技术特征：
技术总结
一种半导体器件，包括：衬底；晶体管，形成在衬底的表面上；第一绝缘膜，形成在晶体管上方；第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上；第三绝缘膜，形成在第二绝缘膜上；第四绝缘膜，形成在第三绝缘膜上；以及铁电电容器，形成在第四绝缘膜上，其中第三绝缘膜的氢气渗透率高于第一绝缘膜的氢气渗透率，第二绝缘膜和第四绝缘膜的氢气渗透率和氧气渗透率高于第一绝缘膜和第三绝缘膜的氢气渗透率和氧气渗透率。
技术研发人员：永井孝一;中村亘;中村光宏;伊藤昭男
受保护的技术使用者：富士通半导体股份有限公司
技术研发日：2019.01.24
技术公布日：2019.08.06