集成电路器件、形成对准测量图形的方法以及光掩模与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种集成电路器件、形成对准测量图形的方法以及光掩模。集成电路器件包括多个半导体层，该多个半导体层的至少一个半导体层具有对准测量图形，该对准测量图形包括多组标记，每组标记包括交替排列的凸条和凹槽，且每组标记在垂直于标记延伸方向的最外侧为凹槽。

技术研发人员：江奇辉;冯耀斌;吴年丰;张鹏真;郭龙霞
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.03.29
技术公布日：2019.06.07