本实用新型涉及射频天线引脚电路领域，特别是涉及一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚。
背景技术：
目前，越来越多的电子产品已经完成了小型化、微型化甚至芯片化，尤其是电子通讯产品，诸如Wi-Fi(WIreless-Fidelity，无线保真)、蓝牙及其其它射频类的电子产品，做的也越来越精细，使用的芯片集成度越来越高；但是静电干扰却成了芯片首当其冲要解决的要素。通常，会在芯片外部封装引脚处安置交流耦合电容，这样的防护措施能够有效地防止静电干扰射频电路的发送与接收。封装引脚处的交流耦合电容起到阻直流通交流，阻低频通高频的作用。
在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：在无线通信产品要求精细化的情况下，有必要既要保障产品细小，又要保障产品可靠。如果去掉该交流耦合电容，电子产品的可靠性得不到保障，如果不去掉该交流耦合电容，又难以进一步做细做小产品。
技术实现要素：
基于此，有必要针对去掉该交流耦合电容，电子产品的可靠性得不到保障，不去掉该交流耦合电容则难以进一步做细做小产品问题，提供一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚。
为了实现上述目的，本实用新型实施例提供了一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，包括连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚；
内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；
第一金属层通过金属引线连接封装引脚，第二金属层的第二端连接ESD保护电路；或，第二金属层的第二端通过金属引线连接封装引脚，第一金属层连接ESD保护电路。
在其中一个实施例中，第二金属层的第一端为第一金属极板，第二金属层的第二端为第二金属极板；
第一金属极板以预设间距与第二金属极板形成分布电容；
封装引脚、金属引线、第一金属层、孔位引线、第一金属极板、分布电容、第二金属极板以及ESD保护电路在通电时形成电通道；或，ESD保护电路、第一金属层、孔位引线、第一金属极板、分布电容、第二金属极板、金属引线以及封装引脚在通电时形成电通道。
在其中一个实施例中，第一金属极板为设有窗口的第一金属框；
第二金属极板嵌合于窗口内、且以预设间距与第一金属框内壁形成分布电容。
在其中一个实施例中，第一金属框包括连接第一金属框、朝向窗口的第一突出端；
第二金属极板设有与第一突出端匹配的第一凹槽；
第一凹槽的内槽壁以预设间距与第一突出端配合形成分布电容。
在其中一个实施例中，第一金属框为第一矩形金属框。
在其中一个实施例中，第一矩形金属框包括连接第一矩形金属框的内角、朝向窗口的第二突出端；
第二金属极板设有与第二突出端匹配的第二凹槽；
第二凹槽的内槽壁以预设间距与第二突出端配合形成分布电容。
在其中一个实施例中，第一金属框设有连通窗口的开口；
第二金属极板通过开口连接ESD保护电路；或，第二金属极板通过开口连接金属引线。
在其中一个实施例中，第二金属极板为设有窗口的第二金属框；
第一金属极板嵌合于窗口内、且以预设间距与第二金属框内壁形成分布电容。
在其中一个实施例中，第二金属框包括连接第二金属框、朝向窗口的第三突出端；
第一金属极板设有与第三突出端匹配的第三凹槽；
第三凹槽的内槽壁以预设间距与第三突出端配合形成分布电容。
在其中一个实施例中，第二金属框为第二矩形金属框。
在其中一个实施例中，第二矩形金属框包括连接第二矩形金属框的内角、朝向窗口的第四突出端；
第一金属极板设有与第四突出端匹配的第四凹槽；
第四凹槽的内槽壁以预设间距与第四突出端配合形成分布电容。
在其中一个实施例中，孔位引线的第一端沿第一金属极板的边缘间隔排布；
孔位引线的轴向垂直于介质层的平面。
在其中一个实施例中，内芯引脚还包括若干个堆叠在第二金属层下的功能层，功能层为介质层和第二金属层以预设层叠顺序依次堆叠形成的；预设层叠顺序为介质层堆叠在第二金属层之上。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；该分布电容能够实现通高频阻低频，通交流阻直流的作用，有效地减少芯片外围器件，节约电子产品的生产制造成本，同时降低芯片内部的ESD保护电路的设计难度；在减少芯片外围器件的同时，保障电子产品的可靠性。
附图说明
通过附图中所示的本实用新型的优选实施例的更具体说明，本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。
图1为传统的防静电射频保护电路的结构示意图；
图2为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第一示意性结构图；
图3为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第二示意性结构图；
图4为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第三示意性结构图；
图5为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第一示意性内芯引脚布局结构图；
图6为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第二示意性内芯引脚布局结构图；
图7为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第三示意性内芯引脚布局结构图；
图8为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第四示意性内芯引脚布局结构图；
图9为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第五示意性内芯引脚布局结构图；
图10为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第六示意性内芯引脚布局结构图；
图11为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第七示意性内芯引脚布局结构图；
图12为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第八示意性内芯引脚布局结构图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“嵌合”、“匹配”、“配合”、“第一端”、“第二端”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
目前，电子产品越来越小的条件，除了优化电路设计减少元器件，采用体积较小的贴片元器件外，还有就是将必要的电子元器件尽可能地集成到芯片内部中，减少芯片外围电子器件的布局。与此同时，虽然芯片集成度越来越高了，但是静电干扰却成了芯片首当其冲要解决的要素。通常，在触摸到芯片引脚时，或者芯片工作时，都会产生几千伏甚至上万伏的静电，轻者会干扰射频天线的发送与接收，重者会破坏芯片内部电路结构。
为此，在芯片防静电措施上，通常会在芯片内部的内芯引脚处设置ESD (Electro-Static discharge，静电释放)保护电路结构，在芯片外部封装引脚处安置交流耦合电容，如图1所示，图1为传统的防静电射频保护电路的结构示意图；这样的防护措施能够有效地防止静电干扰射频电路的发送与接收。通常，封装引脚处的交流耦合电容，除用于匹配作用外，还可以用于减少来自天线端或者引脚端的静电，起到阻直流通交流，阻低频通高频的作用。
但是，在一些无线通信产品要求精细化的情况下，有必要既要保障产品细小，又要保障产品可靠，而来自封装引脚处的交流耦合电容所起的作用也是必不可少。如果去掉该交流耦合电容，电子产品的可靠性得不到保障，如果不去掉该交流耦合电容，又难以进一步做细做小产品。因此，有必要针对该类型的射频电路提出一种新型的引脚结构。
在一个实施例中，如图2、3所示，图2为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第一示意性结构图，图3为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第二示意性结构图，提供了一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，包括连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚；
内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；
第一金属层通过金属引线连接封装引脚，第二金属层的第二端连接ESD保护电路；或，第二金属层的第二端通过金属引线连接封装引脚，第一金属层连接ESD保护电路。
具体而言，兼容交流耦合电容的射频电路引脚可包括内芯引脚；内芯引脚的一端连接封装引脚，另一端连接ESD保护电路；内芯引脚的结构可包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；其中，介质层可包括若干具备导电性能的孔位引线；第二金属层的第一端可通过空位引线与第一金属层实现电连接，并且，与第二金属层的第二端形成分布电容；未通电时，第二金属层的第一端与第二端不能形成直接的电连接；第一金属层与封装引脚连接时，第二金属层的第二端只能与ESD保护电流连接；第一金属层与ESD保护电路连接时，第二金属层的第二端只能与封装引脚连接；
需要说明的是，当未通电工作时，第二金属层的第一端与第二端未有直接短接，两者直接没有电接关系；当通电工作时，第二金属层的第一端和第二端之间形成若干个分布电容，该分布电容能够实现通高频阻低频，通交流阻直流的作用；第二金属层的第一端和第二端实现耦合连接；进一步的，分布电容还能够起到一定的滤波作用；
孔位引线可为在介质层打孔并填充具有导电材料的引线，能够使第一金属层M1与第二金属层的第一端或者第二金属层的第二端电连接；进一步的，孔位引线还能起到固定第一金属层和第二金属层的作用。
封装引脚是嵌入在芯片封装上的金属导体，封装引脚与内芯引脚并不是直接连接，而是通过金属引线连接内芯引脚；金属引线连接封装引脚与第一金属层或者第二金属层的第二端；优选的，金属引线可采用导电性能优异的金、银或铜。
第一金属层和第二金属层可为电气参数相同的金属层；应该说明的是，内芯引脚可包括若干层第一金属层、若干层介质层以及若干层第二金属层，其中，第一金属层、介质层、第二金属层依次堆叠，介质层可用于间隔第一金属层与第二金属层，也可用于间隔相邻的两层第一金属层，还可用于间隔相邻的两层第二金属层；
可选的，在一个实施例中，如图4所示，图4为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第三示意性结构图，内芯引脚包括第一金属层，若干层第二金属层以及若干层介质层，第二金属层的数量与介质层的数量相同；内芯引脚的结构为依次堆叠的第一金属层、介质层、第二金属层、介质层、第二金属层…介质层、第二金属层；其中，介质层和第二金属层的数量可根据需要来确定；即，以第二金属层的结构方式，可以复制多个金属层置于第一金属层的垂直下方；
应该说明的是，本实用新型实施例中，任一层金属层(包括第一金属层、第二金属层)都不能同时与封装引脚和ESD保护电路连接。
本实用新型实施例中，连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；传统的交流耦合电容是在芯片引脚外部的，本实用新型实施例是通过预设的金属间距(属于预设间距)形成分布电容，该分布电容能够实现通高频阻低频、通交流阻直流的作用，有效地减少芯片外围器件，节约电子产品的生产制造成本，同时降低芯片内部的ESD保护电路的设计难度；在减少芯片外围器件的同时，保障电子产品的可靠性。
在一个实施例中，如图5所示，图5为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第一示意性内芯引脚布局结构图，第二金属层的第一端为第一金属极板，第二金属层的第二端为第二金属极板；
第一金属极板以预设间距与第二金属极板形成分布电容；
封装引脚、金属引线、第一金属层、孔位引线、第一金属极板、分布电容、第二金属极板以及ESD保护电路在通电时形成电通道；或，ESD保护电路、第一金属层、孔位引线、第一金属极板、分布电容、第二金属极板、金属引线以及封装引脚在通电时形成电通道。
具体而言，第二金属层可包括作为第一端的第一金属极板以及作为第二端的第二金属极板；第一金属极板与第二金属极板之间设置预设间距，两个极板间存在分布电容；分布电容的大小可通过改变两个极板间的预设间距来进行调节；
通电工作时，可形成如下电通道：
封装引脚→金属引线→第一金属层→孔位引线→第一金属极板→分布电容→第二金属极板→ESD保护电路；或，
ESD保护电路→第一金属层→孔位引线→第一金属极板→分布电容→第二金属极板→金属引线→封装引脚；
需要说明的是，第一金属极板与第二金属极板均属于第二金属层；可选的，第一金属极板与第二金属极板位于同一平面或同一层，两者之间设置可调的间距(属于预设间距)；未通电工作时，第一金属层、第一金属极板均不能与第二金属极板形成直接的电连接关系；第一金属层与第二金属极板之间存在分布电容，该分布电容的大小可通过调节第一金属层与第二金属极板的间距来改变，比如，调整第一金属层与第二金属极板之间的介质层的厚度；第一金属极板与第二金属极板之间存在分布电容，该分布电容的大小可通过调节第一金属极板与第二金属极板的间距来改变；
预设间距可根据需要来进行调整，该间距可影响分布电容的大小；
本实用新型实施例中，射频电路引脚的分布电容大小可根据需要来进行调整，丰富该结构的设计以及灵活性，可应用于多个领域。
在一个实施例中，如图5所示，第一金属极板为设有窗口的第一金属框；
第二金属极板嵌合于窗口内、且以预设间距与第一金属框内壁形成分布电容。
具体而言，第一金属框和第二金属极板之间设置一定间距，两者形成一个密闭的环绕空间，第一金属框包围第二金属极板；第一金属框以预设间距与第二金属极板配合形成分布电容；
可选的，第一金属极板(包括第一金属框)位于第二金属层的外围，第二金属极板位于第二金属层的内侧，第一金属极板包围第二金属极板；
进一步的，孔位引线可分别位于第一金属极板的边缘处，由此，第一金属层和第一金属极板实现电气短接，第二金属极板与第一金属极板断开电气连接。
在一个实施例中，如图6、7所示，图6为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第二示意性内芯引脚布局结构图，图7为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第三示意性内芯引脚布局结构图，第一金属框包括连接第一金属框、朝向窗口的第一突出端；
第二金属极板设有与第一突出端匹配的第一凹槽；
第一凹槽的内槽壁以预设间距与第一突出端配合形成分布电容。
具体而言，第一金属极板(包括第一金属框)以预设间距与第二金属极板形成“交叉”字形的格局；第一金属框包括第一突出端，优选的，第一突出端的一端连接第一金属框，另一端指向第一金属框的窗口内；第二金属极板包括与第一突出端匹配的第一凹槽；第一突出端深入第一凹槽中，并以预设间距与第一凹槽的内槽壁配合形成分布电容；
可选的，第二金属极板可包括突出端和/或主干端；优选的，第二金属板的突出端和主干端构成与第一突出端匹配的第一凹槽；
需要说明的是，第一金属框的突出端与第二金属极板的突出端互相嵌合但非直接短接；
通过在第一金属框和/或第二金属极板上设置突出端以及与突出端匹配的凹槽，可增大形成分布电容的面积，增加电容量，丰富本实用新型实施例的射频电路引脚结构的设计以及灵活性，可应用于多个领域。
在一个实施例中，第一金属框为第一矩形金属框。
优选的，第一金属框可为第一矩形金属框；
进一步的，第一金属框还可为沿内芯引脚边沿布局的第一金属框，可根据实际的引脚设计进行布局设计。
在一个实施例中，如图8所示，图8为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第四示意性内芯引脚布局结构图，第一矩形金属框包括连接第一矩形金属框的内角、朝向窗口的第二突出端；
第二金属极板设有与第二突出端匹配的第二凹槽；
第二凹槽的内槽壁以预设间距与第二突出端配合形成分布电容。
具体而言，第一矩形金属框还可包括第二突出端；第二突出端的一端连接第一矩形金属框的内角，另一端指向第一矩形金属框的窗口内；第二金属极板设置有第二凹槽；第二凹槽与第二突出端匹配；第二突出端深入第二凹槽中，并以预设间距与第二凹槽的内槽壁配合形成分布电容；优选的，第一矩形金属框以预设间距与第二金属极板形成一个“X”字形的格局；
需要说明的是，以俯视图的视角看第二金属层的布局，可以形成第一金属框和第二金属极板的“X”字形格局；孔位引线可分别位于第一金属框的边缘处，第一金属层和第一金属框实现电气短接，第二金属极板与第一金属框断开电气连接；
通过在第一矩形金属框设置突出端，在第二金属极板上设置与突出端匹配的凹槽，可增大形成分布电容的面积，增加电容量，丰富本实用新型实施例的射频电路引脚结构的设计以及灵活性，可应用于多个领域。
在一个实施例中，第一金属框设有连通窗口的开口；
第二金属极板通过开口连接ESD保护电路；或，第二金属极板通过开口连接金属引线。
具体而言，第一金属框的其中一侧可开设连通窗口的开口，第二金属极板通过第一金属框的开口与ESD保护电路或金属引线实现电连接；
需要说明的是，孔位引线短接第一金属层和第一金属框，通电工作时，可形成如下电通道：
封装引脚→金属引线→第一金属层→孔位引线→第一金属框→分布电容→第二金属极板→ESD保护电路；或，
ESD保护电路→第一金属层→孔位引线→第一金属框→分布电容→第二金属极板→金属引线→封装引脚；
应该说明的是，本实用新型实施例中，第一金属层或第一金属极板或第二金属极板不能同时电连接封装引脚和ESD保护电路。
在一个实施例中，如图9所示，图9为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第五示意性内芯引脚布局结构图，第二金属极板为设有窗口的第二金属框；
第一金属极板嵌合于窗口内、且以预设间距与第二金属框内壁形成分布电容。
具体而言，第二金属框和第二金属极板之间设置一定间距，两者形成一个密闭的环绕空间，第二金属框包围第一金属极板；第二金属框以预设间距与第一金属极板配合形成分布电容；
可选的，第二金属极板(包括第二金属框)位于第二金属层的外围，第一金属极板位于第二金属层的内侧，第二金属极板包围第一金属极板。
需要说明的是，孔位引线短接第一金属层和第一金属极板，通电工作时，可形成如下电通道：
封装引脚→金属引线→第一金属层→孔位引线→第一金属极板→分布电容→第二金属框→ESD保护电路；或，
ESD保护电路→第一金属层→孔位引线→第一金属极板→分布电容→第二金属框→金属引线→封装引脚；
进一步的，孔位引线可分别位于第一金属极板的边缘处，由此，第一金属层和第一金属极板实现电气短接，第二金属极板与第一金属极板断开电气连接。
在一个实施例中，如图10、11所示，图10为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第六示意性内芯引脚布局结构图，图11为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第七示意性内芯引脚布局结构图，第二金属框包括连接第二金属框、朝向窗口的第三突出端；
第一金属极板设有与第三突出端匹配的第三凹槽；
第三凹槽的内槽壁以预设间距与第三突出端配合形成分布电容。
具体而言，第二金属极板(包括第二金属框)以预设间距与第一金属极板形成“交叉”字形的格局；第二金属框包括第三突出端，优选的，第三突出端的一端连接第二金属框，另一端指向金属框的窗口内；第一金属极板包括与第三突出端匹配的第三凹槽；第三突出端深入第三凹槽中，并以预设间距与第三凹槽的内槽壁配合形成分布电容；
可选的，第一金属极板可包括突出端和/或主干端；优选的，第一金属板的突出端和主干端构成与第三突出端匹配的第三凹槽；
需要说明的是，第二金属框的突出端与第一金属极板的突出端互相嵌合但非直接短接；
通过在第二金属框和/或第一金属极板上设置突出端以及与突出端匹配的凹槽，可增大形成分布电容的面积，增加电容量，丰富本实用新型实施例的射频电路引脚结构的设计以及灵活性，可应用于多个领域。
在一个实施例中，如图9所示，第二金属框为第二矩形金属框。
优选的，第二金属框可为第二矩形金属框；
进一步的，第二金属框还可为沿内芯引脚边沿布局的金属框，可根据实际的引脚设计进行布局设计。
在一个实施例中，如图12所示，图12为一个实施例中兼容交流耦合电容的射频电路引脚的第八示意性内芯引脚布局结构图，第二矩形金属框包括连接第二矩形金属框的内角、朝向窗口的第四突出端；
第一金属极板设有与第四突出端匹配的第四凹槽；
第四凹槽的内槽壁以预设间距与第四突出端配合形成分布电容。
具体而言，第二矩形金属框还可包括第四突出端；第四突出端的一端连接第二矩形金属框的内角，另一端指向第二矩形金属框的窗口内；第一金属极板设置有第四凹槽；第四凹槽与第四突出端匹配；第四突出端深入第四凹槽中，并以预设间距与第四凹槽的内槽壁配合形成分布电容；优选的，第二矩形金属框以预设间距与第一金属极板形成一个“X”字形的格局；
需要说明的是，以俯视图的视角看第二金属层的布局，可以形成金属框和第一金属极板的“X”字形格局；孔位引线可分别位于金属框的边缘处，第一金属层和第一金属极板实现电气短接，第一金属极板与金属框断开电气连接；
通过在第二矩形金属框设置突出端，在第一金属极板上设置与突出端匹配的凹槽，可增大形成分布电容的面积，增加电容量，丰富本实用新型实施例的射频电路引脚结构的设计以及灵活性，可应用于多个领域。
在一个实施例中，孔位引线的第一端沿第一金属极板的边缘间隔排布，第二端与第一金属层电连接；
孔位引线的轴向垂直于介质层的平面。
具体而言，孔位引线的一端沿着第一金属极板的边缘均匀排布，另一端与第一金属层电连接；
优选的，孔位引线可为垂直结构的孔位引线，
需要说明的是，孔位引线可绕内芯引脚的边缘布局，该布局方式的能够使第一金属层与第一金属极板充分接触。
在一个实施例中，如图4所示，内芯引脚还包括若干个堆叠在第二金属层下的功能层，功能层为介质层和第二金属层以预设层叠顺序依次堆叠形成的；预设层叠顺序为介质层堆叠在第二金属层之上。
具体而言，介质层堆叠在第二金属层之上可构成功能层；内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层、第二金属层，还包括若干个堆叠在第二金属层下的功能层；功能层位于第一金属层之下。
本实用新型实施例中，连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；该分布电容能够实现通高频阻低频，通交流阻直流的作用，有效地减少芯片外围器件，节约电子产品的生产制造成本，同时降低芯片内部的ESD保护电路的设计难度；
传统的交流耦合电容是设置在芯片引脚外部的，而本实用新型实施例中内芯引脚的两个金属极板之间以预设间距形成分布电容，可兼容交流耦合电容，在减少芯片外围器件的同时，保障电子产品的可靠性；
并且，通过在第一金属极板和/或第二金属极板上设置突出端以及与突出端匹配的凹槽，可增大形成分布电容的面积，增加电容量，丰富本实用新型实施例的射频电路引脚结构的设计以及灵活性，可应用于多个领域。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。