本实用新型属于一种连接器，具体涉及一种射频同轴转接器，属于电子元器件的技术领域。
背景技术：
在低频设备中任意形状的导线都可以传输电磁能，只有在远距离传输时才需要考虑传输线的形状。在低频时最常用的是平行双线式传输线，如电力传输线或电话的架空明线就属于这种类型。当频率提高以致波长短到可以同导线之间的距离相比时，双线传输线上就会有相当大的电磁能量辐射出去，形成辐射损耗。为了减少辐射损耗，可以减小两线之间的距离。为了彻底避免辐射损耗，把传输线的两个导体做成同轴形，位于外边的叫外导体，里边的叫内导体。这样就构成了一种封闭的传输线，它把电磁场限制在内外导体之间，从而避免了辐射损耗。同轴线在微波波段上应用很广，一直可以用到毫米波段.又可以传输相当大的功率。射频同轴连接器可以等效为一段同轴传输线，成为传输微波信号的关键元器件。同轴线的内导体较细，所以损耗主要在内导体上，同时，内导体表面电场最强，该处的场强限制了它的功率容量；此外，内导体不可能悬空放置在外导体中，必须用某种方式把它支撑起来，这也带来许多麻烦，主要是增加了损耗。降低了功率容量。频率越高，上述这些缺点越明显。因此，拓宽连接器使用频率、提高连接器的电气性能及正确设计和使用射频同轴连接器成为射频连接器领域的重要问题。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了解决现有技术中的问题，提供一种射频同轴转接器来解决上述问题。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种射频同轴转接器，包括内导体、外导体，与设置在内导体与外导体之间的绝缘支撑，其特征在于：所述的外导体包括第一外导体与第二外导体，所述的第一外导体与第二外导体压配合，所述的第二外导体与内导体之间设置有PEI支撑，所述的PEI支撑的支撑面的中心位置设置有中心通孔，所述的PEI支撑的支撑面上设置有环形开槽，所述的内导体贯通中心通孔与中心通孔过盈配合，所述的第二外导体的右端设置N型接口，所述的第二外导体的左端设置有2.92mm接口，所述的内导体与第二外导体错位补偿距离为a，所述的内导体与第一外导体错位补偿距离为b。
本实用新型相比现有技术具有以下优点：
1、绝缘支撑使用PEI支撑，支撑无打孔，方便加工；
2、PEI支撑的支撑面开槽，更好的阻抗匹配；
3、设置有错位补偿距离，更好的阻抗匹配。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的PEI支撑的立体图；
其中：10-内导体；11盲孔I；12盲孔II；20-PEI支撑；21-中心通孔；22-环形开槽；31-第一外导体；32-第二外导体；33-N型接口；34-2.92mm接口。
具体实施方式
为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：
如图1-2所示，本实用新型公开了一种射频同轴转接器，包括内导体10、外导体，与设置在内导体10与外导体之间的绝缘支撑，其特征在于：所述的外导体包括第一外导体31与第二外导体32，所述的第一外导体31与第二外导体32压配合，所述的第二外导体32与内导体10之间设置有PEI支撑20，所述的PEI支撑20的支撑面的中心位置设置有中心通孔21，所述的PEI支撑20的支撑面上设置有环形开槽22，PEI支撑代替PTFE支撑增加强度，同时PEI支撑无打孔，方便加工。所述的内导体10贯通中心通孔21与中心通孔21过盈配合，所述的内导体10的两端各设置有盲孔I11与盲孔II12，所述的第二外导体32的右端设置N型接口33，所述的第二外导体32的左端设置有2.92mm接口34，所述的内导体10与第二外导体32错位补偿距离为a，所述的内导体10与第一外导体31错位补偿距离为b。这种射频同轴转接器整体结构紧凑，第一外导体31与第二外导体32压接，N型接口33和2.92mm接口34端在一体上，整体结构强度最好；第二外导体32的结构保证整体强度的基础上最省材料。
优选的，所述的错位补偿距离a为0.1mm～0.2mm，所述的错位补偿距离b为0.1mm～0.2mm。这样可更好的实现阻抗匹配状态。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。