一种耐高压射频突波抑制X2电容器的制作方法

本实用新型涉及一种电容器，尤其涉及一种耐高压射频突波抑制x2电容器；属于电子电气领域。

背景技术：

在包含有电容器等的电子电路中，在开关闭合的瞬间会产生一个比正常工作电流高出百倍的突波电流，通常可采用电阻器零功率电阻进行对突波电流的减少，甚至完成突波电流的抑制，但缺点是伴随性的电阻温度的不断升高及对电路的影响，耐高压射频突波抑制x2电容器的出现改善了这一现象的发生。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

为解决上述问题，本实用新型提出了一种耐高压射频突波抑制x2电容器。

(二)技术方案

本实用新型的耐高压射频突波抑制x2电容器，包括电容器外壳体、电容芯体及位于壳体最上端的引脚端；所述的电容器外壳体全包围电容芯体，且两者之间通过融灌设置有抑波介质屏蔽层。

进一步地，所述的电容芯体包括由若干层金属化聚丙烯有机薄膜和金属箔薄膜，且后者表面涂有银粉层，其两者薄膜通过一层一层叠合后形成电极薄板，再经卷压铸成型成长方体结构。

进一步地，所述的电容器外壳体为阻燃pbt塑料，其与引脚端通过环氧树脂封装。

进一步地，所述的引脚端为镀锡铜包钢线cp线或镀锡铜线,引脚底端锡焊与电容芯体。

进一步地，所述的抑波介质屏蔽层为含有硅铁氧体磁性材料薄膜围绕填充，其整体层厚度为0.2至0.5mm。

(三)有益效果

本实用新型与现有技术相比较，其具有以下有益效果：本实用新型的耐高压射频突波抑制x2电容器，通过电容芯层外设置的硅铁氧体磁性材料薄膜层更加提高了其抑制高射突波的强度，且同时具有良好的抗压，绝缘，阻燃功效，其设计合理，内部结构简单工艺简便，适合广泛推广。

附图说明

图1是本实用新型的横截面全剖结构示意图。

图2是本实用新型的整体轴测结构示意图。

1-引脚端；2-电容芯体；201-金属化聚丙烯有机薄膜；202-金属箔薄膜；3-抑波介质屏蔽层；4-电容器外壳体。

具体实施方式

如附图所示的一种耐高压射频突波抑制x2电容器，包括电容器外壳体4、电容芯体2及位于壳体最上端的引脚端1；所述的电容器外壳体4全包围电容芯体2，且两者之间通过融灌设置有抑波介质屏蔽层3。

其中，所述的电容芯体2包括由若干层金属化聚丙烯有机薄膜201和金属箔薄膜202，且后者表面涂有银粉层，其两者薄膜通过一层一层叠合后形成电极薄板，再经卷压铸成型成长方体结构；所述的电容器外壳体4为阻燃pbt塑料，其与引脚端1通过环氧树脂封装；所述的引脚端1为镀锡铜包钢线cp线或镀锡铜线,引脚底端锡焊与电容芯体2；所述的抑波介质屏蔽层3为含有硅铁氧体磁性材料薄膜围绕填充，其整体层厚度为0.2至0.5mm。

本实用新型的耐高压射频突波抑制x2电容器，通过电容芯层外设置的硅铁氧体磁性材料薄膜层更加提高了其抑制高射突波的强度，且同时具有良好的抗压，绝缘，阻燃功效，其设计合理，内部结构简单工艺简便，适合广泛推广。

上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本实用新型的保护范围，本实用新型请求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。

技术特征：

1.一种耐高压射频突波抑制x2电容器，其特征在于：包括电容器外壳体(4)、电容芯体(2)及位于壳体最上端的引脚端(1)；所述的电容器外壳体(4)全包围电容芯体(2)，且两者之间通过融灌设置有抑波介质屏蔽层(3)。

2.根据权利要求1所述的耐高压射频突波抑制x2电容器，其特征在于：所述的电容芯体(2)包括由若干层金属化聚丙烯有机薄膜(201)和金属箔薄膜(202)，且后者表面涂有银粉层，其两者薄膜通过一层一层叠合后形成电极薄板，再经卷压铸成型成长方体结构。

3.根据权利要求1所述的耐高压射频突波抑制x2电容器，其特征在于：所述的电容器外壳体(4)为阻燃pbt塑料，其与引脚端(1)通过环氧树脂封装。

4.根据权利要求1所述的耐高压射频突波抑制x2电容器，其特征在于：所述的引脚端(1)为镀锡铜包钢线cp线或镀锡铜线,引脚底端锡焊与电容芯体(2)。

5.根据权利要求1所述的耐高压射频突波抑制x2电容器，其特征在于：所述的抑波介质屏蔽层(3)为含有硅铁氧体磁性材料薄膜围绕填充，其整体层厚度为0.2至0.5mm。

技术总结
本实用新型公开了一种耐高压射频突波抑制X2电容器，包括电容器外壳体、电容芯体及位于壳体最上端的引脚端；所述的电容器外壳体全包围电容芯体，且两者之间通过融灌设置有抑波介质屏蔽层；本实用新型耐高压射频突波抑制X2电容器通过电容芯层外设置的硅铁氧体磁性材料薄膜层更加提高了其抑制高射突波的强度，且同时具有良好的抗压，绝缘，阻燃功效,体积小，有良好自愈性，抗湿性强，耐过电压性能优良，其设计合理，内部结构简单工艺简便，适合广泛推广。

技术研发人员：吴建连;吴业;陈娟娟
受保护的技术使用者：长兴超业科技有限公司
技术研发日：2019.03.07
技术公布日：2020.06.12