一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体及其制备方法与流程

文档序号:18559026发布日期:2019-08-30 23:01阅读:741来源:国知局
一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体及其制备方法与流程

本发明属于锂离子电池技术领域,具体涉及一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的制备方法。



背景技术:

锂离子电池因其能量密度和功率密度大、循环寿命长、稳定性好等突出的优点已被广泛应用于通信、汽车、航空航天等领域。但随着技术的发展以及实际需要的提出,锂离子电池也需要进一步的提高与改进。锂离子电池体系内,集流体是必不可少的组成部分。它不仅是活性物质的载体,还起到汇集电流以形成更大电流输出的作用。因此要求集流体与活性物质充分接触,具有较强结合力,使其得到充分的利用,并使内阻尽可能小。

传统的负极集流体材料选用表面光滑的铜箔,将电极活性材料直接涂敷在铜箔表面,但由于铜箔自身性质所限,铜箔集流体仍存在一定不足之处:(1)铜箔与活性物质结合强度差,容易脱落,从而导致电池失效;(2)活性物质与铜箔表面接触不均匀,多为点接触,因此导电性差且内阻较大;(3)由铜箔制得的负极与电解液浸润性差,接触面积小,导致电池极化较严重。



技术实现要素:

为了解决上述问题,本发明提供了一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的制备方法,通过等离子体增强化学气相沉积法原位制备垂直石墨烯-铜箔复合集流体,提高集流体与活性物质间的结合强度,促进负极与电解液浸润,降低电池内阻并减少极化现象,本方法操作简单,成本较低,适于大规模生产。

本发明通过如下技术方案实现:

一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的制备方法,包括以下步骤:

(1)铜箔的预处理:将厚度为20-60μm的铜箔依次用丙酮溶液和无水乙醇溶液超声清洗10-30min,再将清洗过的铜箔置于浓度为0.1-1mol/l的hcl溶液中,在水浴锅中60℃水浴20min,得到预处理的铜箔;

(2)层状纳米铜-铜箔制备:将预处理后的铜箔置于真空蒸镀镀膜机内,在低于1×10-4pa条件下进行真空蒸镀,在铜箔表面蒸镀80-90nm厚的纳米铜,纳米铜颗粒尺寸范围为300-500nm,重复蒸镀3-5次,制得层状纳米铜-铜箔材料;

(3)垂直石墨烯的原位生长:将步骤(2)制得的层状纳米铜-铜箔材料置于等离子体增强化学气相沉积设备(pecvd)的反应室中,抽真空并按照一定的升温速率进行升温,在真空度抽至1×10-4pa以下,且反应室加热台达到设定温度后,通入氩气和碳源气体,设置压强与功率进行反应,在铜箔表面原位生长垂直石墨烯,得到垂直石墨烯-铜箔复合集流体。

进一步地,步骤(3)所述的升温速率在3-8℃/min区间内,设定保温温度范围为700-1000℃,所述碳源气体为甲烷、乙烯或乙炔,反应压强范围为400-600pa,反应功率范围为200-350w,反应时间为50-80min。

进一步地,步骤(3)所述的碳源气体与氩气的体积比为1:3-6。

本发明所述的垂直石墨烯-铜箔复合集流体,其表面呈微米级花瓣状结构,其接触角范围为125-143.5°,具有超疏水亲油特性。

与现有技术相比,本发明的优点如下:

(1)本发明通过等离子体增强化学气相沉积法原位制备垂直石墨烯-铜箔复合集流体,其表面具有微米级花瓣状结构,其接触角范围为125-143.5°,具有超疏水亲油特性,能够有效的改善集流体与活性物质界面的浸润性,增加接触面,提高结合强度,使活性物质不易脱落,从而降低界面阻抗;并且促进由此集流体制得负极与电解液的浸润,使电解液与负极活性物质充分接触,增加接触面积,减少电池极化。

(2)石墨烯导电性好,能够形成导电网络以改善整体导电性,进一步降低电池内阻,同时稳定的表面结构能提升循环稳定性与寿命。

(3)通过本发明制备的垂直石墨烯分布均匀,结合牢固,缺陷少,而且操作简单、参数可控、适于大规模生产。

附图说明

图1为石墨烯-铜箔复合集流体的扫描电镜图像;

其中:a为商业铜箔集流体,b为商业涂碳铜集流体,c为本发明制备的垂直石墨烯-铜箔复合集流体;

图2为三种集流体测得的表面接触角图片,其中:a为商业铜箔集流体,b为本发明制备的垂直石墨烯-铜箔复合集流体,c为商业涂碳铜集流体;

图3为以三种集流体组装而成的锂离子电池的阻抗图;其中:bc为商业铜箔集流体,vg为本发明制备的垂直石墨烯-铜箔复合集流体,cc为商业涂碳铜集流体;

图4为以三种集流体组装而成的锂离子电池的放电容量曲线,其中:bc为商业铜箔集流体,vg为本发明制备的垂直石墨烯-铜箔复合集流体,cc为商业涂碳铜集流体。

图5为三种电池倍率性测试曲线,其中bc为商业铜箔集流体,vg为本发明制备的垂直石墨烯-铜箔复合集流体,cc为商业涂碳铜集流体。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步地说明。

实施例1

一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的制备方法,包括以下步骤:

(1)铜箔的预处理:

将厚度为20-60μm的铜箔依次用丙酮溶液和无水乙醇溶液超声清洗20min,再将清洗过的铜箔置于浓度为0.25mol/l的hcl溶液中,在水浴锅中60℃水浴20min,得到预处理的铜箔;

(2)层状纳米铜-铜箔制备:将预处理后的铜箔置于真空蒸镀镀膜机内,在低于1×10-4pa条件下进行真空蒸镀,在铜箔表面蒸镀80nm厚的纳米铜,纳米铜颗粒尺寸范围为350nm,重复蒸镀5次,制得层状纳米铜-铜箔材料;

(3)垂直石墨烯的原位生长:

将预处理的铜箔置于等离子体增强化学气相沉积(pecvd)的反应室中,抽真空并按照5℃/min的升温速率进行升温,将真空度抽至1×10-4pa以下,且反应室加热台达到设定温度890℃后,通入氩气和甲烷,体积比为1:4,在压强550pa和功率300w条件下反应60min,在铜箔表面原位生长垂直石墨烯,获得垂直石墨烯-铜箔复合集流体。

本发明提供一种半电池组装方法,并据此进行测试分析,步骤如下:

(1)半电池活性物质浆料配制

将石墨粉、导电碳以及作为粘结剂的聚偏氟乙烯(pvdf)按照6:1:3的比例混合,再溶于溶剂内研磨均匀,制成浆体;

(2)集流体的涂覆制备:

将制备好的浆体均匀涂覆在垂直石墨烯-铜箔复合集流体上,再放入真空干燥箱中60℃干燥12h;

(3)半电池组装

以制备好的样品作正极,以商业锂片做负极,电解液为商业锂离子电解液,在充满氩气的手套箱中组装cr2032型号锂离子纽扣电池。

对比样品为商业铜箔集流体、商业涂碳铜集流体,组装电池的方法相同。

图1为商业铜箔集流体、商业涂碳铜集流体和垂直石墨烯-铜箔复合集流体的扫描电镜图像。从图中可以看出,商业铜箔集流体表面光滑,商业涂碳铜集流体表面存在纳米级碎片,垂直石墨烯-铜箔复合集流体表面有微米级花瓣状结构,这表明在铜箔表面原位生长石墨烯能够有效改善表面结构,如图2所示,测量了三种集流体的接触角,本发明制得的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的接触角为128.1°,具有超疏水亲油特性,增加了与活性物质的接触面积,从而增大结合强度,降低阻抗。

图3为以三种集流体组装而成的锂离子电池的阻抗图。从图中可以看出,商业涂碳铜集流体和垂直石墨烯-铜箔复合集流体的界面电阻分别为94.2ω和58.6ω。由此可见,垂直石墨烯-铜箔复合集流体的内阻更低,主要因为石墨烯的高电导率增强了导电性并降低了阻抗。

图4为以三种集流体组装而成的锂离子电池的放电容量曲线。从图中可以看出,尽管在初始循环中,垂直石墨烯-铜箔集流体的速率性能低于商业涂碳铜集流体,但在连续循环后,容量得到明显加强。在100个循环周期内,垂直石墨烯-铜箔集流体的容量保持在了190mah/g,高于商业涂碳铜集流体的160mah/g和商业铜箔集流体的90mah/g。这表明垂直石墨烯-铜箔复合集流体能够有效提高放电容量、能量密度和功率密度,不易发生极化,循环稳定性好。

实施例2

一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的制备方法,包括以下步骤:

(1)铜箔的预处理:

将厚度为40μm的铜箔依次用丙酮溶液和无水乙醇溶液超声清洗20min,再将清洗过的铜箔置于浓度为0.25mol/l的hcl溶液中,在水浴锅中60℃水浴20min,得到预处理的铜箔;

(2)层状纳米铜-铜箔制备:将预处理后的铜箔置于真空蒸镀镀膜机内,在低于1×10-4pa条件下进行真空蒸镀,在铜箔表面蒸镀85nm厚的纳米铜,纳米铜颗粒尺寸范围为380nm,重复蒸镀4次,制得层状纳米铜-铜箔材料;

(3)垂直石墨烯的原位生长:

将预处理的铜箔置于等离子体增强化学气相沉积(pecvd)的反应室中,抽真空并按照5℃/min的升温速率进行升温,将真空度抽至1×10-4pa以下,且反应室加热台达到设定温度950℃后,通入氩气和甲烷,体积比为1:5,在压强500pa和功率250w条件下反应80min,在铜箔表面原位生长垂直石墨烯,获得垂直石墨烯-铜箔复合集流体。

以制备好的样品作正极,以商业锂片做负极,电解液为商业锂离子电解液,在充满氩气的手套箱中组装cr2032型号锂离子纽扣电池。

对比样品为商业铜箔集流体、商业涂碳铜集流体,组装电池的方法相同。

对三种电池进行效率测试,如图5所示为三种电池倍率性测试的试验数据,结果表明基于本发明所制得的垂直石墨烯-铜箔复合集流体组装电池具有更优良的电池性能,远超于商业铜箔集流体、商业涂碳铜集流体的性能。

综上所述,基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体性能优异,能有效改善现有铜箔集流体表面微观结构,增加其与活性物质的结合强度,提高负极与电解液的浸润性并且降低阻抗。

上述实例为本发明进一步的阐述说明,需要指出的是,所描述的实施方式仅为其中一部分,并不能成为本发明的限制。基于本发明原理所做出的改进和修饰均属于本发明的保护范围之内。

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