一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置的制作方法

文档序号:17165460发布日期:2019-03-22 18:59阅读:735来源:国知局
一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置的制作方法

本实用新型涉及晶硅太阳能硅片刻蚀工序水膜喷淋工位,具体是一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置。



背景技术:

在太阳能电池生产工序中,刻蚀水膜的主要作用是在硅片表面覆盖一层水膜,硅片经过刻蚀槽时避免刻蚀槽酸性气氛对硅片表面腐蚀。目前使用的水膜系统为:感应器检测到硅片时经过一定时间间隔,水膜喷淋装置对硅片表面喷淋一定量的水。此方法虽然能使硅片表面覆盖水膜层,但不能保证水膜覆盖的均匀性,尤其表面脏污的硅片,脏污部位表面亲水性较差,很难被水膜覆盖,进而造成返工,异常片流入后道工序,会引起更多的EL测试异常。



技术实现要素:

本实用新型为了克服现有技术的缺陷,提出了一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置,利用该装置可使刻蚀水膜工位的水膜均匀覆盖,同时有效解决了脏污片表面亲水性差的问题,避免出现因水膜覆盖不均匀造成的返工和降级。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置,包括超声波雾化器,导流管道,分流管道,喷淋管道;所述的导流管道与超声波雾化器的雾化气体出口连通,分流管道与导流管道连通,喷淋管道有多个,均与分流管道连通,每个喷淋管道的出口端均设置有无驱动匀流扇,该无驱动匀流扇包括三叉支架、轴承及多个曲条状匀流扇叶片,三叉支架的一端通过螺丝固定于喷淋管道的管壁,另一端与轴承连接,轴承上还连接有多个曲条状匀流扇叶片,多个曲条状匀流扇叶片以轴承为中心均匀分布且可绕轴承旋转;所述的多个曲条状匀流扇叶片是位于三叉支架的内侧,该三叉支架的内侧是指位于三叉支架靠近喷淋管道内部的一侧;

该匀膜装置设置于原刻蚀工序水膜喷淋工位的水膜喷淋装置之前,距离水膜喷淋装置10cm-15cm,且该匀膜装置位于硅片正上方,且喷淋管道的出口端距离硅片表面的垂直距离为20-40mm。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术方案进一步实现。

前述的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置,其中,所述喷淋管道有5个。

前述的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置,其中,所述的分流管道与导流管道垂直。

前述的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置,其中,所述的喷淋管道与分流管道垂直。

本实用新型利用超声波雾化后的水分子在无驱动匀流扇的驱动下均匀覆盖到硅片表面,预先湿润硅片表面,在之后水膜喷淋时保证硅片完全被水膜覆盖。可使刻蚀水膜工位的水膜快速且均匀的覆盖,避免了硅片边角因水膜覆盖不均匀造成的返工;同时又有效解决了脏污片表面亲水性差的问题,预先在硅片表面形成均匀密集的小分子水膜层,为水膜均匀覆盖打下基础,避免出现因水膜覆盖不均匀造成的返工,以及异常片流入后道工序引起的批量EL测试异常。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,详细说明如下。

附图说明

图1是本实用新型的立体图;

图2是本实用新型的仰视图;

图3是无驱动匀流扇的结构示意图;

图4是本实用新型的使用状态的俯视图;

图5是图4的右视图;

图6是超声波雾化器的一种结构;

图7是图6的一种电路原理图。

1:超声波雾化器 2:导流管道 3:无驱动匀流扇 4:曲条状匀流扇叶片

5:三叉支架 6:轴承 7:喷淋管道 8:分流管道

9:水膜喷淋装置 10:硅片 11:水膜喷淋头 12:水箱

13:超声波发生器 14:超声波换能器 15:电控系统 16:电源

17:送风风机 18:进风管道

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置,其具体实施方式、特征及其功效,详细说明如后。

本实用新型包括超声波雾化器1,导流管道2,分流管道8,喷淋管道7。超声波雾化器可采用现有技术,导流管道2与超声波雾化器的雾化气体出口连通,分流管道8与导流管道2连通,分流管道与导流管道可采用垂直方式连通,喷淋管道7有多个,均与分流管道8连通,喷淋管道与分流管道也可以采用垂直方式连通。每个喷淋管道7的出口端均设置有无驱动匀流扇3,该无驱动匀流扇包括通过螺丝固定于喷淋管道管壁的三叉支架5和与三叉支架5连接的轴承6,轴承6上还连接有多个曲条状匀流扇叶片4,多个曲条状匀流扇叶片以轴承为中心均匀分布且可绕轴承旋转。多个曲条状匀流扇叶片是位于三叉支架的内侧,即位于三叉支架靠近喷淋管道内部的一侧。

本实用新型在使用时设置于原刻蚀工序水膜喷淋工位的水膜喷淋装置之前,距离水膜喷淋装置10cm-15cm。匀膜喷淋时,本实用新型位于硅片正上方,且距离硅片的垂直距离为20-40mm。

所述的超声波雾化器主要包括超声波发生器、超声波换能器、水箱、送风风机、进风管道、雾化气体出口、电控系统等。一种实施例为:超声波发生器设置在水箱下部,超声波发生器与超声波换能器连接,超声波发生器还与电控系统连接,电控系统与外部电源连接,进风管道与雾化气体出口连通,进风管道处设置有送风风机,如图6所示。电控系统主要包括:直流电源、三点式高频震荡电路及反馈电路、超声波输出电路,所述三点式高频震荡电路及反馈电路由NPN型三极管VT1、震荡线圈L2、震荡电容C1、电容C2、电阻R、电位器RP和反馈线圈L1组成,其中,NPN型三极管的基极分别与电容C2和电阻R的一端连接,电容C2另一端与接地端连接,电阻R的一端与电位器RP的一端连接,电位器RP的另一端与电路正极连接,NPN型三极管VT1的集电极分别与震荡线圈L2和震荡电容C1的一端连接,震荡线圈L2另一端和震荡电容C1的另一端连接并与电路正极连接,NPN型三极管VT1的发射极与反馈线圈L1连接,反馈线圈L1还与接地端连接;超声波输出电路包括超声波换能器HA和电容C3,超声波换能器HA的一端与NPN型三极管VT1的基极连接,另一端与电容C3连接,电容C3的另一端与NPN型三极管VT1的集电极连接;直流电源的正极与电路正极连接,负极与接地端连接,如图7所示。以上说明及图6和图7仅是超声波雾化器的一种可能形式,由于超声波雾化器已是常用装置,采用现有技术即可实现本实用新型所述的雾化功能,对本实用新型所述的超声波雾化器的结构及控制形式还可以采用其它方案,均为现有技术常见形式,在此不再赘述。

本实用新型在工作时,向超声波雾化器中加入纯水,启动超声波雾化器中的超声波发生器和送风风机,超声波发生器将水雾化成细小颗粒状,在送风风机的作用下,风力将雾化后的小颗粒水分子输送至导流管道2,之后导流管道2将小颗粒水分子导流至分流管道8内,分流管道8将小颗粒水分子均匀分到5个喷淋管道7内部。经过喷淋管道出口端的无驱动匀流扇将小颗粒水分子均匀分洒到位于匀流扇下方的硅片上,硅片上覆盖一层均匀细密小颗粒状的水膜,之后硅片继续往前运行,经过原刻蚀工序水膜喷淋工位时,原工位的水膜喷淋头照常对硅片表面喷淋一定量的水,由于在此之前,硅片表面已经覆盖一层均匀细密的小颗粒状水膜,因此,喷淋头喷淋的水在小颗粒水分子的吸附下均匀覆盖在硅片表面,硅片表面形成均匀的水膜。

本实用新型所述的无驱动匀流扇无需额外的动力驱动源,依靠压差转动。这是由于超声波雾化器中的送风风机产生的风压驱动水分子至喷淋管道内,因此喷淋管道出口端处的无驱动匀流扇上下(即内外)产生压差。在压差的作用下,无驱动匀流扇中的多个曲条状匀流扇叶片以轴承为中心开始旋转转动,小颗粒水分子在无驱动匀流扇及风压压力的作用下被传送出喷淋管道,进而均匀喷淋至硅片表面。

由于日常喷淋工位通常是5个硅片为一排,因此,本实用新型的匀膜装置设置5个喷淋管道,但本实用新型不局限于5个喷淋管道,可根据实际情况增加或减少。在使用时,一个喷淋管道对应一个硅片,如图4所示。

本实用新型只需加装在原刻蚀工序水膜喷淋工位之前,如图4和图5所示,图4是本实用新型使用状态的俯视图,图5是图4的右视图。图5中硅片按照图中箭头所示方向移动,先经过本实用新型的匀膜装置淋膜一层细密的小颗粒状水膜,继续向前(图示为向左)运行至原水膜喷淋装置下方,经过水膜喷淋头再喷淋上一层均匀的水膜。本实用新型安装简单,使用方便,适于广泛推广使用。

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型做任何形式上的限制,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,利用上述技术内容做出些许更动或修饰的实施例,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

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