一种多腔室等离子刻蚀机的制作方法

文档序号:19203537发布日期:2019-11-25 22:50阅读:496来源:国知局
一种多腔室等离子刻蚀机的制作方法

本实用新型属于太阳能光伏组件领域,具体涉及一种多腔室等离子刻蚀机。



背景技术:

等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,也是太阳能光伏组件生产过程中的一种常用工艺,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或刻蚀表面。

进行干式刻蚀工艺的等离子刻蚀机包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。

目前常规等离子刻蚀机为单腔室设计,每次运行工艺时,将硅片夹具放入腔室内,腔室内需要抽真空才能进行刻蚀,当当前硅片刻蚀完成后,将当前硅片从腔室中移出,放入下一片硅片后,需要再次进行抽真空,对两片硅片进行刻蚀操作之间需要间隔较长时间,因此现有的等离子刻蚀机,生产效率低下,且人力成本较高,为实际生产带来不便。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题,就是提供一种能够提高生产效率的多腔室等离子刻蚀机。

解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案如下:

一种新型多腔室等离子刻蚀机,包括腔室、真空装置和刻蚀装置,其中,还包括水平传输装置,所述的水平传输装置位于所述腔室的底面,并延伸至所述腔室两侧;

所述腔室的两侧面设有腔室门,所述的腔室通过隔门分隔成依次排列的进料缓冲腔、工艺腔和出料缓冲腔,所述的进料缓冲腔、工艺腔和出料缓冲腔分别安装有所述的真空装置;所述的工艺腔中设有工位,所述工位上安装所述的刻蚀装置。

本实用新型采用了多腔室的设计方式,由所述的进料缓冲腔和出料缓冲腔作为过渡腔,目的在于使得所述的工艺腔始终保持在真空状态,省去工艺腔重复抽真空的工序,节省工艺的时间:

本实用新型在等离子刻蚀工艺的过程中,通过真空装置使所述工艺腔内以及出料缓冲腔内处于真空状态,通过所述的水平传输装置将装载有硅片的夹具在水平方向上进行传输,打开所述进料缓冲腔一侧的腔室门,使硅片及夹具进入所述的进料缓冲腔中并关闭腔室门,启动真空装置将进料缓冲腔抽至真空,打开所述进料缓冲腔与工艺腔之间的隔门,水平传送装置将硅片和夹具送至工艺腔的工位上,关闭隔门,开始刻蚀;待刻蚀结束后,打开所述工艺腔与出料缓冲腔之间的隔门,将硅片和夹具送至出料缓冲腔中,重新关闭隔门,打开出料缓冲腔的腔室门,将刻蚀后的硅片传输至腔室外,再关上腔室门,重新对出料缓冲腔抽真空,如此往复。

作为本实用新型的一种改进,所述的工艺腔中设有至少一个工位,所述的工位以单排或并排的方式设置在所述的工艺腔中,所有或部分工位上安装所述的刻蚀装置。当所述的工艺腔中设有多个工位时,可多个硅片同步进行刻蚀,这样设计的等离子刻蚀机,生产成本低、效率高。

作为本实用新型的一种实施方式:

所述的水平传输装置为滚轮传送带;

所述的真空装置包括真空泵和真空管道。

本实用新型具有以下有益效果:

1.本实用新型通过多腔室的设计来缩短对两片硅片进行刻蚀操作之间的间隔时间。具体来说,在进行刻蚀操作的工艺腔两侧设置进料缓冲腔和出料缓冲腔,由于工艺腔和进料缓冲腔之间设置有隔门,工艺腔可始终保持在真空状态下,在当前硅片在工艺腔内进行刻蚀操作时,可使下一片硅片进入进料缓冲腔并对进料缓冲腔进行抽真空,当当前硅片完成刻蚀后,将其输送至处于真空状态的出料缓冲腔,即可使下一片硅片进入工艺腔进行刻蚀。可见,采用本实用新型提供的等离子刻蚀机,省去了两片硅片进行刻蚀操作之间抽真空的时间,从而缩短对两片硅片进行刻蚀操作之间的间隔时间,提升生产效率,节省时间和成本;

2.本实用新型可通过水平传输装置实现硅片和夹具的自动传输,在传输的过程中,所述腔室的腔室门、隔门会根据水平传输装置上硅片和夹具的位置相应地自动开启和关闭,实现刻蚀工艺的自动化,省去传统刻蚀工艺中手动反复操作的繁琐过程,节省了人力和时间;

3.本实用新型在工艺腔中设置多个工位,在刻蚀过程中可多工位同步进行刻蚀,有效提高刻蚀生产的效率,进而降低太阳能电池片的制造成本。

附图说明

以下通过附图对本实用新型作进一步的说明。

图1实施例1三工位多腔室等离子刻蚀机的正面剖视图。

图2实施例1三工位多腔室等离子刻蚀机的俯视剖视图。

图3实施例2四工位多腔室等离子刻蚀机的正面剖视图。

图4实施例2四工位多腔室等离子刻蚀机的俯视剖视图。

图5实施例3六工位多腔室等离子刻蚀机的正面剖视图。

图6实施例3六工位多腔室等离子刻蚀机的俯视剖视图。

附图标记:1-滚轮传送带;11-上料区;12-下料区;21-第一腔室门;22-第二腔室门;31-第一隔门;32-第二隔门;4-进料缓冲腔;5-工艺腔;51-第一工位;52-第二工位;53-第三工位;54-第四工位;55-第五工位;56-第六工位;6-出料缓冲腔;71-硅片;72-夹具;81-真空泵;82-真空管道。

具体实施方式

以下通过具体的实施例对本实用新型作进一步的说明。

实施例1

如图1、2所示,三工位多腔室等离子刻蚀机包括腔室、真空装置和刻蚀装置、水平传输装置,水平传输装置为滚轮传送带1,滚轮传送带1位于腔室的底面,并延伸至腔室两侧;

腔室的两侧面设有第一腔室门21和第二腔室门22,腔室通过第一隔门31和第二隔门32分隔成依次排列的进料缓冲腔4、工艺腔5和出料缓冲腔6,进料缓冲腔4、工艺腔5和出料缓冲腔6分别安装有真空装置,真空装置包括真空泵81和真空管道82;工艺腔5中设有第一工位51、第二工位52和第三工位53,所有的工位上均安装刻蚀装置(图中未示出)。

在等离子刻蚀工艺的过程中,通过真空泵81和真空管道82使工艺腔5内以及出料缓冲腔6内处于真空状态,将装载有硅片71的夹具72放置在滚轮传送带1的上料区11处,通过滚轮传送带1将硅片71和夹具72在水平方向上进行传输,打开第一腔室门21,使硅片71及夹具72进入进料缓冲腔4中并关闭第一腔室门21,启动真空泵81将进料缓冲腔4抽至真空,打开第一隔门31,滚轮传送带1将硅片71和夹具72送至工艺腔5内的第一工位51处,关闭第一隔门31,开始刻蚀;待刻蚀结束后,打开第二隔门32,将硅片71和夹具72送至出料缓冲腔6中,重新关闭第二隔门32,打开第二腔室门22,将刻蚀后的硅片71传输至下料区12处,再关上第二腔室门,重新对出料缓冲腔6抽真空,如此往复;

在等离子刻蚀工艺的过程中,也可以将多个装载有硅片71的夹具72放置在滚轮传送带1的上料区11处,然后通过上述过程,使得工艺腔5的第一工位51、第二工位52、第三工位53处均放置有硅片71和夹具72,在刻蚀过程中,第一工位51、第二工位52、第三工位53处的硅片71同时进行刻蚀,提高刻蚀效率,降低生产成本。

实施例2

如图3、4所示,四工位多腔室等离子刻蚀机包括腔室、真空装置和刻蚀装置、水平传输装置,水平传输装置为滚轮传送带1,滚轮传送带1位于腔室的底面,并延伸至腔室两侧;

腔室的两侧面设有第一腔室门21和第二腔室门22,腔室通过第一隔门31和第二隔门32分隔成依次排列的进料缓冲腔4、工艺腔5和出料缓冲腔6,进料缓冲腔4、工艺腔5和出料缓冲腔6分别安装有真空装置,真空装置包括真空泵81和真空管道82;工艺腔5中设有第一工位51、第二工位52、第三工位53和第四工位54,所有的工位上均安装刻蚀装置(图中未示出)。

在等离子刻蚀工艺的过程中,通过真空泵81和真空管道82使工艺腔5内以及出料缓冲腔6内处于真空状态,将多个装载有硅片71的夹具72放置在滚轮传送带1的上料区11处,通过滚轮传送带1将硅片71和夹具72在水平方向上进行传输,打开第一腔室门21,使硅片71及夹具72进入进料缓冲腔4中并关闭第一腔室门21,启动真空泵81将进料缓冲腔4抽至真空,打开第一隔门31,滚轮传送带1将多个硅片71和夹具72送至工艺腔5内的第一工位51、第二工位52、第三工位53和第四工位54处,关闭第一隔门31,开始刻蚀;待刻蚀结束后,打开第二隔门32,将硅片71和夹具72送至出料缓冲腔6中,重新关闭第二隔门32,打开第二腔室门22,将刻蚀后的硅片71传输至下料区12处,再关上第二腔室门,重新对出料缓冲腔6抽真空,如此往复。

实施例3

如图5、6所示,六工位多腔室等离子刻蚀机包括腔室、真空装置和刻蚀装置、水平传输装置,水平传输装置为两条并排设置的滚轮传送带1,滚轮传送带1位于腔室的底面,并延伸至腔室两侧;

腔室的两侧面设有第一腔室门21和第二腔室门22,腔室通过第一隔门31和第二隔门32分隔成依次排列的进料缓冲腔4、工艺腔5和出料缓冲腔6,进料缓冲腔4、工艺腔5和出料缓冲腔6分别安装有真空装置,真空装置包括真空泵81和真空管道82;工艺腔5中设有第一工位51、第二工位52、第三工位53、第四工位54、第五工位55和第六工位56,所有的工位上均安装刻蚀装置(图中未示出)。

在等离子刻蚀工艺的过程中,通过真空泵81和真空管道82使工艺腔5内以及出料缓冲腔6内处于真空状态,将多个装载有硅片71的夹具72放置在滚轮传送带1的上料区11处,通过滚轮传送带1将硅片71和夹具72在水平方向上进行传输,打开第一腔室门21,使硅片71及夹具72进入进料缓冲腔4中并关闭第一腔室门21,启动真空泵81将进料缓冲腔4抽至真空,打开第一隔门31,滚轮传送带1将多个硅片71和夹具72送至工艺腔5内的第一工位51、第二工位52、第三工位53、第四工位54、第五工位55和第六工位56处,关闭第一隔门31,开始刻蚀;待刻蚀结束后,打开第二隔门32,将硅片71和夹具72送至出料缓冲腔6中,重新关闭第二隔门32,打开第二腔室门22,将刻蚀后的硅片71传输至下料区12处,再关上第二腔室门,重新对出料缓冲腔6抽真空,如此往复。

需要指出的是,上述实施例仅是对本实用新型作进一步的说明,而不是限制,在与本实用新型相当的含义和范围内的任何改变,都应认为是包括在本实用新型的保护范围内。

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