技术特征：
1.一种微型发光二极管芯片的电致发光检测方法，其特征在于，包括：将微型发光二极管基板置于真空腔体中；所述微型发光二极管基板包括导电基底(100)和布置在所述导电基底(100)上的多个微型发光二极管芯片(200)，所述微型发光二极管芯片(200)包括第一半导体层(211)，所述第一半导体层(211)为所述微型发光二极管芯片(200)中最远离所述导电基底(100)的膜层；将所述微型发光二极管基板的导电基底(100)接收固定电平信号；向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光；获取各所述微型发光二极管芯片(200)的发光图像信号；根据所述发光图像信号确定各所述微型发光二极管芯片(200)是否正常。2.根据权利要求1所述的电致发光检测方法，其特征在于，所述向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)的外露表面发射电子束之前，还包括：将所述微型发光二极管基板划分为多个扫描区域；以及，所述向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光，包括：依次向所述多个扫描区域中的每个扫描区域内的所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)发射电子束，以依次激发对应扫描区域的所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光；以及，获取各所述微型发光二极管芯片(200)的发光图像信号，包括：分别获取多个所述扫描区域中的每个扫描区域内的微型发光二极管芯片(200)的发光子图像信号，将多个所述发光子图像信号处理后得到所述发光图像信号。3.根据权利要求1所述的电致发光检测方法，其特征在于，所述发射电子束包括：通过放电设备在电压大于10kv，电流大于10-8
a的条件下发射电子束。4.一种微型发光二极管基板，其特征在于，包括：导电基底(100)和布置在所述导电基底(100)上的多个微型发光二极管芯片(200)；所述微型发光二级管芯片(200)包括第一电极层(220)和磊晶层(210)，所述第一电极层(220)和所述磊晶层(210)依次层叠于所述导电基底(100)上；所述磊晶层(210)包括依次层叠的第二半导体层(213)、发光层(212)和第一半导体层(211)；所述第一电极层(220)远离所述导电基底(100)的表面与所述第二半导体层(213)直接接触，所述第一电极层(220)靠近所述导电基底(100)的表面与所述导电基底(100)连接。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管基板，其特征在于，所述第一半导体层(211)远离所述第二半导体层(213)一侧的表面结构为凹凸微结构(2111)，所述凹凸微结构(2111)的凸起部分用于接收电子束。6.根据权利要求5所述的微型发光二极管基板，其特征在于，所述凹凸微结构(2111)的凸起部分至少包括：多个圆锥体结构，多个所述圆锥体结构的顶点均朝向远离所述第二半导体层(213)的一侧。7.根据权利要求5所述的微型发光二极管基板，其特征在于，所述第一电极层(220)与所述导电基底(100)之间设有依次层叠于所述导电基底(100)上的离型层(400)和导电胶层
(300)，所述导电胶层(300)与所述第一电极层(220)直接接触。8.一种微型发光二极管基板的制备方法，其特征在于，包括：在图形化的晶圆衬底上制作磊晶层(210)，所述磊晶层(210)包括依次层叠于所述图形化的晶圆衬底上的第一半导体层(211)、发光层(212)和第二半导体层(213)；在所述第二半导体层(213)远离所述第一半导体层(211)的表面制作第一电极层(220)；对所述第一电极层(220)与所述磊晶层(210)进行阵列化分割以形成微型发光二极管芯片(200)阵列；将涉及所述微型发光二极管芯片(200)阵列的第一电极层(220)均连接至导电基底(100)后，将所述微型发光二极管芯片(200)阵列从所述图形化的晶圆衬底上剥离。9.根据权利要求8所述制备方法，其特征在于，所述在图像化的晶圆衬底上制作磊晶层(210)之前，还包括：在所述图形化的晶圆衬底上制作缓冲层，在所述缓冲层远离所述图形化的晶圆衬底的一侧制作所述磊晶层(210)；以及，所述将所述微型发光二极管芯片(200)阵列从所述图形化的晶圆衬底上剥离，包括；将所述微型发光二极管芯片(200)阵列与所述缓冲层一并从所述图形化的晶圆衬底上剥离；去除所述第二半导体层(213)上附着的残余的所述缓冲层。10.一种微型发光二极管芯片的电致发光检测装置，其特征在于，包括：放电设备(2)、光电检测部件(3)、处理单元(1)以及如权利要求4至7中任一项所述的微型发光二极管基板；所述放电设备(2)、所述光电检测部件(3)均与所述处理单元(1)相连，所述微型发光二极管基板的导电基底(100)接收固定电平信号；所述放电设备(2)用于向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光；所述光电检测部件(3)用于获取各所述微型发光二极管芯片(200)的发光图像信号；所述处理单元(1)用于根据所述发光图像信号确定各所述微型发光二极管芯片(200)是否正常。11.根据权利要求10所述的电致发光检测装置，其特征在于，所述处理单元(1)用于将所述微型发光二极管基板划分为多个扫描区域；所述放电设备(2)包括电子枪阵列，所述电子枪阵列用于依次向所述多个扫描区域中的每个扫描区域内的所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层发射电子束，以依次激发对应扫描区域的所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光；所述光电检测部件(3)用于分别获取所述多个扫描区域中的每个扫描区域内的微型发光二极管芯片(200)的发光子图像信号，将后得到所述发光图像信号。
技术总结
本申请提供了一种μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置，该EL检测方法包括：将包括多个微型发光二极管芯片的基板置于真空腔体中；将基板的导电基底接收固定电平信号；向各微型发光二极管芯片的第一半导体层的表面发射电子束，以激发各微型发光二极管芯片的发光层发光；获取各微型发光二极管芯片的发光图像信号；根据发光图像信号确定各微型发光二极管芯片是否正常。本申请提供的EL检测方法，可直接向各微型发光二极管芯片的第一半导体层表面发射预设条件的电子束，从而激发发光层发光，以实现对应的微型发光二极管芯片的电致发光之直接检测，提高了检测精度，且不需要探针，检测方便。检测方便。检测方便。
技术研发人员：陈右儒
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.03.19
技术公布日：2021/9/23