技术特征：
技术总结
半导体器件(10)包括半导体本体(11)和导电通孔(12)，该导电通孔(12)延伸通过半导体本体(11)的至少一部分，其中通孔(12)具有在第一横向方向上给出的横向尺寸，该第一横向方向垂直于由通孔的主延伸轴线给出的垂直方向，并且其中通孔(12)具有顶侧(13)和背离顶侧(13)的底侧(14)。半导体器件(10)还包括被布置在通孔(12)的底侧(14)处的平行于第一横向方向(x)的平面中的导电蚀刻停止层(15)，以及位于通孔(12)的底部侧(14)的平行于第一横向方向(x)的平面中的至少一个导电接触层(16)。蚀刻停止层(15)在第一横向方向(x)上的横向范围大于通孔(12)的横向尺寸，并且接触层(16)在第一横向方向(x)上的横向范围小于通孔(12)的横向尺寸。此外，蚀刻停止层(15)在垂直方向(z)上被布置在导电通孔(12)与接触层(16)之间。
技术研发人员：约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;安德森·辛格拉尼;拉斐尔·科佩塔;弗朗兹·施兰克
受保护的技术使用者：AMS有限公司
技术研发日：2018.02.14
技术公布日：2019.10.01