发光装置的制造方法与流程

本发明是有关于一种发光装置的制造方法，且特别是有关于一种有发光二极管元件的发光装置的制造方法。

背景技术：

目前，显示设备在制造过程中常会使用到巨量转移技术，巨量转移技术被用来将大量的发光元件(例如发光二极管)转置于电路基板上，接着使发光元件与电路基板上的像素电路电性连接。然而，就目前技术而言，因存在电路基板在修补程序中会被破坏的疑虑，故在转置大量的发光元件于电路基板上之后，难以对存在缺陷而无法正常运作的发光元件进行修补，因而必须报废丢弃有缺陷的装置，使得生产良率不足。

技术实现要素：

本发明的一实施方式提供一种发光装置的制造方法，其可改善发光装置的生产良率。

本发明的一实施方式的发光装置的制造方法包括以下步骤。形成测试走线及第一信号走线于第一基板上。形成发光元件，电性连接于测试走线及第一信号走线。对发光元件经由测试走线及第一信号走线执行测试程序。形成封装层于第一基板上，以覆盖发光元件。移除测试走线后，形成电性连接于发光元件的驱动单元。

于一实施方式中，形成该测试走线及该第一信号走线于该第一基板上的方法包括：

形成该第一信号走线及一第一导电图案于该第一基板上；

形成一第一接触窗、一第二接触窗及一第三接触窗于该第一信号走线及该第一导电图案上，其中该第一导电图案电性连接于该第一接触窗及该第二接触窗，该第一信号走线电性连接于该第三接触窗；以及

形成该测试走线于该第二接触窗上。

于一实施方式中，该发光元件包括一第一电极、一第二电极及一发光结构，该发光结构电性连接于该第一电极与该第二电极，其中该第一电极经由该第一接触窗、该第一导电图案及该第二接触窗与该测试走线电性连接，该第二电极经由该第三接触窗与该第一信号走线电性连接。

于一实施方式中，在形成该第一信号走线及该第一导电图案之后且形成该第一接触窗、该第二接触窗及该第三接触窗之前，更包括：

形成一绝缘层于该第一基板上。

于一实施方式中，移除该测试走线，以暴露出该第二接触窗。

于一实施方式中，形成该驱动单元于该绝缘层上，该驱动单元包括一驱动元件，且该驱动元件经由该第二接触窗、该第一导电图案及该第一接触窗与该发光元件电性连接。

于一实施方式中，在移除该测试走线之后且形成该驱动单元之前，更包括：

使该绝缘层与该第一基板分离，以暴露出该第一信号走线及该第一导电图案。

于一实施方式中，形成该驱动单元的方法包括：

使该绝缘层与一元件基板贴合，其中该元件基板包括一第二基板及位于该第二基板上的该驱动单元，该驱动单元包括一驱动元件，该驱动元件与该第一导电图案电性连接。

于一实施方式中，在使该绝缘层与该元件基板贴合之前，更包括执行设置一导电胶层的步骤。

于一实施方式中，该驱动单元更包括：

一第二导电图案，与该第一导电图案电性连接；以及

一第四接触窗，与该第二导电图案电性连接，

其中该驱动元件经由该第四接触窗、该第二导电图案、该第一导电图案和该第一接触窗而与该发光元件电性连接。

于一实施方式中，该元件基板更包括：

一连接结构，与该第一信号走线电性连接；

一第二信号走线，与该连接结构电性连接；以及

一第五接触窗，电性连接该连接结构与该第二信号走线。

于一实施方式中，该绝缘层的材质包括聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂。

基于上述，本发明的制造发光装置的方法通过包括以下步骤：于第一基板上形成测试走线及第一信号走线；形成电性连接测试走线及第一信号走线的发光元件；经由测试走线及第一信号走线对发光元件执行测试程序；形成覆盖发光元件的封装层；以及移除测试走线后，形成电性连接于发光元件的驱动单元，由此在避免驱动单元因修补程序而受到破坏的情况下，可在执行测试程序后对发现有异常的发光元件进行修补程序，达成改善发光装置的生产良率的目标。

附图说明

图1是依照本发明的一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。

图2a至图2d是依照本发明的一实施方式的发光装置在制造过程中不同阶段的上视示意图。

图3a至图3e是依照本发明的一实施方式的发光装置在制造过程中不同阶段的剖面示意图。

图4a至图4d是依照本发明的一实施方式的发光装置在制造过程中不同阶段的剖面示意图。

其中，附图标记：

10、20：发光装置

100：第一基板

110、210、120、320：绝缘层

300：元件基板

310：第二基板

400：导电胶层

cr：沟道区

cs：连接结构

d：漏极

dl、sl：信号线

dr：漏极区

e1：第一电极

e2：第二电极

el：发光结构

f：封装层

g：栅极

gi：栅绝缘层

h1：第一接触窗

h2：第二接触窗

h3：第三接触窗

h4：第四接触窗

h5：第五接触窗

il：层间绝缘层

l1：第一信号走线

l2：第二信号走线

n：法线方向

o：发光元件

p1：第一导电图案

p2：第二导电图案

s10～s50：步骤

s：源极

sc：半导体层

sr：源极区

t：驱动元件

u：驱动单元

w1、w2、w3：接触开口

具体实施方式

本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依测量性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”可为二元件间存在其它元件。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

图1是依照本发明的一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。请参照图1，制造发光装置的方法可包括下列步骤：形成测试走线及第一信号走线于第一基板上(步骤s10)；形成发光元件，所述发光元件电性连接于测试走线及第一信号走线(步骤s20)；对发光元件经由测试走线及第一信号走线执行测试程序(步骤s30)；形成封装层于第一基板上，以覆盖发光元件(步骤s40)；以及移除测试走线后，形成驱动单元，其中所述驱动单元电性连接该发光元件(步骤s50)。

值得注意的是，本发明并不限制上述步骤s10～s50中的测试走线、第一信号走线、发光元件、封装层及驱动单元的数量。也就是说，上述步骤s10中可形成一条以上测试走线及一条以上第一信号走线，上述步骤s20中可形成一个以上发光元件，上述步骤s40中可形成一个以上封装层，及上述步骤s50中可形成一个以上驱动单元。以下将搭配图2a至图2d及图3a至图3e，具体说明本发明一实施方式的发光装置的制造方法。

图2a至图2d是依照本发明的一实施方式的发光装置在制造过程中不同阶段的上视示意图。图3a至图3e是依照本发明的一实施方式的发光装置在制造过程中不同阶段的剖面示意图。图3a的剖面位置可对应于图2a的剖线i-i’的位置、图3b及图3c的剖面位置可对应于图2b的剖线ii-ii’的位置、图3d的剖面位置可对应于图2c的剖线iii-iii’的位置、图3e的剖面位置可对应于图2d的剖线iv-iv’的位置。为方便说明，图2a至图2d省略绘示部分膜层，以清楚绘示各构件之间的配置关系。

请参照图2a及图3a，首先，于第一基板100上形成多条第一信号走线l1及多个第一导电图案p1。第一基板100的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。基于导电性的考虑，第一信号走线l1及第一导电图案p1一般是使用金属材料来制作。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，第一信号走线l1及第一导电图案p1也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。在本实施方式中，第一信号走线l1及第一导电图案p1分别可为单层结构或多层结构。另外，在本实施方式中，第一信号走线l1与第一导电图案p1可在同一工艺步骤中形成，由此第一信号走线l1与第一导电图案p1可由相同的材料构成。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，第一信号走线l1与第一导电图案p1可在不同工艺步骤中形成，此时第一信号走线l1的材质可相异于第一导电图案p1的材质。

接着，于第一基板100上形成绝缘层110。在本实施方式中，绝缘层110的材质可为无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料；有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂、或其它合适的材料。在本实施方式中，绝缘层110可为单层结构或多层结构。另外，在本实施方式中，绝缘层110的形成方法可包括物理气相沉积法或化学气相沉积法。

接着，形成多个第一接触窗h1、多个第二接触窗h2及多个第三接触窗h3于第一信号走线l1及第一导电图案p1上，以及形成多条测试走线tl于多个第二接触窗h2上。详细而言，在本实施方式中，测试走线tl、第一接触窗h1、第二接触窗h2与第三接触窗h3的形成方法可包括以下步骤：对绝缘层110进行图案化工艺以形成多个开口(未绘示)后，将导电材料(未绘示)形成于绝缘层110上并填入所述开口中。接着，对绝缘层110上的导电材料进行图案化工艺，以形成第一接触窗h1、第二接触窗h2、第三接触窗h3与测试走线tl。在本实施方式中，测试走线tl与第一接触窗h1、第二接触窗h2以及第三接触窗h3的导电材料可由相同的材料构成，由此测试走线tl与第一接触窗h1、第二接触窗h2以及第三接触窗h3的导电材料可在同一工艺步骤中形成。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，测试走线tl可在不同于第一接触窗h1、第二接触窗h2及第三接触窗h3的工艺步骤中形成，此时测试走线tl的导电材料的材质可相异于第一接触窗h1、第二接触窗h2及第三接触窗h3的导电材料的材质。

基于导电性的考虑，测试走线tl与第一接触窗h1、第二接触窗h2及第三接触窗h3的导电材料一般是使用金属材料来制作。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，测试走线tl与第一接触窗h1、第二接触窗h2及第三接触窗h3的导电材料也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。

如图2a所示，在本实施方式中，一个第三接触窗h3直接连接到一条第一信号走线l1，一个第一接触窗h1和一个第二接触窗h2直接连接到同一第一导电图案p1，且一个第二接触窗h2直接连接到一条测试走线tl。由于图3a公开的仅为对应剖线i-i’的部分剖面结构，因此第一信号走线l1、第一导电图案p1、测试走线tl、第一接触窗h1、第二接触窗h2与第三接触窗h3之间的设置关系并不限于图3a中所绘。根据后文的记载，任何所属领域中普通技术人员应可理解，一条第一信号走线l1会与多个第三接触窗h3直接连接，一条测试走线tl会与多个第二接触窗h2直接连接，一条测试走线tl会与多个第一导电图案p1电性连接。

另外，如图3a所示，在本实施方式中，测试走线tl与第一信号走线l1彼此平行。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，测试走线tl的延伸方向与第一信号走线l1的延伸方向可相交。

接着，请参照图2b及图3b，于第一基板100上形成多个发光元件o。在本实施方式中，多个发光元件o可利用任何所属领域中普通技术人员所周知的转置技术形成于第一基板100上。在本实施方式中，发光元件o可例如是有机发光二极管(oled)、微型发光二极管(micro-led)、迷你发光二极管(mini-led)、量子点发光二极管(quantumdot-led，qd-led)或其它尺寸的发光二极管，但本发明不以此为限。另外，在本实施方式中，多个发光元件o可包括红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合。然而，本发明并不限制多个发光元件o的色彩组合，可视设计者的需求而定。

在本实施方式中，每一发光元件o包括第一电极e1、第二电极e2及发光结构el，发光结构el电性连接于第一电极e1与第二电极e2。在本实施方式中，发光结构el可包括有机材料(例如：有机高分子发光材料、有机小分子发光材料、有机配合物发光材料、其它合适的材料或前述材料的组合)、无机材料(例如：钙钛矿材料、稀土离子发光材料、稀土荧光材料、半导体发光材料、其它合适的材料或前述材料的组合)、其它合适的材料或前述材料的组合。在本实施方式中，第一电极e1及第二电极e2的材质可包括有机导电材料、金属、金属氧化物或合金。第一电极e1及第二电极e2例如可以通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、加热蒸镀或其他合适的方法，本发明不以此为限。

如图2b所示，在本实施方式中，第一电极e1经由第二接触窗h2、第一导电图案p1及第一接触窗h1与测试走线tl电性连接，而第二电极e2经由第三接触窗h3与第一信号走线l1电性连接。也就是说，在本实施方式中，一个发光元件o会与一条测试走线tl及一条第一信号走线l1电性连接。换言之，在本实施方式中，对应于一个发光元件o的测试走线tl及第一信号走线l1分别可作为该发光元件o的阳极端及阴极端。虽然图3b公开的仅为对应剖线ii-ii’(对应一个发光元件o)的部分剖面结构，但根据图2b及图3b所公开的内容，任何所属领域中普通技术人员应可理解，一条测试走线tl可通过多个第二接触窗h2、多个第一导电图案p1及多个第一接触窗h1而与多个发光元件o电性连接，且一条第一信号走线l1可通过多个第三接触窗h3而与多个发光元件o电性连接。

于第一基板100上形成多个发光元件o之后，对所述发光元件o执行测试程序，以确定所述发光元件o是否存在缺陷而无法正常运作。如前文所述，测试走线tl及第一信号走线l1分别可作为发光元件o的阳极端及阴极端，故经由测试走线tl与第一信号走线l1致能发光元件o，可对发光元件o执行测试程序，以确认发光元件o是否发生异常。举例来说，当发生以下情况可判断为异常：当发光元件o未能与第一接触窗h1及第三接触窗h3正确对位时，发光元件o不能正确的电性连接至测试走线tl与第一信号走线l1，使得经由测试走线tl与第一信号走线l1致能后发光元件o无法被点亮。因此，在本实施方式中，所述测试程序可例如是点亮测试。另外，在测试程序执行后，若受测的发光元件o发生异常而无法被点亮，则可通过置换新的发光元件o并再次进行测试程序来对存在的缺陷进行修补程序。

接着，请参照图2b及图3c，在确保形成于第一基板100上的多个发光元件o均可正常运作后，形成多个封装层f于第一基板100上，以覆盖所述多个发光元件o。虽然图3c公开的仅为对应剖线ii-ii’(对应一个发光元件o)的部分剖面结构，但根据图2b及图3c所公开的内容，任何所属领域中普通技术人员应可理解，每一发光元件o均由封装层f所覆盖。在本实施方式中，封装层f可为单层结构或多层结构，且封装层f的材质可包括氮化硅、氧化铝、氮碳化硅、氮氧化硅、压克力树脂、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)或玻璃，但本发明并不限于此。

接着，请参照图2c及图3d，在形成封装层f后，移除测试走线tl。在本实施方式中，移除测试走线tl会暴露出第二接触窗h2，如图3d所示。在本实施方式中，移除测试走线tl的方法可包括蚀刻工艺。值得一提的是，由于在形成封装层f后才移除测试走线tl，故封装层f除了可用以使发光元件o与湿气、杂质等隔离，也可用以保护发光元件o以避免其在移除测试走线tl的过程中受到破坏。

接着，请参照图2d及图3e，移除测试走线tl后，于绝缘层110上形成电性连接于多个发光元件o的多个驱动单元u。详细而言，如图2d所示，每一发光元件o可由一个驱动单元u进行驱动。在本实施方式中，驱动单元u可包括驱动元件t，如图3e所示。在本实施方式中，形成驱动元件t的方法可包括以下步骤：于绝缘层110上依序形成半导体层sc、栅绝缘层gi、栅极g、层间绝缘层il、源极s及漏极d，其中半导体层sc包括可以栅极g为屏蔽进行离子掺杂工艺而形成的源极区sr、漏极区dr以及沟道区cr，栅极g与沟道区cr于第一基板100的法线方向n上重叠，源极s经由形成在栅绝缘层gi与层间绝缘层il中的接触开口w1与源极区sr电性连接，漏极d经由形成在栅绝缘层gi与层间绝缘层il中的接触开口w2与漏极区dr电性连接，但本发明并不限于此。在本实施方式中，半导体层sc、栅绝缘层gi、栅极g、层间绝缘层il、源极s及漏极d分别可由任何所属技术领域中普通技术人员所周知的用于发光装置的任一半导体层、任一栅绝缘层、任一栅极、任一层间绝缘层、任一源极及任一漏极来实现，故关于半导体层sc、栅绝缘层gi、栅极g、层间绝缘层il、源极s及漏极d的材质及形成方式等的描述于此不加以赘述。

在本实施方式中，驱动元件t可以是任何所属技术领域中普通技术人员所周知的任一薄膜晶体管，例如低温多晶硅薄膜晶体管(lowtemperaturepoly-siliconthinfilmtransistor，ltpstft)、非晶硅薄膜晶体管(amorphoussilicontft，a-sitft)、微晶硅薄膜晶体管(micro-sitft)或金属氧化物晶体管(metaloxidetransistor)。另外，在本实施方式中，驱动元件t属于顶部栅极型薄膜晶体管，但本发明不限于此。在其他实施方式中，驱动元件t可属于底部栅极型薄膜晶体管。

在本实施方式中，在形成栅极g的工艺期间，还同时形成信号线sl，且在形成源极s及漏极d的工艺期间，还同时形成信号线dl。在本实施方式中，信号线sl不平行于信号线dl，也即信号线sl的延伸方向与信号线dl的延伸方向相交，但本发明并不限于此。另外，在本实施方式中，信号线sl是作为扫描线，信号线dl是作为数据线，但本发明并不限于此。于其他实施方式中，信号线sl是作为数据线，信号线dl是作为扫描线，此时信号线dl与栅极g于同一工艺期间形成，而形成信号线sl是与源极s及漏极d于同一工艺期间形成。另外，如图2d所示，在本实施方式中，信号线dl及信号线sl是经由驱动单元u与发光元件o电性连接。

在本实施方式中，如图3e所示，驱动元件t的漏极d经由形成在栅绝缘层gi与层间绝缘层il中的接触开口w3与第二接触窗h2直接连接。换言之，在本实施方式中，驱动元件t可经由第二接触窗h2、第一导电图案p1及第一接触窗h1与发光元件o电性连接。虽然图3e仅绘示出与发光元件o电性连接的一个驱动元件t，但任何所属技术领域中普通技术人员应可理解，用以驱动发光元件o的驱动单元u实际上是具有例如1t1c的架构、2t1c的架构、3t1c的架构、3t2c的架构、4t1c的架构、4t2c的架构、5t1c的架构、5t2c的架构、6t1c的架构、6t2c的架构、7t2c的架构或是任何可能的架构。另外，虽然图3e公开的仅为对应剖线iv-iv’(对应一个发光元件o)的部分剖面结构，但根据图2d及图3e所公开的内容，任何所属领域中普通技术人员应可理解，每一发光元件o均与驱动单元r中的驱动元件t电性连接。

请再次参照图3e，于绝缘层110上形成覆盖驱动元件t及发光元件o的绝缘层120。在本实施方式中，绝缘层120的材质可为无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料；有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂、或其它合适的材料。在本实施方式中，绝缘层120可为单层结构或多层结构。另外，在本实施方式中，绝缘层120的形成方法可包括物理气相沉积法或化学气相沉积法。

至此，经过前述图3a至图3e所示的工艺后即可大致完成本实施方式的发光装置10的制作。值得说明的是，制造发光装置10的方法包括以下步骤：于第一基板100上形成测试走线tl及第一信号走线l1(步骤s10)，形成电性连接测试走线tl及第一信号走线l1的发光元件o(步骤s20)，经由测试走线tl及第一信号走线l1对发光元件o执行测试程序(步骤s30)，形成覆盖发光元件o的封装层f(步骤s40)，以及移除测试走线tl后，形成电性连接于发光元件o的驱动单元u(步骤s50)，故用以确认发光元件o是否能正常运作的测试程序可在形成发光元件o之后且形成驱动单元u之前执行。如此一来，在制造发光装置10的过程中，排除了驱动单元u于修补程序时会受到破坏的疑虑，由此在执行测试程序后可对发现有异常的发光元件o进行修补程序，达成改善发光装置10的生产良率的目标。另一方面，在发光装置10的制造方法中，由于形成发光元件o的步骤是在形成驱动单元u的步骤之前，故在形成发光元件o的工艺(例如转置工艺)中可不需考虑驱动单元u对温度等环境条件的限制。

在前述发光装置10中，驱动单元u与发光元件o位于绝缘层110的同一侧上，但本发明并不限于此。以下，将参照图4a至图4c针对其他的实施型态进行说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。

图4a至图4d是依照本发明的一实施方式的发光装置在制造过程中不同阶段的剖面示意图。图4a的剖面位置可对应于图2c的剖线iii-iii’的位置，且图4d的剖面位置可对应于图2d的剖线iv-iv’的位置。

请同时参照图4a及图3d，图4a所示的结构与图3d的所示的结构相似，主要差异在于：图4a的绝缘层210不同于图3d的绝缘层110，因此其余构件(即第一基板100、第一信号走线l1、第一导电图案p1、第一接触窗h1、第二接触窗h2、第三接触窗h3、发光元件o、封装层f)的相关描述可参阅前述图3a至图3e所示的实施方式，于此不再赘述。详细而言，在图4a的实施方式中，绝缘层210的材质使得绝缘层210可与第一基板100分离。绝缘层210的材质可为有机材料，其中有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂或其它合适的材料。在本实施方式中，绝缘层210可为单层结构或多层结构。另外，在本实施方式中，绝缘层210的形成方法可包括物理气相沉积法或化学气相沉积法。

接着，请参照图4b，使绝缘层210与第一基板100分离，以暴露出第一信号走线l1及第一导电图案p1。在本实施方式中，使绝缘层210与第一基板100分离的方法可包括激光剥离(laserlift-off)工艺或机械式取下。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，使绝缘层210与第一基板100分离的方法可视绝缘层210的材质而有所不同，因此本发明并不限制使绝缘层210与第一基板100分离的方法。

接着，请参照图4c，提供元件基板300。在本实施方式中，元件基板300可包括第二基板310、驱动单元u、第二信号走线l2、第五接触窗h5及连接结构cs。根据前述图3a至图3e所示的实施方式的说明，任何所属领域中普通技术人员应可理解，图4c公开的仅为部分剖面结构，并且元件基板300实际上可包括多个驱动单元u、多条第二信号走线l2、多个第五接触窗h5及多个连接结构cs。

在本实施方式中，第二基板310的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。在本实施方式中，驱动单元u位于第二基板310上且可包括驱动元件t、第二导电图案p2及第四接触窗h4。驱动元件t的相关描述已于前述图3a至图3e所示的实施方式中进行详尽地说明，故于此不再赘述。在本实施方式中，第二导电图案p2及第四接触窗h4形成于绝缘层320中。在本实施方式中，绝缘层320的材质可为无机材料、有机材料、或其它合适的材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料；有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂、或其它合适的材料。在本实施方式中，绝缘层320可为单层结构或多层结构。另外，在本实施方式中，绝缘层320的形成方法可包括物理气相沉积法或化学气相沉积法。

在本实施方式中，第四接触窗h4与驱动元件t的漏极d直接接触，且第二导电图案p2与第四接触窗h4直接接触。换言之，驱动元件t经由第四接触窗h4与第二导电图案p2电性连接。另外，在本实施方式中，第二导电图案p2及第四接触窗h4的导电材料可在同一工艺步骤中形成，由此第二导电图案p2及第四接触窗h4的导电材料可由相同的材料构成。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，第二导电图案p2可在不同于第四接触窗h4的工艺步骤中形成，此时第二导电图案p2的导电材料的材质可相异于第四接触窗h4的导电材料的材质。基于导电性的考虑，第二导电图案p2及第四接触窗h4的导电材料一般是使用金属材料来制作。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，第二导电图案p2及第四接触窗h4的导电材料也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。

在本实施方式中，第二信号走线l2位于第二基板310上。在本实施方式中，第二信号走线l2及驱动元件t的源极s与漏极d可在同一工艺步骤中形成，由此第二信号走线l2、源极s与漏极d可由相同的材料构成。

在本实施方式中，第五接触窗h5及连接结构cs形成于绝缘层320中。在本实施方式中，第五接触窗h5与第二信号走线l2直接接触，且连接结构cs与第五接触窗h5直接接触。换言之，第二信号走线l2经由第五接触窗h5与连接结构cs电性连接。另外，在本实施方式中，第五接触窗h5的导电材料及连接结构cs的导电材料可在同一工艺步骤中形成，由此第五接触窗h5的导电材料及连接结构cs的导电材料可由相同的材料构成。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，连接结构cs可在不同于第五接触窗h5的工艺步骤中形成，此时连接结构cs的导电材料的材质可相异于第五接触窗h5的导电材料的材质。基于导电性的考虑，第五接触窗h5的导电材料及连接结构cs的导电材料一般是使用金属材料来制作。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，第五接触窗h5的导电材料及连接结构cs的导电材料也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、非金属但具导电特性的材料、或是其它合适的材料。

接着，请同样参照图4c，在提供元件基板300后，执行设置导电胶层400的步骤。在本实施方式中，导电胶层400设置在元件基板300上，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，导电胶层400可形成在绝缘层210上。在本实施方式中，导电胶层400可例如是异方性导电胶层(anisotropicconductivefilm，acf)。

接着，请参照图4d，使绝缘层210经由导电胶层400与元件基板300贴合，以使驱动单元u电性连接于发光元件o。详细而言，在本实施方式中，第二导电图案p2经由导电胶层400与第一导电图案p1电性连接。如前文所述，驱动元件t经由第四接触窗h4与第二导电图案p2，且发光元件o经由第一接触窗h1与第一导电图案p1电性连接，故使绝缘层210与元件基板300贴合后，驱动元件t经由第四接触窗h4、第二导电图案p2、第一导电图案p1和第一接触窗h1而与发光元件o电性连接。从另一观点而言，在本实施方式中，驱动单元u与发光元件o分别位在绝缘层210的相对两侧上。

另外，在本实施方式中，连接结构cs经由导电胶层400与第一信号走线l1电性连接。如前文所述，第二信号走线l2经由第五接触窗h5与连接结构cs，且发光元件o经由第三接触窗h3与第一信号走线l1电性连接，故使绝缘层210与元件基板300贴合后，第二信号走线l2经由第五接触窗h5、连接结构cs、第一信号走线l1和第三接触窗h3而与发光元件o电性连接。其余部分请参考前述实施方式，在此不赘述。

至此，经过前述图4a至图4d所示工艺后即可大致完成本实施方式的发光装置20的制作。值得说明的是，制造发光装置20的方法包括以下步骤：于第一基板100上形成测试走线tl及第一信号走线l1(步骤s10)，形成电性连接测试走线tl及第一信号走线l1的发光元件o(步骤s20)，经由测试走线tl及第一信号走线l1对发光元件o执行测试程序(步骤s30)，形成覆盖发光元件o的封装层f(步骤s40)，以及移除测试走线tl后，形成电性连接于发光元件o的驱动单元u(步骤s50)，故用以确认发光元件o是否能正常运作的测试程序可在形成发光元件o之后且形成驱动单元u之前执行。如此一来，在制造发光装置20的过程中，排除了驱动单元u于修补程序时会受到破坏的疑虑，由此在执行测试程序后可对发现有异常的发光元件o进行修补程序，达成改善发光装置20的生产良率的目标。另一方面，在发光装置20的制造方法中，由于形成发光元件o的步骤是在形成驱动单元u的步骤之前，故在形成发光元件o的工艺(例如转置工艺)中可不需考虑驱动单元u对温度等环境条件的限制。

另外，在前述发光装置20中，绝缘层210是经由导电胶层400与元件基板300贴合，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，绝缘层210与元件基板300之间可不设置有导电胶层400(也即在使绝缘层210与元件基板300贴合之前可不包括执行设置导电胶层400的步骤)，此时绝缘层210会与元件基板300直接连接，第二导电图案p2会与第一导电图案p1直接连接，连接结构cs会与第一信号走线l1直接连接。

另外，在前述发光装置20中，绝缘层210仅与一层元件基板300贴合，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，绝缘层210可与彼此堆叠的多个元件基板贴合。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。