一种LED芯片及其制作方法与流程

本申请涉及制造技术领域，尤其涉及一种led芯片及其制作方法。

背景技术：

由于发光二极管(lightemittingdiode，led)具有亮度高、寿命长、体积小和能耗低等优点，被视为新一代照明工具，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。但是，现有led芯片的取光效率较低。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种led芯片及其制作方法，以提高所述led芯片的取光效率。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种led芯片的制作方法，该方法包括：

在衬底的第一侧表面形成第一半导体层；

在所述第一半导体层背离所述衬底的一侧形成发光层；

在所述发光层背离所述第一半导体层的一侧形成第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层的掺杂类型不同；

对所述第二半导体层和所述发光层对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层；

利用预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底交界位置所在的平面与所述衬底所在平面之间的夹角为锐角，所述预设溶液中包括四甲基氢氧化铵。

可选的，所述预设表面与所述衬底交界位置所在的平面与所述衬底所在平面之间的夹角的取值范围为60°-90°，包括60°，但不包括90°。

可选的，所述预设表面为内凹的弧形表面或平面。

可选的，利用预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层的侧壁具有预设表面包括：

形成覆盖所述第二半导体层表面和侧壁、覆盖所述发光层侧壁以及所述第一半导体层表面的保护层；

以所述保护层为掩膜，利用预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层的侧壁具有预设表面。

可选的，所述保护层为二氧化硅层、氮化硅层或氧化铪层。

可选的，所述预设溶液中四甲基氢氧化铵的浓度取值范围为5％-25％，包括端点值。

可选的，所述利用预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀的温度取值范围为50℃-120℃，包括端点值；所述利用预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀的时间取值范围为20分钟-120分钟，包括端点值。

可选的，利用预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀前还包括：

对所述第一半导体层的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底，所述衬底曝露部分环绕所述第一半导体层。

一种led芯片，其特征在于，该led芯片利用上述任一项所提供的制作方法制作，该led芯片包括：

衬底；

位于所述衬底第一侧表面的第一半导体层；

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的发光层；

位于所述发光层背离所述第一半导体层一侧的第二半导体层；

其中，所述第一半导体层的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底交界位置所在的平面与所述衬底所在平面之间的夹角为锐角。

可选的，所述预设表面与所述衬底交界位置所在的平面与所述衬底所在平面之间的夹角取值范围为60°-90°，包括60°，但不包括90°；和/或，所述预设表面为内凹的弧形表面或平面。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本申请实施例所提供的技术方案，通过利用包括有四甲基氢氧化铵的预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底交界位置所在的平面与所述衬底所在平面之间的夹角为锐角，从而改变使得所述发光层射向所述第一半导体层侧壁的光线在所述第一半导体层侧壁的入射角，增大所述第一半导体层侧壁的取光效率，进而提高所述led芯片的取光效率。

而且，本申请实施例所提供的技术方案，利用包括有四甲基氢氧化铵的预设溶液对所述第一半导体层的侧壁进行腐蚀，形成的所述预设表面较为光滑，不但使得所述led芯片的抗esd击穿能力强，降低了所述led芯片存在esd击穿的风险，而且降低了所述led芯片上残留金属离子或不溶性的絮状物的概率，甚至使得所述led芯片上没有金属离子或不溶性的絮状物或其他产物的残留，提高了所述led芯片的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例所提供的led芯片的制作方法的流程图；

图2-图15本申请一个实施例所提供的led芯片的制作方法中各步骤形成的结构剖视图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

正如背景技术部分所述，现有led芯片的取光效率较低。

具体工作时，led有源区发出的光大部分是从p型区的顶部出射到空气中，但是led有源区和p型区的折射率差异很大，例如p型区为氮化镓层时，氮化镓(gan)材料折射率为2.5，空气折射率为1，光从p型区传输到空气中，从氮化镓层到空气的入射角大于23°的光，会在两者的界面处发生全反射，从而在芯片内部进行来回传输，最终因为半导体材料对光的吸收和全反射被不断地损耗掉，最终导致整个芯片取光效率较低。

发明人研究发现，可以对p型区的表面粗化提升led芯片的取光效率，如利用氢氧化钾或磷酸在p型区表面或侧壁形成周期性或随机性的结构，来改变部分光线入射到所述p型区与空气界面上的入射角，使其能够从芯片出射到空气中，提高取光效率。但是，这种方法制备出的所述led芯片的侧壁较为粗糙，不但使得led存在esd(electro-staticdischarge，静电释放)击穿的风险，而且，还使得led芯片上容易残留金属离子或不溶性的絮状物，影响芯片的性能。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种led芯片的制作方法，如图1所示，该方法包括：

s1：在衬底的第一侧表面形成第一半导体层。

具体的，在本申请的一个实施例中，在所述衬底第一侧表面形成所述第一半导体层包括：

如图2所示，提供一生长衬底101，可选的，在本申请的一个实施例中，所述衬底101为蓝宝石衬底，在本申请的另一个实施例中，所述衬底101为硅衬底，在本申请的其他实施例中，所述衬底101还可以为碳化硅衬底或其他材料的衬底，本申请对此并不做限定，具体视情况而定；

如图3所示，在所述衬底101的第一侧表面形成第一半导体层102，可选的，所述第一半导体层102为n型半导体层，具体的，在本申请的一个实施例中，所述第一半导体层102为n型氮化镓层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

s2：如图4所示，在所述第一半导体层102背离所述衬底101的一侧形成发光层103，可选的，所述发光层103为量子阱发光层。

s3：如图5所示，在所述发光层103背离所述第一半导体层102的一侧形成第二半导体层104，所述第二半导体层104与所述第一半导体层102的掺杂类型不同。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述第二半导体层104为p型半导体层，具体的，在本申请的一个实施例中，所述第二半导体层104为p型氮化镓层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述第一半导体层102、所述发光层103和所述第二半导体层104组成外延结构。

s4：对所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102。

可选的，在本申请的一个实施例中，所述第一预设区域为后续形成n型电极的区域，在本申请实施例中，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102包括：

如图6所示，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应待形成n型电极的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102表面，所述第一半导体层102曝露的表面位于所述第二半导体层104和所述发光层103的一侧。

在本申请的一个实施例中，所述第一预设区域不仅包括后续形成n型电极的区域，还包括所述第二半导体层104和所述发光层103的边缘区域，在本申请实施例中，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102包括：

如图7所示，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102表面，所述第一半导体层102曝露的表面环绕所述第二半导体层104和所述发光层103，以降低对所述第二半导体层104和所述发光层103对应预设区域的部分进行刻蚀时的工艺难度。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应待形成n型电极的部分进行刻蚀包括：利用干法刻蚀工艺，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应待形成n型电极的部分进行刻蚀；可选的，在本申请的一个实施例中，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应待形成n型电极的部分进行刻蚀包括：利用等离子体刻蚀工艺，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应待形成n型电极的部分进行刻蚀，在本申请的其他实施例中，还可以采用其他工艺，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应待形成n型电极的部分进行刻蚀，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在上述实施例中，对所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102时可以仅刻蚀掉所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分，也可以不仅刻蚀掉所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分，还延伸到所述第一半导体层102内，刻蚀掉所述第一半导体层102的部分，只要暴露出部分所述第一半导体层102即可。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在对所述第二半导体层104和所述发光层103对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分所述第一半导体层102之后，利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀前，该方法还包括：

如图8所示，对所述第一半导体层102的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底101，所述衬底101曝露部分环绕所述第一半导体层102，以降低后续利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面时的工艺难度，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，对所述第一半导体层102的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底101，所述衬底101曝露部分环绕所述第一半导体层102包括：利用干法刻蚀工艺，对所述第一半导体层102的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底101，所述衬底101曝露部分表面环绕所述第一半导体层102。具体的，在本申请的一个实施例中，对所述第一半导体层102的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底101，所述衬底101曝露部分环绕所述第一半导体层102包括：利用等离子体刻蚀工艺，对所述第一半导体层102的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底101，所述衬底101曝露部分表面环绕所述第一半导体层102。在本申请的其他实施例中，还可以采用其他工艺，对所述第一半导体层102的第二预设区域进行刻蚀，曝露部分衬底101，使得所述衬底101曝露部分表面环绕所述第一半导体层102，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

s5：如图9所示，利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角a为锐角，所述预设溶液中包括四甲基氢氧化铵。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角a的取值范围为60°-90°，包括60°，不包括90°。需要说明的是，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角a越小，所述led芯片的取光效率越好，所述led芯片的工艺难度越大。

在本申请上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述预设溶液为四甲基氢氧化铵的水溶液，在本申请的另一个实施例中，所述预设溶液为添加了缓冲剂的四甲基氢氧化铵溶液，即为添加剂和四甲基氢氧化铵水溶液的混合溶液，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

可选的，在本申请的一个实施例中，利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面包括：

如图10所示，形成覆盖所述第二半导体层104表面和侧壁、覆盖所述发光层103侧壁以及所述第一半导体层102表面的保护层105；

如图11所示，以所述保护层105为掩膜，利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角a为锐角。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述保护层105为二氧化硅层，在本申请的另一个实施例中，所述保护层105为氮化硅层。在本申请的其他实施例中，所述保护层105还可以为氧化铪等其他材料层，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述预设溶液中四甲基氢氧化铵的浓度取值范围为5％-25％，包括端点值；所述利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀的温度取值范围为50℃-120℃，包括端点值；所述利用预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀的时间取值范围为20分钟-120分钟，包括端点值。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述预设表面为内凹的弧形表面，在本申请的另一个实施例中，所述预设表面为平面，即所述第一半导体层102的侧壁为斜面，本申请对此并不做限定，只要其能够增大所述第一半导体层102侧壁的取光效率，且形成的所述预设表面为光滑表面即可，具体视情况而定。

需要说明的是，所述预设表面的形状及其与所述衬底101所在平面之间的夹角和所述led芯片在对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀时的排布方式、对所述第一半导体层102侧壁的腐蚀时间和腐蚀时的环境温度等有关。

具体的，由于四甲基氢氧化铵(tmah)对氮化镓各个晶格方向存在各向异性腐蚀，因此，所述led芯片在晶圆上的排列方式将对侧壁的形状产生影响，如横向排列或纵向排列或斜角排列，因此，本申请实施例所提供的led芯片的制作方法，在所述led芯片的制作过程中，可以通过不同的排列方式，来改变所述第一半导体层102的侧壁的形状，以及所述第一半导体层102侧壁所在平面与所述衬底101所在平面之间的夹角。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，该方法在形成覆盖所述第二半导体层104表面和侧壁、覆盖所述发光层103侧壁以及所述第一半导体层102表面的保护层105之前还包括：

如图12所示，在所述第二半导体层104表面形成电流扩展层106，在所述电流扩展层106形成之后再形成所述保护层105，如图13所示，所述保护层105覆盖电流扩展层106表面和侧壁、覆盖所述第二半导体层104的侧壁、覆盖所述发光层103侧壁以及所述第一半导体层102表面。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述电流扩展层106为透明导电层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，该方法还包括：

如图14所示，对所述保护层105对应第三预设区域和第四预设区域的部分进行刻蚀，露出所述第一半导体层102部分表面以及所述第二半导体层104(或电流扩展层106)部分表面，以便后续在所述第三预设区域形成于所述第一半导体层102电连接的第一电极以及在所述第四预设区域与所述第二半导体层104电连接的第二电极；

如图15所示，在所述第三预设区域形成于所述第一半导体层102电连接的第一电极107以及在所述第四预设区域与所述第二半导体层104电连接的第二电极108。可选的，所述第一电极107为n型电极，所述第二电极108为p型电极。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，对所述保护层105对应第三预设区域和第四预设区域的部分进行刻蚀包括：利用干法刻蚀工艺，对所述保护层105对应第三预设区域和第四预设区域的部分进行刻蚀。具体的，在本申请的一个实施例中，对所述保护层105对应第三预设区域和第四预设区域的部分进行刻蚀包括：利用等离子体刻蚀工艺，对所述保护层105对应第三预设区域和第四预设区域的部分进行刻蚀。但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，还可以采用其他工艺，对所述保护层105进行刻蚀，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，在所述第三预设区域形成与所述第一半导体层102电连接的第一电极107以及在所述第四预设区域与所述第二半导体层104电连接的第二电极108包括：利用蒸镀工艺，在所述第三预设区域形成与所述第一半导体层102电连接的第一电极107以及在所述第四预设区域与所述第二半导体层104电连接的第二电极108，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，还可以采用其他工艺，在所述第三预设区域形成与所述第一半导体层102电连接的第一电极107以及在所述第四预设区域与所述第二半导体层104电连接的第二电极108，具体视情况而定。

可选的，所述第一电极107和所述第二电极108在同一歩工艺中形成，更可选的，所述第一电极107和所述第二电极108为金属电极，以降低所述第一电极107和所述第二电极108的电阻率，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

由上所述可知，本申请实施例所提供的led芯片的制作方法，通过利用包括有四甲基氢氧化铵的预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀，使得所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角为锐角，从而改变使得所述发光层103射向所述第一半导体层102侧壁的光线在所述第一半导体层102侧壁的入射角，增大所述第一半导体层102侧壁的取光效率，进而提高所述led芯片的取光效率。

需要说明的是，在封装测试中，相较于所述led芯片中第一半导体层102侧壁与所述衬底101所在平面垂直的结构，本申请实施例所提供的led芯片的制作方法制作的led芯片的发光亮度可以提升约0.5％～1.5％，且不会引起其他光电特性的衰减。

而且，本申请实施例所提供的led芯片的制作方法，利用包括有四甲基氢氧化铵的预设溶液对所述第一半导体层102的侧壁进行腐蚀形成的所述预设表面较为光滑，不但使得所述led芯片的抗esd击穿能力强，降低了所述led芯片存在esd击穿的风险，而且降低了所述led芯片上残留金属离子或不溶性的絮状物的概率，甚至使得所述led芯片上没有金属离子或不溶性的絮状物或其他产物的残留，提高了所述led芯片的性能。

相应的，本申请实施例还提供了一种利用上述任一实施例所提供的led芯片。具体的，如图15所示，该led芯片包括：

衬底101，可选的，所述衬底101为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底等；

位于所述衬底101第一侧表面的第一半导体层102；

位于所述第一半导体层102背离所述衬底101一侧的发光层103，可选的，所述发光层103为量子阱发光层；

位于所述发光层103背离所述第一半导体层102一侧的第二半导体层104，所述第二半导体层104与所述第一半导体层102的掺杂类型不同，可选的，所述第一半导体层102为n型半导体层，如n型氮化镓层，所述第二半导体层104为p型半导体层，如p型氮化镓层；

其中，所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角为锐角。

可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角a的取值范围为60°-90°，包括60°，但不包括90°。需要说明的是，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角a越小，所述led芯片的取光效率越好，所述led芯片的工艺难度越大。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述预设表面为内凹的弧形表面，在本申请的另一个实施例中，所述预设表面为平面，即所述第一半导体层102的侧壁为斜面，本申请对此并不做限定，只要其能够增大所述第一半导体层102侧壁的取光效率，且形成的所述预设表面为光滑表面即可，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述led芯片还包括：

覆盖所述第二半导体层104表面和侧壁、覆盖所述发光层103侧壁以及所述第一半导体层102表面的保护层105，可选的，所述保护层105为二氧化硅层、氮化硅层或氧化铪等其他材料层，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本申请实施例中，所述保护层105具有对应第三预设区域的第三通孔以及对应第四预设区域的第四通孔，其中，所述第三通孔用于后续形成与所述第一半导体层102电连接的第一电极107，所述第四通孔用于后续形成与所述第二半导体层104电连接的第二电极108。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，该led芯片还包括：

位于所述第二半导体层104与所述保护层105之间的电流扩展层106，此时，所述保护层105覆盖电流扩展层106表面和侧壁、覆盖所述第二半导体层104的侧壁、覆盖所述发光层103侧壁以及所述第一半导体层102表面。

可选的，所述电流扩展层106为透明导电层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述led芯片还包括：通过所述第三通孔与所述第一半导体层102电连接的第一电极107以及通过所述第四通孔与所述第二半导体层104电连接的第二电极108。

可选的，所述第一电极107和所述第二电极108为金属电极，以降低所述第一电极107和所述第二电极108的电阻率，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。

综上，本申请实施例所提供的led芯片，所述第一半导体层102的侧壁具有预设表面，所述预设表面与所述衬底101交界位置所在的平面与所述衬底101所在平面之间的夹角为锐角，从而改变使得所述发光层103射向所述第一半导体层102侧壁的光线在所述第一半导体层102侧壁的入射角，增大所述第一半导体层102侧壁的取光效率，进而提高所述led芯片的取光效率。

而且，本申请实施例所提供的led芯片，所述第一半导体层的侧壁通过包括有四甲基氢氧化铵的预设溶液腐蚀形成，表面较为光滑，不但使得所述led芯片的抗esd击穿能力强，降低了所述led芯片存在esd击穿的风险，而且降低了所述led芯片上残留金属离子或不溶性的絮状物的概率，甚至使得所述led芯片上没有金属离子或不溶性的絮状物或其他产物的残留，提高了所述led芯片的性能。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。