技术特征：
1.一种电子装置的线路，形成于一基板上，且该线路包括:一缓冲层，形成于该基板上；一第一导电层，形成于该缓冲层上，该第一导电层的电阻率小于该缓冲层的电阻率；以及一修饰层，形成于该基板上，并覆盖该第一导电层的上表面与该第一导电层的侧边，其中该修饰层的标准还原电位大于该缓冲层与该第一导电层其中至少一个的标准还原电位。2.如权利要求1所述的电子装置的线路，其中该基板的内表面、该缓冲层的侧边与该第一导电层的下表面形成一空腔，该空腔从该第一导电层的侧边沿着该基板的内表面而延伸至该缓冲层的侧边，而该修饰层还从该第一导电层的侧边填入于该空腔中。3.如权利要求2所述的电子装置的线路，其中该修饰层的厚度介于10纳米至100纳米之间。4.如权利要求1所述的电子装置的线路，其中该修饰层的厚度介于10纳米至100纳米之间。5.如权利要求1所述的电子装置的线路，还包括：一绝缘层，形成于该基板上，并覆盖该修饰层；以及一第二导电层，形成于该绝缘层上，并与该修饰层至少部分重叠。6.如权利要求1所述的电子装置的线路，其中该修饰层的标准还原电位大于该缓冲层与该第一导电层每一个的标准还原电位，且该修饰层还覆盖该缓冲层的侧边。7.如权利要求1所述的电子装置的线路，其中该线路为一薄膜晶体管的电极、一电容结构的电极或一信号线。8.一种电子装置的线路，形成于一基板上，且该线路包括：一缓冲层，形成于该基板上；一第一导电层，形成于该缓冲层上，其中该第一导电层的电阻率小于该缓冲层的电阻率，该基板的内表面、该缓冲层的侧边与该第一导电层的下表面形成一空腔，而该空腔从该第一导电层的侧边沿着该基板的内表面而延伸至该缓冲层的侧边；以及一修饰层，形成于该基板上，并填入该空腔中，其中该修饰层的标准还原电位大于该缓冲层与该第一导电层其中至少一个的标准还原电位。9.如权利要求8所述的电子装置的线路，其中该修饰层的厚度介于10纳米至100纳米之间。10.如权利要求8所述的电子装置的线路，还包括：一绝缘层，形成于该基板上，并覆盖该修饰层；以及一第二导电层，形成于该绝缘层上，并与该修饰层至少部分重叠。11.如权利要求8所述的电子装置的线路，其中该修饰层的标准还原电位大于该缓冲层的标准还原电位，小于该第一导电层的标准还原电位。12.如权利要求8所述的电子装置的线路，其中该线路为一薄膜晶体管的电极、一电容结构的电极或一信号线。