技术总结
本实用新型涉及一种兼容交流耦合电容的射频电路引脚，连接在封装引脚和ESD保护电路之间的内芯引脚包括依次堆叠的第一金属层、介质层和第二金属层；介质层包括若干孔位引线；第二金属层的第一端通过孔位引线电连接第一金属层，并与第二金属层的第二端形成分布电容；传统的交流耦合电容是在芯片引脚外部的，本实用新型内芯引脚的金属层中设有分布电容，该分布电容能够实现通高频阻低频、通交流阻直流的作用，有效地减少芯片外围器件，节约电子产品的生产制造成本，同时降低芯片内部的ESD保护电路的设计难度；在减少芯片外围器件的同时，保障电子产品的可靠性。
技术研发人员：黄海涛
受保护的技术使用者：珠海市杰理科技股份有限公司
技术研发日：2018.03.20
技术公布日：2018.11.23