一种太阳能级多晶硅片表面处理装置的制作方法

本实用新型涉及多晶硅片表面处理技术领域，具体为一种太阳能级多晶硅片表面处理装置。

背景技术：

多晶硅片，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，多晶硅片多用于电子上和太阳能发电，是作为太阳能产业链的原料，用于铸锭或拉单晶硅棒，在切成硅片，生产成太阳能电池板，就是卫星、空间站上的太阳能帆板，大部分还是用在建太阳能电站了，自地球上生命诞生以来，就主要以太阳提供的热辐射能生存，而自古人类也懂得以阳光晒干物件，并作为制作食物的方法，如制盐和晒咸鱼等，太阳能是人类使用能源的重要组成部分，并不断得到发展，太阳能的利用有光热转换和光电转换两种方式，太阳能发电是一种新兴的可再生能源。

现如今的多晶硅片表面处理装置，智能化程度底，所需劳动力多，使制造成本高，处理过的表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用，棱角抛光质量差，在电池制造过程中导致碎片增多，同时大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，使其光电转化效率低，还有就是干燥不彻底，多晶硅片表面容易被二次污染。所以，如何设计一种太阳能级多晶硅片表面处理装置，成为我们当前要解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型的一种太阳能级多晶硅片表面处理装置，以解决上述背景技术中提出的智能化程度低、光电转化率低、生存碎片增多、容易被二次污染等问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种太阳能级多晶硅片表面处理装置，包括装置主体和底座，所述装置主体的底端设置有底座，所述底座与装置主体固定连接，所述装置主体的中间部位设置有抛光装置，所述抛光装置与装置主体电性连接，所述抛光装置的顶端设置有通风盖，所述通风盖与抛光装置固定连接，所述装置主体的右侧设置有出料口，所述出料口与装置主体贯穿连接，所述装置主体的顶端设置有注料箱，所述注料箱与装置主体固定连接，所述装置主体的右端设置有触摸显示屏，所述触摸显示屏与装置主体电性连接，所述装置主体的中间部位设置有传送装置，所述传送装置与装置主体电性连接，所述传送装置的左侧端设置有侧挤压板，所述侧挤压板与侧挤压板固定连接，所述出料口的顶端设置有检测装置，所述检测装置与出料口固定连接，所述装置主体的中间部位设置有进料口，所述进料口与装置主体固定连接，所述装置主体的顶端设置有电源开关，所述电源开关与装置主体电性连接，所述注料箱的中间部位设置有注料口，所述注料口与注料箱贯穿连接。

进一步的，所述装置主体的左端设置有扩散机，所述扩散机与装置主体电性连接。

进一步的，所述进料口的右侧设置有抛光机，所述抛光机与装置主体电性连接。

进一步的，所述装置主体的中间部位设置有丝网印刷机，所述丝网印刷机与装置主体电性连接。

进一步的，所述装置主体的右侧设置有烘烤机，所述烘烤机与装置主体电性连接。

进一步的，所述装置主体采用的是PLC控制系统。

进一步的，所述检测装置采用的是红外线成像技术。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是；该种太阳能级多晶硅片表面处理装置采用的是PLC控制系统，用于内部机组的控制，经过电脑编程可以让装置实现全自动智能化，同时减少劳动力，降低制造成本，还提高了其工作效率，该种太阳能级多晶硅片表面处理装置的进料口的右侧设置有抛光机，化学抛光是靠化学试剂的化学浸蚀作用对多晶硅片表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法，化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，提高多晶硅片表面处理效率，减小传统抛光的损耗，抛光后在电池制造过程中不会导致碎片增多，该种太阳能级多晶硅片表面处理装置的中间部位设置有丝网印刷机，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，可以提高光电转化效率，该种太阳能级多晶硅片表面处理装置的左端设置有扩散机，在硅片上掺杂和扩散微量的硼、磷、锑等，在硅片上形成P/N结，可以减小反射掉大量的太阳光，将反射损失减小到5％甚至更小，提高硅晶片的光电转换效率，该种太阳能级多晶硅片表面处理装置的右侧设置有烘烤机，采用的是直流热气烘烤机，气流干燥器结构简单，占地面积小，易于维修、处理量大，热效率高，干燥强度大，由于多晶硅片的全部表面积为干燥的有效面积，所以干燥时间短，不光提高了处理效率，而且还能够避免被处理过的多晶硅片表面二次污染，该种太阳能级多晶硅片表面处理装置的检测装置采用的是红外线成像技术，红外成像技术是一项前途广阔的高新技术，自然界中，一切物体都可以辐射红外线，因此利用探测仪测量目标本身与背景间的红外线差可以得到不同的热红外线形成的红外图像，以此来检测多晶硅片表面的处理质量。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构示意图；

图2是本实用新型的剖面结构部分示意图；

图3是本实用新型的送料部侧面结构示意图。

图中1,、装置主体，2、抛光装置，3、扩散机，301、注料口，302、电源开关，303、进料口，4、注料箱，5、通风盖，501、抛光机，502、侧挤压板，503、传送装置，504、丝网印刷机，505、烘烤机，506、检测装置，6、出料口，7、底座，8、触摸显示屏。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种太阳能级多晶硅片表面处理装置，包括装置主体1和底座7，装置主体1的底端设置有底座7，底座7与装置主体1固定连接，装置主体1的中间部位设置有抛光装置2，抛光装置2与装置主体1电性连接，抛光装置2的顶端设置有通风盖5，通风盖5与抛光装置2固定连接，装置主体1的右侧设置有出料口6，出料口6与装置主体1贯穿连接，装置主体1的顶端设置有注料箱4，注料箱4与装置主体1固定连接，装置主体1的右端设置有触摸显示屏8，触摸显示屏8与装置主体1电性连接，装置主体1的中间部位设置有传送装置503，传送装置503与装置主体1电性连接，传送装置503的左侧端设置有侧挤压板502，侧挤压板502与侧挤压板502固定连接，出料口6的顶端设置有检测装置506，检测装置506与出料口6固定连接，装置主体1的中间部位设置有进料口303，进料口303与装置主体1固定连接，装置主体1的顶端设置有电源开关302，电源开关302与装置主体1电性连接，注料箱4的中间部位设置有注料口301，注料口301与注料箱4贯穿连接。

进一步的，装置主体1的左端设置有扩散机3，扩散机3与装置主体1电性连接，另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用，在硅片上掺杂和扩散微量的硼、磷、锑等，在硅片上形成P/N结，可以减小反射掉大量的太阳光，将反射损失减小到5％甚至更小，提高硅晶片的光电转换效率。

进一步的，进料口303的右侧设置有抛光机501，抛光机501与装置主体1电性连接，化学抛光是靠化学试剂的化学浸蚀作用对多晶硅片表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法，化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，提高多晶硅片表面处理效率，减小传统抛光的损耗，抛光后在电池制造过程中不会导致碎片增多。

进一步的，装置主体1的中间部位设置有丝网印刷机504，丝网印刷机504与装置主体1电性连接，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，可以提高光电转化效率。

进一步的，装置主体1的右侧设置有烘烤机505，烘烤机505与装置主体1电性连接，采用的是直流热气烘烤机，气流干燥器结构简单，占地面积小，易于维修、处理量大，热效率高，干燥强度大，由于多晶硅片的全部表面积为干燥的有效面积，所以干燥时间短，不光提高了处理效率，而且还能够避免被处理过的多晶硅片表面二次污染。

进一步的，装置主体1采用的是PLC控制系统，用于内部机组的控制，经过电脑编程可以让装置实现全自动智能化，同时减少劳动力，降低制造成本，还提高了其工作效率。

进一步的，检测装置506采用的是红外线成像技术，红外成像技术是一项前途广阔的高新技术，自然界中，一切物体都可以辐射红外线，因此利用探测仪测量目标本身与背景间的红外线差可以得到不同的热红外线形成的红外图像，以此来检测多晶硅片表面的处理质量。

工作原理：首先装置主体1采用的是PLC控制系统，用于内部机组的控制，经过电脑编程可以让装置实现全自动智能化，同时减少劳动力，降低制造成本，还提高了其工作效率，然后进料口303的右侧设置有抛光机501，靠化学试剂的化学浸蚀作用对多晶硅片表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法，化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，提高多晶硅片表面处理效率，减小传统抛光的损耗，抛光后在电池制造过程中不会导致碎片增多，随后装置主体1的中间部位设置有丝网印刷机504，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，可以提高光电转化效率，接着装置主体1的左端设置有扩散机3，在硅片上掺杂和扩散微量的硼、磷、锑等，在硅片上形成P/N结，可以减小反射掉大量的太阳光，将反射损失减小到5％甚至更小，提高硅晶片的光电转换效率，紧接着装置主体1的右侧设置有烘烤机505，采用的是直流热气烘烤机，气流干燥器结构简单，占地面积小，易于维修、处理量大，热效率高，干燥强度大，由于多晶硅片的全部表面积为干燥的有效面积，所以干燥时间短，不光提高了处理效率，而且还能够避免被处理过的多晶硅片表面二次污染，最后检测装置506采用的是红外线成像技术，自然界中，一切物体都可以辐射红外线，因此利用探测仪测量目标本身与背景间的红外线差可以得到不同的热红外线形成的红外图像，以此来检测多晶硅片表面的处理质量。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。