1.一种复合式透明导电膜,其特征在于,包括:
第一透明导电层,所述第一透明导电层中具有空隙;
第二透明导电层,位于所述空隙中并与所述第一透明导电层连接;以及
栅线,位于所述第二透明导电层上,
其中,所述第一透明导电层具有第一透光率和第一迁移率,所述第二透明导电层具有第二透光率和第二迁移率,所述第一透光率高于所述第二透光率,所述第一迁移率高于所述第二迁移率。
2.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述第一透明导电层包括掺钛氧化铟和/或掺锆氧化铟。
3.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述第二透明导电层包括掺锡氧化铟和/或掺铝氧化锌。
4.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层位于同一平面上。
5.根据权利要求4所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述栅线包括银栅线。
7.根据权利要求6所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述栅线的尺寸小于所述第二透明导电层。
8.根据权利要求6所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述栅线与所述第一透明导电层不接触。
9.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括电池芯片和根据权利要求1至8中任一项的复合式透明导电膜,其中所述复合式透明导电膜位于所述电池芯片的两侧。
10.根据权利要求9所述的复合式透明导电膜,其特征在于,所述电池芯片包括:
单晶硅层;
第一本征层和第二本征层,分别位于所述单晶硅层的两侧;
n型掺杂层,位于所述第一本征层远离所述单晶硅层的一侧;以及
p型掺杂层,位于所述第二本征层远离所述单晶硅层的一侧。