半导体封装件的制作方法

文档序号:21281177发布日期:2020-06-26 23:39阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体封装件,包括:

半导体芯片,具有连接垫;

包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及

连接结构,设置在所述半导体芯片上和所述包封剂上,

其中,所述连接结构包括:第一绝缘层;第一重新分布层,设置在所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层,

所述第一重新分布层具有一个或更多个开口,

所述开口分别具有包括多个突起的形状,并且

b/a为1.5或更小,其中,a表示所述第一重新分布层的厚度,并且b表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述b/a为0.5或更大。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一重新分布层的厚度为10μm或更小。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述第一重新分布层的厚度为1μm或更大。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述开口具有十字形形状。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二绝缘层填充所述开口中的每个的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为感光绝缘层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,

其中,所述连接构件还包括设置在所述第二绝缘层上的第二重新分布层,并且

其中,所述第二重新分布层包括一个或更多个布线图案,其中,所述一个或更多个布线图案的至少一部分在平面图中分别与所述开口重叠。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件,其中,所述布线图案的宽度各自为10μm或更小。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述布线图案的宽度各自为1μm或更大。

11.根据权利要求8所述的半导体封装件,

其中,在平面图中,所述第二重新分布层包括:

第一布线图案,具有分别与所述开口的中心以及所述多个突起中的至少两个突起的端部重叠的至少部分;

第二布线图案,设置在所述第一布线图案的一侧上,并且具有与所述多个突起中的一个突起的端部重叠的至少一部分;以及

第三布线图案,设置在所述第一布线图案的另一侧上,并且具有与所述多个突起中的另一突起的端部重叠的至少一部分。

12.根据权利要求8所述的半导体封装件,

其中,在平面图中,所述第二重新分布层包括:

第一布线图案,与所述开口的中心重叠并且与所述多个突起的端部间隔开;

第二布线图案,设置在所述第一布线图案的一侧上,并且具有分别与所述多个突起中的两个突起的端部重叠的至少部分;以及

第三布线图案,设置在所述第一布线图案的另一侧上,并且具有分别与所述多个突起中的另外两个突起的端部重叠的至少部分。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括具有通孔的框架,

其中,所述半导体芯片设置在所述通孔中,并且

所述包封剂填充所述通孔的至少一部分。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,

其中,所述框架包括:

第一积聚层,与所述第一绝缘层接触;

第一布线层,与所述第一绝缘层接触并且嵌在所述第一积聚层中;

第二布线层,设置在所述第一积聚层的与嵌有所述第一布线层的一侧相对的一侧上;

第二积聚层,设置在所述第一积聚层上并且覆盖所述第二布线层;以及

第三布线层,设置在所述第二积聚层的与嵌有所述第二布线层的一侧相对的一侧上,并且

所述第一布线层、所述第二布线层和所述第三布线层电连接到所述连接垫。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件,

其中,所述框架包括:

芯层;

第一布线层和第二布线层,分别设置在所述芯层的两个表面上;

第一积聚层和第二积聚层,分别设置在所述芯层的两个表面上,并且所述第一积聚层覆盖所述第一布线层,所述第二积聚层覆盖所述第二布线层;

第三布线层,设置在所述第一积聚层的与嵌有所述第一布线层的一侧相对的一侧上;以及

第四布线层,设置在所述第二积聚层的与嵌有所述第二布线层的一侧相对的一侧上,并且

其中,所述第一布线层、所述第二布线层、所述第三布线层和所述第四布线层电连接到所述连接垫。

16.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述一个或更多个开口贯穿所述第一重新分布层的一个连续图案。

17.一种半导体封装件,包括:

半导体芯片,具有连接垫;

包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及

连接结构,设置在所述半导体芯片和所述包封剂上,

其中,所述连接结构包括:第一绝缘层;重新分布层,设置在所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述重新分布层,

所述重新分布层具有多个开口,每个所述开口具有十字形形状,并且

所述重新分布层的厚度为10μm或更小。

18.根据权利要求17所述的半导体封装件,其中,所述多个开口中的一个或更多个贯穿所述重新分布层的一个连续图案。

19.一种半导体封装件,包括:

半导体芯片,具有连接垫;

包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及

连接结构,设置在所述半导体芯片和所述包封剂上,

其中,所述连接结构包括:第一绝缘层;第一重新分布层,设置在所述第一绝缘层上;第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层;以及第二重新分布层,设置在所述第二绝缘层上,

所述第一重新分布层具有多个第一开口,每个所述第一开口具有十字形形状,

所述第二重新分布层具有多个第二开口,每个所述第二开口具有十字形形状,并且

在平面图中,所述多个第一开口和所述多个第二开口彼此间隔开。

20.根据权利要求19所述的半导体封装件,其中,所述多个第一开口中的一个或更多个贯穿所述第一重新分布层的一个连续图案,

所述多个第二开口中的一个或更多个贯穿所述第二重新分布层的一个连续图案,

在平面图中,所述第一重新分布层的所述一个连续图案和所述第二重新分布层的所述一个连续图案彼此至少部分地重叠。


技术总结
本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有连接垫;包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;以及连接结构,设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括:第一绝缘层;第一重新分布层,设置在所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状,并且B/A为1.5或更小,其中,A表示所述第一重新分布层的厚度,并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

技术研发人员:崔大渊;郑载穆;金恩珍;权柒佑
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:2019.12.04
技术公布日:2020.06.26
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