技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先在有源区上形成轻掺杂区，则通过轻掺杂区之间的区域限定出沟道区，而后，形成覆盖层，覆盖层中具有开口，该开口暴露出沟道区以及部分的轻掺杂区，进而，通过侧墙工艺，在开口的侧壁上形成侧墙，侧墙之间的间隙用于形成栅极，这样，通过侧墙进一步缩小了开口的尺寸，即栅极的尺寸，而无需更高端的光刻设备来实现栅极尺寸的减小，并通过侧墙之间的间隙限定出的栅极，其具有底部窄、上部宽的形貌，减小了栅极与沟道区接触的尺寸，实现器件速度的不断提高。该方法中，通过新的工艺方法来实现器件速度的不断提升，降低对高端设备的依赖，降低制造成本，使得器件速度可持续得到提高。
技术研发人员：盛备备;赵东光;王三坡
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.12.13
技术公布日：2019.04.12