆叠在像素电极和保护层之间。
第二透明导电氧化物层可以进一步堆叠在像素电极的上部上。
第二绝缘层中的开口、第三绝缘层中的开口和第四绝缘层中的开口彼此叠置，其中，第三绝缘层中的开口的宽度比形成在第四绝缘层中的开口的宽度大，并且比形成在第二绝缘层中的开口的宽度小。
像素电极的端部可以在形成在第三绝缘层中的开口的顶端上。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的实施例的上述和其他特征和方面将变得更清楚，其中：
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据本发明的实施例的有机发光显示设备的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图；
图3a至图3i是示出根据本发明的实施例的制造图1的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；
图4是示出根据本发明的实施例的在相同的条件下在涂覆保护层之前和之后有机发光显示设备的暗点缺陷的数量的曲线图；
图5是示出相对于保护层的厚度的y彩色坐标与蓝色发射层的效率之间的关系的曲线图；
图6是示出根据对比示例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图7a至图7i是示出根据对比示例的制造图6的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；
图8是示出根据本发明的另一实施例的有机发光显示设备的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图；
图9a至图9i是示出根据本发明的另一实施例的制造图8的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；以及
图10是示出根据本发明的另一实施例的有机发光显示设备的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明的实施例，从而使本领域普通技术人员能够没有任何困难地执行本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施并且不应被解释为局限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域普通技术人员充分地传达本发明的构思。
此外，省略附图中与具体实施方式无关的部件，以确保本发明的清楚性。在附图中同样的附图标记表示同样的元件。
在各个实施例中，在第一实施例中示例性地解释了由相同的附图标记表示的具有相同结构的元件，将在其他实施例中解释与第一实施例中的结构不同的结构。
此外，为了便于解释，随意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此元件的尺寸和厚度不限于所示出的那些。
在附图中为了清晰起见，放大了各个层和区域。在附图中，为了易于解释，夸大了一些层和区域的厚度。另外将理解的是，当层、膜、区域或板被称为“在”另一层、膜、区域或板“上”时，其可以直接在所述另一层、膜、区域或板上，或者其之间也可以存在中间的层、膜、区域或板。
除非上下文另外指出，否则词语“包括”或诸如“包含”或“具有”的变形被理解为是指“包括但不限于”，从而也可以包括没有明确提及的其他元件。另外，将理解的是，术语“上”包括“上方”和“下方”两个方向，而不限于沿重力方向的“上方”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述与一系列元件(要素)一起使用时，修饰整个系列的元件(要素)，而不是仅修饰所述系列中的单个元件(要素)。
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光显示设备1的示意性平面图。图2是示出根据本发明的实施例的有机发光显示设备1的多个焊盘pad和多个像素p的一部分的示意性剖视图。
参照图1，包括多个像素p并显示图像的显示区da设置在根据本发明的实施例的有机发光显示设备1的基板10上。显示区da形成在密封线sl中并且包括沿着密封线sl密封显示区da的密封构件(未示出)。
参照图2，包括至少一个有机发射层121的像素区pxl1、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区tr1、包括至少一个电容器的电容器区cap1以及焊盘区pad1设置在基板10上。
薄膜晶体管的有源层212设置(例如，形成、沉积或布置)在基板10上，缓冲层11被包括(例如，形成或沉积)在晶体管区tr1中。
基板10可以是透明基板，例如，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)和聚酰亚胺的透明基板以及玻璃基板。
缓冲层11形成平面表面并防止杂质元素穿透至基板10中，并且可以延伸横跨基板10的表面。缓冲层11可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的多层结构或单层结构。
位于缓冲层11上的有源层212被包括(例如，形成、沉积或放置)在晶体管区tr1中。有源层212可以由合适的半导体材料(例如，非晶硅或晶体硅)形成。有源层212可以包括沟道区212c、设置在沟道区212c的外部中并且掺杂有离子杂质的源区212a以及漏区212b。有源层212不限于非晶硅或晶体硅，并且可以包括氧化物半导体或其他合适的半导体材料。
栅电极215在与有源层212的沟道区212c相对应(例如，与有源层212的沟道区212c的至少一部分叠置对齐或垂直对齐)的位置中设置在有源层212上，并且作为绝缘膜的第一绝缘层13形成(设置或沉积)在栅电极215和有源层212之间。栅电极215可以具有包括从由铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)组成的组中选择的一种金属材料或更多种金属材料的单层结构或多层结构。
分别结合到有源层212的源区212a和漏区212b的源电极217a和漏电极217b设置在栅电极215上，并且作为层间绝缘膜的第二绝缘层16在源电极217a和漏电极217b与栅电极215之间。源电极217a和漏电极217b中的每个可以包括具有不同电子迁移率的两个或更多个异质金属层的结构。例如，源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有包括从由al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w、cu和这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层或更多层结构。
第三绝缘层19设置在第二绝缘层16上以覆盖源电极217a和漏电极217b。
第一绝缘层13和第二绝缘层16可以包括单层无机绝缘膜或多层无机绝缘膜。形成第一绝缘层13和第二绝缘层16的无机绝缘膜可以包括诸如sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zro2、bst或pzt等的合适的绝缘材料。
第三绝缘层19可以包括有机绝缘膜。第三绝缘层19可以包括通用的聚合物(例如，pmma、ps)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者这些或相似的材料的合适的共混物。
第四绝缘层20设置在第三绝缘层19上。第四绝缘层20可以包括有机绝缘膜。第四绝缘层20可以包括通用聚合物(pmma、ps)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者这些或相似的材料的合适的共混物。
像素区pxl1中包括设置在缓冲层11和第一绝缘层13上的像素电极120。
像素电极120设置在形成在第三绝缘层19中的开口c5中。
形成在第三绝缘层19中的开口c5比形成在第四绝缘层20中的开口c8大，并且比形成在第二绝缘层16中的开口c1小。形成在第二绝缘层16中的开口c1、形成在第三绝缘层19中的开口c5和形成在第四绝缘层20中的开口c8彼此叠置。
像素电极120的端部位于形成在第三绝缘层19中的开口c5的顶端上并且被第四绝缘层20覆盖。同时，位于形成在第三绝缘层19中的开口c5中的像素电极120的顶表面暴露至形成在第四绝缘层20中的开口c8。
像素电极120包括半透射导电(例如，电传导)层120b。像素电极120还可以包括分别形成在半透射导电层120b的下部和上部中并且保护半透射导电层120b的第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c。
半透射导电层120b可以包括银(ag)或银合金。半透射导电层120b与作为反射电极的相对电极122(后面将描述)一起形成微腔结构，从而增大或改善有机发光显示设备1的光效率。
第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的一种。形成在半透射导电层120b的下部中并包括透明导电氧化物的第一透明导电氧化物层120a可以增强保护层119和像素电极120之间的粘附。形成在半透射导电层120b的上部中并包括透明导电氧化物的第二透明导电氧化物层120c可以用作保护半透射导电层120b的阻挡层。
同时，如果在使像素电极120图案化的蚀刻工艺期间提供电子，则以离子态存在于蚀刻剂中的银(ag)离子会被有问题地再次析出为银(ag)。在形成像素电极120的后续工艺期间，这样析出的银(ag)可能是导致暗点的与颗粒有关的缺陷因素。
当在蚀刻包括银(ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b、像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117、焊盘电极的第一焊盘层417或者由与这些元件的材料相同的材料形成的数据布线(未示出)被暴露至蚀刻剂时，银(ag)离子可以通过接收来自这些金属材料的电子而被再次析出为银(ag)。例如，当这些金属材料包括钼或铝时，由于再次向银(ag)离子提供从钼或铝接收的电子，所以银(ag)会再次析出。析出的银(ag)颗粒可能在显示器中导致诸如暗点的与颗粒有关的缺陷。
然而，根据本实施例的有机发光显示设备1的源电极217a或漏电极217b被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻包括银(ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b不被暴露至包括银(ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
保护层119设置在像素电极120和第一绝缘层13之间。
保护层119由与第二焊盘层418和像素电极接触单元pecnt1的第二接触层118的材料相同的材料形成。保护层119可以由包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种的透明导电氧化物形成。
像素电极120的包括银(ag)的半透射导电层120b可以与位于像素电极120的下部中的第一绝缘层13的材料反应。尽管第一透明导电氧化物层120a形成在像素电极120的半透射导电层120b的下部中，半透射导电层120b具有大约
例如，当用作栅极绝缘膜的第一绝缘层13具有氧化硅膜和氮化硅膜从缓冲层11到保护层119顺序地堆叠的多层(例如，双层或两层)结构时，设置在氧化硅膜上的氮化硅膜可能因各种因素而被氧化，因此氧化硅膜形成在氮化硅膜的表面上。
如果保护层119没有形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，则包括在半透射导电层120b中的银(ag)通过在半透射导电层120b的下部中形成为薄的第一透明导电氧化物层120a的针孔扩散，并与形成在氮化硅膜的表面上的氧化硅膜反应。因此，可能在半透射导电层120b中产生空隙，扩散的银(ag)可能导致暗点缺陷。
然而，根据本发明的实施例，由于保护层119形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，因此尽管与银(ag)相对易于反应的材料形成在第一绝缘层13上，但是保护层119可以阻挡。因此，控制银(ag)颗粒的反应性，从而显著地改善或减少了因银(ag)颗粒导致的暗点缺陷的出现。
图4是示出根据本发明的实施例的在相同的条件下涂覆保护层119之前或之后有机发光显示设备的暗点缺陷的数量的曲线图。
参照图4，在涂覆保护层119之前暗点缺陷的平均数可以是例如86，而在涂覆保护层119之后暗点缺陷的平均数可以是例如17，这示出了暗点缺陷的数量的显著减少。
同时，本实施例的保护层119可以增大有机发光显示设备1的光效率并且减小暗点缺陷。
图5是示出相对于保护层的厚度的y彩色坐标与蓝色发射层的效率之间的关系的曲线图。
更详细地讲，图5示出了当①存在不具有保护层的结构(参考例)，②保护层119的厚度为
如图5的曲线图中所示，ito的厚度越大，可以相对于参考例选择的彩色坐标的范围越广并且效率越高。同时，尽管曲线图中未示出，但是当ito的厚度等于或大于
像素电极120通过形成在第三绝缘层19中的接触孔c6结合到像素电极接触单元pecnt1。像素电极接触单元pecnt1电结合到驱动晶体管的源电极和漏电极中的一个并且驱动像素电极120。
像素电极接触单元pecnt1可以包括：第一接触层117，包括与源电极217a和漏电极217b的上述材料相同的材料；第二接触层118，包括透明导电氧化物；第三接触层114，包括透明导电氧化物；以及第四接触层115a，包括与栅电极215的材料相同的材料。
即，根据一个实施例，当像素电极120和驱动装置经由第一接触层117和第二接触层118通过形成在第三绝缘层19中的接触孔c6彼此电结合时，由于用作半透射金属(半透射导电)层的像素电极120的厚度可能相对小或薄，因此可能相对难于得到通过第三绝缘层19或接触孔c6的蚀刻表面的稳定的连接。然而，根据本实施例，即使通过形成在第三绝缘层19中的接触孔c6的连接失效，但是由于像素电极120直接接触位于开口c5的底部上的第三接触层114，因此可以正常地接收来自驱动装置的信号。
同时，尽管图2中未详细地示出，但是第一接触层117结合到数据线(未示出)，其中，数据线电结合到驱动晶体管的源电极或漏电极中的一个。如果图2中的晶体管是驱动晶体管，则第一接触层117可以电结合到源电极217a或漏电极217b。
包括有机发射层121的中间层设置在具有暴露在开口c8中的顶表面的像素电极120，其中，开口c8形成在(例如，形成穿过)第四绝缘层20中。有机发射层121可以由低分子量的有机材料或高分子量的有机材料形成。当有机发射层121由低分子量的有机材料形成时，可以相对于有机发射层121堆叠空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。如果必要的话，可以堆叠各种其他层。在这种情况下，可以使用包括铜酞菁(cupc)、n'-二苯基-联苯胺(npb)和三(8-羟基喹啉)铝(alq3)的各种低分子量的有机材料。当有机发射层121由高分子量的有机材料形成时，除了有机发射层121以外还可以使用htl。htl可以由聚-(3,4)-乙烯-二氧噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)形成。在这种情况下，高分子量的有机材料可以包括聚苯撑乙烯撑(ppv)类高分子量的有机材料和聚芴类高分子量的有机材料。还可以在像素电极120和相对电极122之间设置无机材料。
尽管在图2中有机发射层121仅设置在开口c8的底面(floor)上，但是这是为了便于描述并且本发明不限于此。在一个实施例中，有机发射层121沿着形成在第三绝缘层19中的开口c5的蚀刻表面形成在第四绝缘层20的顶表面上以及开口c8的底面上。
相对电极122作为共电极设置在有机发射层121上。根据本实施例的有机发光显示设备1将像素电极120用作阳极，将相对电极122用作阴极。电极的极性可以转变。
相对电极122可以被构造为包括反射材料的反射电极。在这点上，相对电极122可以包括从由al、mg、li、ca、lif/ca和lif/al组成的组中选择的一种或更多种材料。相对电极122被构造为反射电极，从而从有机发射层121发射的光从相对电极122反射，透射过(由例如半透射式金属形成的)像素电极120，并被发射到基板10。
本发明所采用的有机发光显示设备是光从有机发射层121向着基板10发射以形成图像的底发射的发光显示设备。因此，相对电极122被构造成反射电极。
包括第一电极312、第二电极314和第三电极317的电容器设置在电容器区cap1中并且设置在基板10和缓冲层11上，其中，第一电极312与有源层212设置在相同的层上(例如，与有源层212至少部分地共面)，第二电极314与栅电极215设置在相同的层上(例如，与栅电极215至少部分地共面)，第三电极317与源电极217a和漏电极217b设置在相同的层上(例如，至少与源电极217a和漏电极217b至少部分地共面)。
与有源层212的源区212a和漏区212b相似，电容器的第一电极312可以形成为掺杂有离子杂质的半导体。
电容器的第二电极314以与栅电极215相同的方式设置在第一绝缘层13上，然而第二电极314与栅电极215的材料可以彼此不同。第二电极314的材料可以包括透明导电氧化物。掺杂有离子杂质的半导体通过第二电极314形成在第一电极312上，从而形成具有金属-绝缘体-金属(mim)结构的电容器。
电容器的第三电极317可以由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成。如上所述，第三电极317被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻包括银(ag)的像素电极120的工艺期间，第三电极317不被暴露至包括银(ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。电容器构成包括第一电极312、第二电极314和第三电极317的并联电路，从而增大有机发光显示设备1的电容，而不增加电容器的面积。因此，可以通过增大电容来减小电容器的面积，从而增大开口率。
焊盘区pad1是焊盘电极417和418作为外部驱动器的连接端子位于或设置在显示区da外部的区域。
与上面描述的源电极217a和漏电极217b相似，第一焊盘层417可以具有电子迁移率不同的多个金属层的结构。例如，第一焊盘层417可以具有包括从由铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)组成的组中选择的一种或更多种金属材料的多层结构。
第二焊盘层418可以由包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)以及氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种的透明导电氧化物形成。第一焊盘层417可以防止焊盘电极被暴露至湿气和氧，从而防止焊盘电极的可靠性劣化。
如上所述，尽管第一焊盘层417位于暴露至形成在第三绝缘层19中的接触孔c7的区域中，但是由于作为保护层的第二焊盘层418形成在第一焊盘层417的上部上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间，第一焊盘层417不被(或基本不被)暴露至蚀刻剂。
此外，第一焊盘层417的对诸如湿气或氧的外部环境敏感的端部(或外围区域)被第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间，第一焊盘层417的端部(或外围区域)也不被暴露至蚀刻剂。
因此，可以防止因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷，也可以防止焊盘电极的可靠性劣化。
同时，尽管图2中未示出，但是根据本实施例的有机发光显示设备1还可以包括密封包括像素区pxl1、电容器区cap1和晶体管区tr1的显示区da的密封构件。密封构件可以形成为通过使包括玻璃构件的基板、金属膜或有机绝缘膜和无机绝缘膜交替而形成的密封薄膜。
下面现在将参照图3a至图3i来描述制造根据本实施例的有机发光显示设备1的方法。
图3a至图3i是示出根据本发明实施例的制造有机发光显示设备1的方法的示意性剖视图。
图3a是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第一掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3a，在基板10上形成缓冲层11，在缓冲层11上形成半导体层并且将半导体层图案化，以形成薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312。
尽管图3a中未示出，但是在半导体层上涂覆光致抗蚀剂(未示出)，通过利用使用第一光掩模(未示出)的光刻法使半导体层图案化，并形成有源层212和第一电极312。利用光刻法的第一掩模工艺包括在第一光掩模(未示出)上利用曝光装置(未示出)来执行曝光，以及执行诸如显影、蚀刻、剥离和灰化(ashing)的一系列工艺。
半导体层(未示出)可以包括非晶硅或晶体硅。在这点上，可以通过使非晶硅结晶来形成晶体硅。可以通过利用诸如快速热退火(rta)、固相结晶(spc)、准分子激光退火(ela)、金属诱导结晶(mic)、金属诱导横向结晶(milc)和顺序横向凝固(sls)等的各种方法来使非晶硅结晶。半导体层不限于非晶硅或晶体硅，并且可以包括氧化物半导体或其他合适的半导体材料。
图3b是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第二掩模工艺的示意性剖视图。
在图3a的第一掩模工艺的所得结构上形成第一绝缘层13，在第一绝缘层13上形成透明导电氧化物层(未示出)然后使透明导电氧化物层图案化。
图案化的结果为，在第一绝缘层13上形成像素电极接触单元pecnt1的第三接触层114和电容器的第二电极314。
图3c是用于示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第三掩模工艺的示意性剖视图。
在图3b的第二掩模工艺的所得结构上沉积第一金属(例如，导电的)层，然后将第一金属层图案化。在这点上，如上所述，第一金属层(未示出)可以是由从由铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)组成的组中选择的一种或更多种金属材料形成的单层或多层。
作为图案化的结果，在第一绝缘层13上形成栅电极215和覆盖第三接触层114的栅极金属层115。
利用离子杂质对上述结构进行掺杂。利用离子杂质b或p对薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312进行掺杂。
通过将栅电极215用作自对准掩模(self-alignmask)来利用离子杂质对有源层212进行掺杂，因此有源层212包括掺杂有离子杂质的源区212a和漏区212b以及设置在源区212a和漏区212b之间的沟道区212c。在这点上，电容器的第一电极312是掺杂有离子杂质并且形成mimcap的电极。
因此，利用一次掺杂工艺对电容器的第一电极312以及有源层212同时或共同掺杂，从而通过降低掺杂工艺的复杂性而降低制造成本。
图3d是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第四掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3d，在图3c的第三掩模工艺的所得结构上形成第二绝缘层16，然后将第二绝缘层16图案化，从而在第二绝缘层16中形成暴露有源层212的源区212a和漏区212b的开口c3和c4并且在与有源层212的侧面分隔开的区域中形成开口c1，其中，与有源层212的侧面分隔开的区域为随后将描述的将在其中设置像素电极120的区域。
图3e是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第五掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3e，在图3d的第四掩模工艺的所得结构上形成第二金属(例如，导电的)层，然后将第二金属层图案化，从而形成源电极217a和漏电极217b、像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117、第三电极317和焊盘电极的第一焊盘层417。
第二金属层可以具有电子迁移率不同的两种或更多种异质金属层的结构。例如，第二金属层可以具有多层(两层或更多层)结构，所述多层结构包括从由铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)以及这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料。
为了举例说明第二金属层的构造，详细地示出了第一焊盘层417的构造。例如，本实施例的第二金属层可以包括包含钼(mo)的第一层417a、包含铝(al)的第二层417b和包含钼(mo)的第三层417c。
包含铝(al)的第二层417b是具有小电阻和优异电特性的金属层。位于第二层417b的下部中并且包含钼(mo)的第一层417a加强了第二绝缘层16和第二层417b之间的粘附。位于第二层417b的上部中并且包含钼(mo)的第三层417c可以用作防止氧化、扩散以及包含在第二层417b中的铝的凸起(hillock)的阻挡层。
同时，尽管图3e中未示出，但是还可以在第五掩模工艺期间通过使第二金属层图案化来形成数据布线。
图3f是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第六掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3f，在图3e的第五掩模工艺的所得结构上形成透明导电氧化物层，然后将透明导电氧化物层图案化，以形成像素电极接触单元pecnt1的第二接触层118、焊盘电极的第二焊盘层418以及保护层119。
透明导电氧化物层包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)以及氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种。
图3g是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第七掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3g，在图3f的第六掩模工艺的所得结构上形成第三绝缘层19，然后将第三绝缘层19图案化，从而形成暴露第二接触层118的上部的接触孔c6、暴露第二焊盘层418的上部的接触孔c7以及位于像素区域pxl1中的开口c5，其中，像素电极120将位于像素区域pxl1中，这将在后面进行描述。
将第三绝缘层19形成为完全包围源电极217a和漏电极217b，从而防止在后面将描述的蚀刻包括银(ag)的像素电极120的工艺期间具有不同电势的异质布线接触其中溶解有银(ag)离子的蚀刻剂。
第三绝缘层19可以包括有机绝缘膜以用作平坦化膜。有机绝缘膜可以使用通用聚合物(例如，pmma或ps)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者这些材料的合适的共混物或其他合适的绝缘材料。
形成在第三绝缘层19中的开口c5和形成在第二绝缘层16中的开口c1彼此叠置，同时形成在第三绝缘层19中的开口c5比形成在第二绝缘层16中的开口c1小。
图3h是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第八掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3h，在图3g的第七掩模工艺的所得结构上形成半透射金属(例如，导电的)层，然后将半透射金属层图案化，从而形成像素电极120。
像素电极120通过像素电极接触单元pecnt1结合到驱动晶体管并位于形成在第三绝缘层19中的开口c5中。
像素电极120包括半透射导电层120b。像素电极120可以包括分别形成在半透射导电层120b的下侧和上侧或者上表面或下表面处并且包括保护半透射导电层120b的第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c。
半透射导电层120b可以由银(ag)或银合金形成。第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)以及氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种。半透射导电层120b与稍后将描述的作为反射电极的相对电极122一起形成微腔结构，从而增加有机发光显示设备1的光效率。
同时，如果在用于将像素电极120图案化的蚀刻工艺期间提供电子，则以离子状态存在于蚀刻剂中的银(ag)离子会有问题地再次析出为银(ag)。如果在蚀刻包含银(ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b、像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117、焊盘电极的第一焊盘层417或者由与这些元件的材料相同的材料形成的数据布线(未示出)被暴露至蚀刻剂时，银(ag)离子可以通过接收来自这些金属材料的电子而被再次析出为银(ag)。
然而，根据本实施例的源电极217a或漏电极217b在将像素电极120图案化的第八掩模工艺之前被图案化并且被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻包括银(ag)的像素电极120的工艺期间，源电极217a或漏电极217b不被暴露至包括银(ag)离子的蚀刻剂，从而防止或减少因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
尽管根据本实施例的像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117和第一焊盘层417被分别设置在由形成在第三绝缘层19中的接触孔c6和c7暴露的区域中，但是由于作为保护层的像素电极接触单元pecnt1的第二接触层118和第二焊盘层418分别形成在像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117和第一焊盘层417上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117和第一焊盘层417不被暴露至蚀刻剂，从而防止或减少因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
如果保护层119没有形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，则包括在半透射导电层120b中的银(ag)通过第一透明导电氧化物层120a的针孔而扩散，并且与形成在氮化硅膜的表面上的氧化硅膜反应其中，第一透明导电氧化物层120a在半透射导电层120b的下部中将形成得薄。因此，在半透射导电层120b中产生空隙，扩散的银(ag)可能导致暗点缺陷。
然而，根据本发明的实施例，由于保护层119形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，因此尽管与银(ag)易于反应的材料形成在第一绝缘层13上，但是保护层119可以阻挡。因此，银(ag)颗粒的反应性受到控制，从而显著地改善由于银(ag)颗粒导致的暗点缺陷。
图3i是示出根据本发明的本实施例的有机发光显示设备1的第九掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3i，在图3h的第八掩模工艺的所得结构上形成第四绝缘层20，然后执行形成暴露像素电极120的上部的开口c8的第九掩模工艺。
第四绝缘层20用作像素限定层并且可以包括包含通用聚合物(例如，pmma，ps)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者这些材料的合适的共混物或其他合适的绝缘材料的有机绝缘膜。
在图3h的第八掩模工艺的所得结构上形成包括图2的有机发射层121的中间层(未示出)，并形成图2的相对电极122。
根据上面描述的有机发光显示设备1和制造有机发光显示设备1的方法，像素电极120包括半透射导电层120b，从而通过微腔增大有机发光显示设备1的光效率。
源电极217a或漏电极217b被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此源电极217a或漏电极217b不被暴露至包括银(ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
作为保护层的像素电极接触单元pecnt1的第二接触层118和第二焊盘层418分别形成在像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117和第一焊盘层417上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间，像素电极接触单元pecnt1的第一接触层117和第一焊盘层417不被暴露至蚀刻剂，从而防止因银(ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
此外，由于保护层119形成在像素电极120的下部中，因此尽管与银(ag)易于反应的材料形成在第一绝缘层13上，但是保护层119可以阻挡。因此，银(ag)颗粒的反应性受到控制，从而显著地改善由于银(ag)颗粒导致的暗点缺陷。
现在在下面将参照图6来描述根据比较示例的有机发光显示设备2。
在下面相同的附图标记表示相同的元件。现在将描述根据先前实施例的有机发光显示设备1与根据比较示例的有机发光显示设备2之间的不同。
参照图6，在基板10上设置包括至少一个有机发射层121的像素区pxl2、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区tr2、包括至少一个电容器的电容器区cap2以及焊盘区pad2。
除了像素区pxl2以外，根据比较示例的有机发光显示设备2的晶体管区tr2、电容器区cap2和焊盘区pad2具有与根据先前实施例的有机发光显示设备1的元件相似的构造。
根据比较示例的像素区pxl2不包括图2的在像素电极120和第一绝缘层13之间的保护层119。
像素电极120包括半透射导电层120b、第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c，第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c分别形成在半透射导电层120b的下部和上部中并且包括保护半透射导电层120b。
形成在半透射导电层120b的下部中的第一透明导电氧化物层120a具有大约
例如，当用作栅极绝缘膜的第一绝缘层13具有氧化硅膜13-1和氮化硅膜13-2从缓冲层11至保护层119顺序地堆叠的双结构时，设置在氧化硅膜13-1上的氮化硅膜13-2可能因各种因素而被氧化，因此氧化硅膜13a形成在氮化硅膜13-2的表面上。
保护层119没有形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，因此包括在半透射导电层120b中的银(ag)可以通过第一透明导电氧化物层120a的针孔而扩散并且与形成在氮化硅膜的表面上的氧化硅膜反应，其中，第一透明导电氧化物层120a在半透射导电层120b的下部中形成得薄。因此，可能在半透射导电层120b中产生空隙，扩散的银(ag)可能导致暗点缺陷。
例如，当用作栅极绝缘膜的第一绝缘层13具有氧化硅膜13-1和氮化硅膜13-2从缓冲层11至保护层119顺序地堆叠的多层结构时，设置在第一绝缘层13上的氮化硅膜13-2可能被氧化。在这点上，氧化硅膜13a可以形成在氮化硅膜13-2的表面上。
氧化硅膜13a导致在第一透明导电氧化层120中产生针孔，其中，第一透明导电氧化层120在后续工艺中形成的半透射导电层120b的上部中形成得薄。包括在半透射导电层120b中的银(ag)颗粒与氧化硅膜13a反应并通过针孔凝聚，因此在半透射导电层120b中产生空隙，并且空隙导致暗点缺陷。
现在在下面将参照图7a至图7i来描述制造有机发光显示设备2的方法。
图7a是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第一掩模工艺的示意性剖视图。
在基板10上形成薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312。
图7b是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第二掩模工艺的示意性剖视图。
阴极接触单元的第三接触层114和电容器的第二电极314形成在第一绝缘层13上。
图7c是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第三掩模工艺的示意性剖视图。
在第一绝缘层13上形成栅电极215和覆盖第三接触层114的栅极金属层115。
图7d是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第四掩模工艺的示意性剖视图。
在第二绝缘层16中形成暴露有源层212的源区212a和漏区212b的开口c3和c4，并且在与有源层212的侧面分隔开的区域中形成开口c1，其中，与有源层212的侧面分隔开的区域为像素电极120将位于其中的区域。
图7e是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第五掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7e，在图7d的第四掩模工艺的所得结构上形成第二金属(例如，导电的)层，然后将第二金属层图案化，从而形成源电极217a和漏电极217b、像素电极接触单元的第一接触层117、第三电极317和焊盘电极的第一焊盘层417。
在使第二金属层图案化的工艺期间，蚀刻并去除形成在开口c1的第一绝缘层13中的栅极金属层115。在去除栅极金属层115的工艺期间，第一绝缘层13可能劣化。例如，当用作栅极绝缘膜的第一绝缘层13具有氧化硅膜13-1和氮化硅膜13-2从缓冲层11到保护层119顺序地堆叠的双结构时，设置在氧化硅膜13-1上的氮化硅膜13-2可能被氧化。在这点上，氧化硅膜13a可以形成在氮化硅膜13-2的表面上。在第二掩模工艺至第四掩模工艺期间，氧化硅膜13a也可以通过其他加工因素形成在第一绝缘层13的表面上。
图7f是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第六掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7f，在图7e的第五掩模工艺的所得结构上形成透明导电氧化物层，然后将透明导电氧化物层图案化，以形成像素电极接触单元的第二接触层118和焊盘电极的第二焊盘层418。
图7g是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第七掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7g，在图7f的第六掩模工艺的所得结构上形成第三绝缘层19，然后将第三绝缘层19图案化，从而形成暴露像素电极接触单元的第二接触层118的上部的接触孔c6、暴露第二焊盘层418的上部的接触孔c7以及位于像素区pxl2中的开口c5，其中，像素电极120将位于像素区pxl2中。
在使形成为有机绝缘膜的第三绝缘层19图案化的工艺期间，去除在通过灰化(或其他合适的图案化技术)进行图案化之后仍剩余的第三绝缘层19。在这点上，氧化硅膜13a可以形成在第一绝缘层13的表面上或者可能进一步劣化。
图7h是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第八掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7h，在图7g的第七掩模工艺的所得结构上形成半透射金属(例如，导电的)层，然后将半透射金属层图案化，以形成像素电极120。
像素电极120包括半透射导电层120b、第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c，第一透明导电氧化物层120a和第二透明导电氧化物层120c分别形成在半透射导电层120b的下部和上部中并且包括保护半透射导电层120b。
先前实施例的保护层119没有形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，因此包括在半透射导电层120b中的银(ag)通过第一透明导电氧化物层120a的针孔而扩散并且与形成在氮化硅膜13-2的表面上的氧化硅膜13a反应，其中，第一透明导电氧化物层120a在半透射导电层120b的下部中将形成得薄。因此，可能在半透射导电层120b中产生空隙，扩散的银(ag)可能导致暗点缺陷。
图7i是示出根据比较示例的有机发光显示设备2的第九掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7i，在图7h的第八掩模工艺的所得结构上形成第四绝缘层20，然后执行形成暴露像素电极120的上部的开口c8的第九掩模工艺。
在图7h的第八掩模工艺的所得结构上形成包括图2的有机发射层121的中间层(未示出)，形成图2的相对电极122。
在这一点上，杂质可能因半透射导电层120b中产生的银空隙(ag)而穿透到有机发射层121中。
如上所述，根据比较示例的有机发光显示设备2不包括位于像素电极120和第一绝缘层13之间的保护层119，这不能防止因像素电极120的银(ag)而产生的空隙，因此暗点缺陷出现。此外，不能期待增大光效率。
图8是示出根据本发明的另一实施例的有机发光显示设备3的示意性平面图。图9a至图9i是示出根据本发明的另一实施例的制造图8的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图。
参照图8，在基板10上设置包括至少一个有机发射层121的像素区pxl3、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区tr3、包括至少一个电容器的电容器区cap3以及焊盘区pad3。
下面的描述主要集中于本实施例的有机发光显示设备3与图2的有机发光显示设备1之间的不同。
缓冲层11和有源层212设置在晶体管区tr3中的基板10上。有源层212可以包括沟道区212c、设置在沟道区212c的外部中并被掺杂有离子杂质的源区212a和漏区212b。
第一绝缘层13设置在有源层212上，栅电极215设置在第一绝缘层13上。第二绝缘层16设置在栅电极215上，源电极217a和漏电极217b设置在第二绝缘层16上。
在本实施例中，源电极217a和漏电极217b中的每个可以以两个金属层来形成。例如，源电极217a以第一金属层217a-1和覆盖第一金属层217a-1的第二金属层217a-2形成。漏电极217b以第一金属层217b-1和覆盖第一金属层217b-1的第二金属层217b-2形成。
形成源电极217a和漏电极217b的金属层217a-1、217a-2、217b-1和217b-2中的每个可以具有电子迁移率不同的两种或更多种异质金属层的结构。例如，金属层217a-1、217a-2、217b-1和217b-2中的每个可以具有包括从由al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w、cu和这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层结构或更多层结构。
这样，由于源电极217a和漏电极217b均以双金属层形成，因此源电极217a和漏电极217b的厚度会增大。因此，可以通过降低引线电阻来减小由引线电阻导致的信号延迟。
第三绝缘层19设置在源电极217a和漏电极217b上，第四绝缘层20设置在第三绝缘层19上。
第一绝缘层13设置在像素区pxl3中的缓冲层11上，保护层119和像素电极120设置在第一绝缘层13上。保护层119和像素电极120的特性与上述第一实施例的特性相同。
如果保护层119没有形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，则包括在半透射导电层120b中的银(ag)通过第一透明导电氧化物层120a的针孔而扩散并且与形成在氮化硅膜的表面上的氧化硅膜反应，其中，第一透明导电氧化物层120a在半透射导电层120b的下部中形成得薄。因此，可能在半透射导电层120b中产生空隙，扩散的银(ag)可能导致暗点缺陷。然而，根据本实施例，由于保护层119形成在像素电极120和第一绝缘层13之间，则尽管与银(ag)易于反应的材料形成在第一绝缘层13上，但是保护层119可以阻挡与银(ag)的反应。因此，银(ag)颗粒的反应性受到控制，从而显著地改善因银(ag)颗粒导致的暗点缺陷。另外，可以改善有机发光显示设备3的光的效率。
包括有机发射层121的中间层(未示出)设置在像素电极120上，相对电极122在有机发射层121上被设置为共电极。
具有第一电极315和第二电极318的电容器设置在电容器区cap3中的基板10和缓冲层11上，其中，第一电极315与栅电极215布置在同一层中，第二电极318与源电极217a和漏电极217b布置在同一层中。
电容器的第一电极315可以由与栅电极215的材料相同的材料形成。电容器的第二电极318可以由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成。电容器的第二电极318可以由两个金属层(即，第一金属层318-1和第二金属层318-2)形成。
第一焊盘层417和第二焊盘层418设置在焊盘区pad3中的第二绝缘层16上。
第一焊盘层417可以由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成。第一焊盘层417可以由两个金属层(即，第一金属层417-1和第二金属层417-2)形成。
第二焊盘层418可以由透明导电氧化物形成。第二焊盘层418可以防止第一焊盘层417暴露至湿气或氧，从而防止焊盘的可靠性的劣化。
在下面参照图9a至图9i来简略地描述根据本实施例的制造有机发光显示设备3的方法。
图9a是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第一掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9a，在基板10上形成缓冲层11，在缓冲层11上形成薄膜晶体管的有源层212。
图9b是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第二掩模工艺的示意性剖视图。
在图9a的第一掩模工艺的所得结构上形成第一绝缘层13。在第一绝缘层13上形成栅电极215和电容器的第一电极315。通过将栅电极215作为自对准掩模来在有源层212中掺杂离子杂质。因此，有源层212设置有掺杂有离子杂质的源区212a和漏区212b以及位于源区212a与漏区212b之间的沟道区212c。
图9c是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第三掩模工艺的示意性剖视图。
在图9b的第二掩模工艺的所得结构上形成第二绝缘层16。通过使第二绝缘层16图案化来形成暴露有源层212的源区212a和漏区212b的开口c3和c4、以及位于与有源层212的侧表面分隔开的区域中的开口c1。
图9d是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第四掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9d，在图9c的第三掩模工艺的所得结构上形成金属层(未示出)。通过使金属层图案化(未示出)，来同时形成源电极的第一金属层217a-1、漏电极的第一金属层217b-1、第二电极318的第一金属层318-1和第一焊盘层的第一金属层417-1。金属层(未示出)可以具有电子迁移率不同的两个或更多个异质金属层的结构。例如，第一焊盘层的第一金属层417-1可以由包括钼(mo)的第一层417a、包括铝(al)的第二层417b和包括钼(mo)的第三层417c形成。
图9e是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第五掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9e，在图9d的第四掩模工艺的所得结构上形成金属层(未示出)。通过使金属层(未示出)图案化来同时形成源电极的第二金属层217a-2、漏电极的第二金属层217b-2、第二电极318的第二金属层318-2和第一焊盘层的第二金属层417-2。金属层(未示出)可以具有电子迁移率不同的两种或更多种异质金属层的结构。
图9f是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第六掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9f，在图9e的第五掩模工艺的所得结构上形成透明导电氧化物层(未示出)。通过使透明导电氧化物层(未示出)图案化来同时形成像素电极接触单元218、焊盘电极的第二焊盘层418和保护层119。
图9g是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第七掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9g，在图9f的第六掩模工艺的所得结构上形成第三绝缘层19。通过使第三绝缘层19图案化来形成暴露像素电极接触单元218的上部的接触孔c6、暴露第二焊盘层418的上部的接触孔c7、以及在像素区pxl3中的像素电极120布置在其中的开口c5。
图9h是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第八掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9h，在图9g的第七掩模工艺的所得结构上形成半透射金属层(未示出)。通过使半透射金属层(未示出)图案化来形成像素电极120。像素电极120通过布置在形成于第三绝缘层19中的接触孔c6中的像素电极接触单元218连接到驱动晶体管，并形成在保护层119上。
图9i是示出根据本实施例的有机发光显示设备3的第九掩模工艺的示意性剖视图。
参照图9i，在图9h的第八掩模工艺的所得结构上形成第四绝缘层20，然后执行用于形成暴露像素电极120的上部的开口c8的第九掩模工艺。
在图9i的第九掩模工艺的所得结构上形成包括有机发射层121(参见图8)的中间层(未示出)，然后形成相对电极122(参见图8)。
图10是示出根据本发明的另一实施例的有机发光显示设备4的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图。
参照图10，在基板10上设置包括至少一个有机发射层121的像素区pxl4、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区tr4、包括至少一个电容器的电容器区cap4以及焊盘区pad4。
下面的描述主要集中于本实施例的有机发光显示设备4与图8的有机发光显示设备3之间的不同。
缓冲层11和有源层212设置在晶体管区tr4中的基板10上。有源层212可以包括沟道区212c、以及设置在沟道区212c的外部中并掺杂有离子杂质的源区212a和漏区212b。
第一绝缘层13设置在有源层212上，栅电极215设置在第一绝缘层13上。源电极217a和漏电极217b设置在第二绝缘层16上。如在上面描述的实施例中，源电极217a和漏电极217b中的每个可以以两个金属层来形成。例如，源电极217a以第一金属层217a-1和覆盖第一金属层217a-1的第二金属层217a-2形成。漏电极217b以第一金属层217b-1和覆盖第一金属层217b-1的第二金属层217b-2形成。
包括有机发射层121的中间层(未示出)设置在像素电极120上，相对电极122作为共电极设置在有机发射层121上。
电容器的第一电极315可以包括与栅电极215的材料相同的材料，电容器的第二电极318可以包括与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料。
作为介电膜的第二绝缘层16位于电容器的第一电极315和第二电极318之间。沟槽t形成在第二绝缘层16中。由于电容器的第二电极318形成在沟槽t中，因此电容器的介电膜的厚度减小。因此电容器的电容增大。
第一焊盘层417和第二焊盘层418设置在焊盘区pad4中的第二绝缘层16上。
第一焊盘层417可以由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成。第一焊盘层417可以由两个金属层(即，第一金属层417-1和第二金属层417-2)形成。
第二焊盘层418可以由透明导电氧化物形成。第二焊盘层418可以防止第一焊盘层417暴露至湿气和氧，从而防止焊盘的可靠性的劣化。
如上所述，根据本发明的有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法可以具有下述特性：
第一，像素电极形成为半透射金属层，从而通过微腔来增大显示设备的光效率。
第二，作为有机膜的第三绝缘层覆盖源电极和漏电极(包括数据布线)，从而防止在将像素电极图案化时因源电极和漏电极而再次析出银(ag)。
第三，在像素电极接触单元的第一接触层、阴极接触单元的第一接触层和焊盘电极的第一焊盘层的顶部上形成保护层，从而防止在将像素电极图案化时因第一接触层和第一焊盘层而再次析出银(ag)。
第四，像素电极接触单元的结构被二元化，从而防止像素电极和驱动装置之间的信号短路。
第五，包括透明导电氧化物的保护层形成在包括半透射金属的像素电极的下部中，从而减少因银(ag)导致的暗点缺陷并增大光特性。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求和它们的等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。
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