技术特征：
技术总结
本发明提供了一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，本发明通过在衬底上形成遮光层薄膜，在遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜，通过一次构图工艺对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层，多晶硅层在遮光层上的正投影位于遮光层所在的区域内。通过形成在衬底上的遮光层实现遮光效果的同时，代替现有低温多晶硅基板中的缓冲层，在对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理时，只需采用一次构图工艺就可得到遮光层和多晶硅层，简化了整个低温多晶硅基板的制作工艺，同时也减小了低温多晶硅基板的厚度，从而可降低低温多晶硅基板的制作成本。
技术研发人员：赵永亮;许卓;崔星花
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
技术研发日：2019.03.15
技术公布日：2019.05.21