技术总结
本实用新型公开了一种紫外发光二极管芯片的外延结构，包括衬底以及位于衬底上的AlN缓冲层、非掺杂AlN层、超晶格层、发光层、电子阻挡层、空穴导电层；其中：所述超晶格层为nAlxGa1‑xN层和AlyGa1‑yN层周期性交替堆叠形成。本实用新型的优点在于：通过采用nAlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格层代替传统的单层nAlGaN层，从而将电子导电的传输通道横向分割成为高电导率的nAlxGa1‑xN层和低电导率的AlyGa1‑yN层，并在nAlxGa1‑xN层中创造高电子密度的二维电子气（使nAlxGa1‑xN层的带隙宽度小于AlyGa1‑yN层）。
技术研发人员：武良文
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2018.07.10
技术公布日：2019.03.22