相关申请的交叉引用本申请主张2020年1月24日提交的第62/965,717号美国临时专利申请的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容在此以全文引用的方式并入本文中，并且用于所有目的。本公开大体上涉及具有侧支撑的半导体处理室，且更具体地，涉及在处理室的外部表面上使用肋以增强处理室的结构完整性。
背景技术：
：：用于处理半导体晶片的处理室或反应室通常由石英(石英玻璃)或类似材料制成，因为辐射能量能基本穿透石英。可将辐射加热器邻近室外部放置，并且可将在室中处理的晶片加热到高温，而无需将室壁加热到相同水平。此外，石英是合乎需要的，因为它可以承受非常高的温度，并且其惰性特性使其能够承受各种处理气体的降解。当放置平坦晶片以进行化学气相沉积，其中沉积气体平行于晶片而流动时，可能期望室壁平行于晶片的平坦表面，以在晶片表面上获得均匀沉积。然而，对于石英室内的压力要比周围环境压力低得多的应用，从强度的角度来看，圆形室通常是首选的，因为圆形室的弯曲表面能够最好地承受向内指向的力。与类似尺寸和厚度的向外凸壁相比，平坦壁在降低内部压力的情况下可能会更早地向内坍塌。因此，仍然需要改进用于反应室的机械支撑。技术实现要素：在一个实施例中，一种处理室可包含：弯曲上壁，其从反应室的第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分；弯曲下壁，其与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，所述弯曲下壁在所述反应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二端部部分连接到所述弯曲上壁；以及轨道，其沿着所述处理室的外部表面从所述第一端部部分延伸到所述第二端部部分，所述轨道安置在所述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的连接处或安置在所述连接处附近。在另一实施例中，一种处理室可包含：弯曲上壁，其从反应室的第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分；弯曲下壁，其与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，所述弯曲下壁在所述反应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二端部部分连接到所述弯曲上壁；以及第一多个第一肋支撑结构，其仅沿着所述弯曲上壁的一部分且仅沿着所述弯曲下壁的一部分安置在所述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的连接处或安置在所述连接处附近。在一些实施例中，所述弯曲上壁和所述弯曲下壁中的至少一个包括圆形、椭圆形或多项式几何形状。在一些实施例中，所述弯曲上壁和所述弯曲下壁中的至少一个包括基本均匀的厚度。在一些实施例中，所述弯曲上壁和所述弯曲下壁焊接在一起。在一些实施例中，所述弯曲上壁和所述弯曲下壁通过连接器连接。在一些实施例中，所述连接器为e形。在一些实施例中，所述连接器包含顶部部分、底部部分和中间部分。在一些实施例中，所述中间部分连接到水平搁板。在一些实施例中，所述连接器是弯曲的。在一些实施例中，所述处理室由辐射能量能基本穿透的材料制成。在一些实施例中，所述处理室由石英制成。在一些实施例中，侧肋直接焊接到所述弯曲上壁和所述弯曲下壁上。在一些实施例中，多个侧肋不接触弯曲顶壁和弯曲底壁。在一些实施例中，所述处理室包含在所述第一端部部分和所述第二端部部分处与所述弯曲上壁和所述弯曲下壁接触的至少一个凸缘。在一些实施例中，所述至少一个凸缘被配置成与输入歧管或输出歧管连接。在一些实施例中，所述至少一个凸缘包括第一凸缘和第二凸缘，所述第一凸缘被配置成与输入歧管连接，所述第二凸缘被配置成与输出歧管连接。在一些实施例中，所述处理室包含连接到所述多个侧肋的至少一个轨道。在一些实施例中，所述至少一个轨道沿着第一交界处或第二交界处延伸。在一些实施例中，所述至少一个轨道连接到所述弯曲上壁和所述弯曲下壁中的至少一个。在一些实施例中，所述至少一个轨道焊接到所述弯曲上壁和所述弯曲下壁中的至少一个。在一些实施例中，所述多个侧肋包括位于所述至少一个轨道的顶部上的多个顶部肋支撑结构和位于所述轨道的底部上的多个底部肋支撑结构。在一些实施例中，所述至少一个轨道包括第一轨道和第二轨道，并且其中所述多个肋支撑结构包括连接到所述第一轨道的第一多个肋支撑结构和连接到所述第二轨道的第二多个肋支撑结构。在一些实施例中，所述多个肋支撑结构跨越所述第一交界处或所述第二交界处均匀地间隔开。在一些实施例中，所述多个肋支撑结构包括位于所述第一交界处上的第一多个侧肋支撑结构和位于所述第二交界处上的第二多个肋支撑结构。在另一实施例中，一种反应室可包含：弯曲上壁，其从反应室的第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分；弯曲下壁，其与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，其中所述弯曲下壁在所述反应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二端部部分连接到所述弯曲上壁；以及第一肋支撑结构，其安置在位于所述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的连接处或所述连接处附近的所述反应室的所述第一侧处，所述第一肋支撑结构具有第一弯曲顶部部分和第一弯曲底部部分，所述第一弯曲顶部部分仅沿着所述弯曲上壁的一部分固定到所述弯曲上壁的弯曲外部表面，所述第一弯曲底部部分仅沿着所述弯曲下壁的一部分固定到所述弯曲下壁的弯曲外部表面。在一些实施例中，所述弯曲下壁通过介入连接器机械地连接到所述弯曲上壁。在一些实施例中，所述介入连接器是e形连接器。在一些实施例中，所述处理室包含跨越所述第二交界处安置在所述反应室的所述第二侧上的第二肋支撑结构，所述第二肋支撑结构具有第二弯曲顶部部分和第二弯曲底部部分，所述第二弯曲顶部部分固定到所述弯曲上壁，所述第二弯曲底部部分固定到所述弯曲下壁。在一些实施例中，所述处理室包含多个第一肋支撑结构，所述多个第一肋支撑结构安置在所述反应室的所述第一侧上且彼此纵向间隔开，所述多个第一肋支撑结构中的每个第一肋支撑结构具有第一弯曲顶部部分和第一弯曲底部部分，所述第一弯曲顶部部分固定到所述弯曲上壁的所述弯曲外部表面，所述第一弯曲底部部分固定到所述弯曲下壁的所述弯曲外部表面。在一些实施例中，所述处理室包含多个第二肋支撑结构，所述多个第二肋支撑结构安置在所述反应室的所述第二侧上且彼此纵向间隔开，所述多个第二肋支撑结构中的每个第二肋支撑结构具有第二弯曲顶部部分和第二弯曲底部部分，所述第二弯曲顶部部分固定到所述弯曲上壁的所述弯曲外部表面，所述第二弯曲底部部分固定到所述弯曲下壁的所述弯曲外部表面。在一些实施例中，所述处理室包含第一轨道，所述第一轨道沿着所述内部腔外侧的所述反应室的外部表面上的所述第一交界处延伸并机械地固定到所述第一交界处。在一些实施例中，每个第一肋支撑结构的所述第一弯曲顶部部分安置在所述第一轨道上方，并且其中每个第一肋支撑结构的所述第一弯曲底部部分安置在所述第一轨道下方。在一些实施例中，每个第一肋支撑结构的所述第一弯曲顶部部分焊接到所述第一轨道的上表面，并且其中每个第一肋支撑结构的所述第一弯曲底部部分焊接到所述第一轨道的下表面。在一些实施例中，所述第一弯曲顶部部分和所述第一弯曲底部部分一体地形成在一起。在一些实施例中，所述第一弯曲顶部部分包括成形为与所述弯曲上壁的所述外部表面一致的弯曲表面，并且其中所述第一弯曲底部部分包括成形为与所述弯曲下壁的所述外部表面一致的弯曲表面。在一些实施例中，所述第一弯曲顶部部分和所述第一弯曲底部部分协作以限定大体c形轮廓。在一些实施例中，所述弯曲上壁焊接到所述弯曲下壁。在一些实施例中，所述弯曲上壁和所述弯曲下壁包括石英。在一些实施例中，所述处理室包含水平搁板，所述水平搁板安置在所述内部腔中且被配置成支撑基板。在另一实施例中，一种处理室可包含：弯曲上壁，其从反应室的第一端部部分纵向延伸到所述反应室的第二端部部分；以及弯曲下壁，其与所述弯曲上壁协作以至少部分地限定内腔，所述弯曲下壁的上端部在所述反应室的第一侧和所述反应室的第二侧从所述第一端部部分到所述第二端部部分通过接头连接到所述弯曲上壁的下端部，其中所述接头的第一最大厚度在所述弯曲上壁的所述下端部和所述弯曲下壁的所述上端部中的至少一个的第二最大厚度的20％内。在一些实施例中，所述接头包括焊接到所述弯曲上壁和所述弯曲下壁的e形连接器。在一些实施例中，所述接头包括具有三个机械连接点的线性或曲线基部，所述三个机械连接点从所述基部的第一端部、第二端部和内部部分延伸。在一些实施例中，所述接头包括在所述弯曲上壁与所述弯曲下壁之间的焊接连接。在一些实施例中，所述第一最大厚度与所述第二最大厚度基本相同。在一些实施例中，所述接头包括在所述上端部与所述下端部之间线性延伸的竖直侧壁，所述竖直侧壁焊接到所述上端部和所述下端部。在一些实施例中，所述处理室包含第一多个第一肋支撑结构，所述第一多个第一肋支撑结构仅沿着所述弯曲上壁的一部分且仅沿着所述弯曲下壁的一部分安置在所述接头处或安置在所述接头附近。附图说明现将参考若干实施例的图示描述本发明的这些和其它特征、方面和优势，所述实施例旨在说明而非限制本发明。图1示出了晶片处理系统的横截面视图。图2示出了根据各种实施例的弯曲处理室的透视图。图3a是根据各种实施例的具有肋支撑结构的图2的弯曲处理室的示意性后透视图。图3b是图3a的弯曲处理室的示意性侧视图。图3c是图3a的弯曲处理室的示意性俯视图。图3d是图3a的弯曲处理室的后示意性透视横截面视图。图3e是图3a的弯曲处理室的示意性正视图。图4a是根据各种实施例的图3a-3e的弯曲处理室的示意性后透视图，其中在所述室的相对侧上具有轨道和肋。图4b是图4a的弯曲处理室的示意性侧视图。图4c是图4a的弯曲处理室的示意性俯视图。图5a是根据各种实施例的图3a-3e和4a-4c的弯曲处理室的示意性后透视图，其中在所述室的相对侧上具有轨道。图5b是图5a的弯曲处理室的示意性侧视图。图5c是图5a的弯曲处理室的示意性俯视图。图6a是根据一个实施例的具有竖直侧壁的弯曲处理室的示意性端部视图，图6b是根据各种实施例的具有竖直侧壁、肋和轨道的弯曲处理室的示意性端部视图。图7a是弯曲处理室的示意性端部视图，其中弯曲上壁和弯曲下壁在接头处相接以形成c形轮廓。图7b是弯曲处理室的示意性端部视图，其中弯曲上壁和弯曲下壁通过包括e形连接器的接头连接。具体实施方式在下文提供的示例性实施例的描述仅为示例性的，且旨在仅用于说明的目的；以下描述并非旨在限制本公开或权利要求的范围。此外，具有所陈述特征的多个实施例的叙述并非旨在排除具有额外特征的其它实施例或并入所陈述特征的不同组合的其它实施例。本文所公开的各种实施例以确保均匀或均匀热分布的方式为反应室(例如水平反应室)提供结构支撑。在本文所公开的各种实施例中，例如，可通过将弯曲上壁机械地连接到弯曲下壁来限定反应室(其在一些实施例中可由石英形成)。可沿着反应室的侧面设置肋，用于机械支撑。在一些布置中，肋可以延伸到处理室上方或下方以提供结构支撑。例如，在一些布置中，肋可以围绕整个反应室延伸。然而，这种设计的一个缺点是，即使辐射灯能量能基本穿透石英，但厚肋可能呈现出更厚的石英区域，因此肋局部吸收更多的灯能量并衰减传递到晶片的灯能量。此能量衰减引起晶片上的较冷区域(例如，阴影)。晶片表面上的温度的这种非均匀性会降低可被沉积的膜的质量，尤其对于温度敏感的处理条件来说。另外，在处理室顶部上提供肋可能难以不断地去制造，这会增加建造处理室的可变性和制造成本。对于矩形处理室，所述处理室可使用不仅驻存在室的一侧，而且还驻存在室的顶部和底部的肋，以便维持由于基于平坦顶壁和平坦底壁的固有薄弱设计而产生的结构稳定性。具有弯曲顶壁和弯曲底壁的弯曲处理室有益地提供了一种更坚固的结构，其中肋只能安置在室的侧面上而不能安置在弯曲顶壁和弯曲底壁上，同时维持结构的完整性。因此，仅在室侧面上具有肋的弯曲处理室提供了适当的结构完整性，并且在处理期间改进了热均匀性。此外，本文所公开的一些实施例例如通过将具有与介入连接器基本相同的厚度的上弯曲壁和下弯曲壁彼此连接来实现改进的焊接连接。一些处理室可具有侧轨道，所述侧轨道具有与顶壁和底壁不同的厚度。然而，将不同厚度的材料焊接在一起可能产生较差的焊接接头。因此，在各种实施例中，弯曲处理室可包含弯曲顶壁和弯曲底壁，在弯曲顶壁与弯曲底壁之间具有介入连接器。弯曲顶壁与弯曲底壁之间的介入连接器可具有与壁相接之处基本相同的厚度，以便产生更好的焊接。此外，在一些实施例中，弯曲顶壁和弯曲底壁可在第一交界处和第二交界处处相接，所述第一交界处和所述第二交界处可包括连接器。在其它实施例中，顶壁和底壁可彼此直接接触。弯曲顶壁和弯曲底壁可在交界处部分处具有基本相同的厚度，以便产生更好的焊接。这些解决方案将在图示中所公开的各种实施例中展示。图1示出了晶片处理系统的横截面视图，其如2011年11月29日发布的第8,067,061号，标题为具有多个可调节排气端口的反应设备(reactionapparatushavingmultipleadjustableexhaustports)的美国专利的图2b所示，所述专利的全部内容通过引用并入本文中并成为本说明书的一部分。此晶片处理系统包含反应设备30，所述反应设备具有通过接触点50安装到输入歧管34和输出歧管36的处理室32。晶片处理室(在本文中也称为反应室)可包含晶片保持器54，所述晶片保持器可以是安装在旋转立柱60上的基座。反应设备30包含反应室32、入口歧管34和出口歧管36。反应室32包含上壁38、下壁40、第一侧壁(未示出)、与第一侧壁相对的第二侧壁(未示出)，以及从下壁40向下延伸的中空管46，由此在反应室内形成封闭的反应空间48。在实施例中，反应室32由透明石英形成。入口歧管34可被配置成将反应气体引入到反应空间48中。出口歧管36可操作地附接到反应室32，以抽出过量的反应气体以及反应空间48内的反应气体与基板或晶片54之间的反应的副产物。过量的反应气体和副产物可统称为在反应室32的端部处离开室的流出气体。在实施例中，反应室32包含与出口歧管36连通的单个出口孔(未示出)。通过单个出口孔56将过量的反应气体和副产物从反应室32的出口孔通过出口歧管36转移到排气系统(未示出)。在其它实施例中，可提供多个出口孔和出口端。如图1所示，在反应室32的反应空间48内，基板或晶片54由以基座58形式的基板支撑件支撑。基座58由基座支撑件可操作地支撑，所述基座支撑件连接到向下扩张的轴60，并且轴60被接收在反应室32的中空管46内。基座58被配置成从负载锁定壳体接收基板54，使得基板54居中地放置在基座58的上表面上。基座58的轴60可操作地连接到电机(未示出)，所述电机选择性地旋转轴60和基座58。基座58的旋转引起支撑在其上的基板54的对应旋转。在操作中，基板54在反应室32的反应空间48内转移到基座58上。一旦基板54正好位于基座58上，电机(未示出)就会使基座58和基板54在反应室32内旋转。当基板54旋转时，通过入口歧管34将反应气体引入到反应空间48中。反应气体以基本线性的方式从入口歧管34流过基板54的上表面，通过出口歧管36，并且通过出口端56离开。在图1中由箭头b示出反应室32内的反应气流。虽然本说明书涉及将薄膜沉积在基板上，但本领域技术人员应了解，也可以期望在其它处理例如蚀刻、退火、掺杂、氧化或任何其它处理中在基板表面上均匀分布气体。图2-7b中所公开的处理室可用于图1和美国专利第8,067,061号所公开的系统，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中，并且用于所有目的。图2示出了根据各种实施例的弯曲处理室132的透视图。弯曲处理室132可包含弯曲上壁101，所述弯曲上壁从反应室的第一端部部分102纵向延伸到处理室132的第二端部部分103。在一些实施例中，弯曲处理室可包含弯曲下壁104，所述弯曲下壁与弯曲上壁101协作以至少部分地限定可充当反应空间48的内腔105，其中弯曲下壁104例如通过沿着壁之间的交界处安置的连接器连接到弯曲上壁101。在一些实施例中，弯曲下壁104可沿着反应室的第一侧107处的第一交界处106和沿着处理室132的第二侧109处的第二交界处108直接连接(例如，没有连接器)到从第一端部部分102到第二端部部分103的弯曲上壁101。因此，在各种实施例中，上壁和下壁101、104可沿着交界处106、108彼此直接连接，而其间没有连接器。在其它实施例中，上壁和下壁101、104可通过介入连接器沿着交界处106、108彼此连接。弯曲上壁101可在第一交界处106和第二交界处108处具有与弯曲下壁104基本相同的厚度。在一些实施例中，弯曲下壁104可通过连接器机械地连接到弯曲上壁101。在一些实施例中，连接器可包括e形连接器。在一些实施例中，弯曲上壁101和弯曲下壁104可包括圆形、椭圆形或多项式几何形状。在一些实施例中，弯曲上壁101和弯曲下壁104可包括基本均匀的厚度。在一些实施例中，轨道可沿着处理室132的外部表面从第一端部部分102延伸到第二端部部分103，其中轨道安置在弯曲上壁101与弯曲下壁104之间的连接处或安置在所述连接处附近。在一些实施例中，在轨道与弯曲上壁101和弯曲下壁104相接的情况下，轨道的厚度与弯曲上壁101和弯曲下壁104基本相同，以产生更好的焊接。在一些实施例中，可使用连接器将弯曲下壁104机械地连接到弯曲上壁101。在一些实施例中，弯曲下壁104和弯曲上壁101可焊接在一起。在一些实施例中，处理室132可由辐射能量能基本穿透的材料制成，例如由石英制成。弯曲上壁101和弯曲下壁104的曲率半径可相对较低，以便实现适当的结构完整性，同时改进可制造性。如上文所论述，平坦形状也可改善气流，并且因此低曲率半径可改善气流，进而可改善沉积的均匀性。如图2所示，两个凸缘(例如，前凸缘110和后凸缘111)可分别被配置成与输入歧管34和输出歧管36配对。(参见图1)。凸缘110、111可在第一端部部分102和第二端部部分103处与弯曲上壁101和弯曲下壁104接触。图3a-3e示出了具有肋支撑结构115a、115b的图2的弯曲处理室132的各种视图。图3a-3e的实施例共用图2的实施例的所有特征，并且不再结合图3a-3e描述这些特征。图3a-3e示出了安置在弯曲上壁101和弯曲下壁104上的第一多个第一肋支撑结构115a，所述第一多个第一肋支撑结构仅位于弯曲上壁101和弯曲下壁104的靠近弯曲上壁101与弯曲下壁104之间的连接(例如，靠近交界处106)的部分处。多个第二肋支撑结构115b可安置在弯曲上壁101和弯曲下壁104上，所述多个第二肋支撑结构仅位于弯曲上壁101和弯曲下壁104的靠近弯曲上壁101与弯曲下壁104之间的连接(例如，靠近交界处108)的部分处。第一肋支撑结构115a可安置在室132的第一侧107上，并且第二肋支撑结构115b可安置在室132的与第一侧107相对的第二侧109上。在一些实施例中，肋支撑结构115a、115b可(例如，沿着交界处106、108)直接焊接到弯曲上壁101、弯曲下壁104和连接器中的至少一个上。在一些实施例中，肋支撑结构115a、115b不与处理室132的顶部部分和底部部分重叠，因此不会提供不均匀的加热。多个肋支撑结构115a、115b可跨越弯曲上壁101和弯曲下壁104均匀地间隔开。多个肋支撑结构可包括第一多个肋支撑结构115a和第二多个肋支撑结构115b，所述第一多个肋支撑结构和所述第二多个肋支撑结构安置在沿着连接器或交界处106、108延伸的相对侧上。在一些实施例中，反应室132可包含跨越连接器或交界处108安置在反应室132的第一侧107上的第一肋支撑结构115a，所述第一肋支撑结构115a具有固定到弯曲上壁101的弯曲外部表面的第一弯曲顶部部分112和固定到弯曲下壁104的弯曲外部表面的第一弯曲底部部分113。反应室132可进一步包含跨越相对连接器安置在反应室132的第二侧109上的第二肋支撑结构115b，所述第二肋支撑结构115b具有固定到弯曲上壁101的第二弯曲顶部部分112和固定到弯曲下壁104的第二弯曲底部部分113。因此，反应室132可包含安置在反应室132的第一侧107上且彼此纵向间隔开的多个第一肋支撑结构115a，所述多个第一肋支撑结构中的每个第一肋支撑结构115a具有固定到弯曲上壁101的弯曲外部表面的第一弯曲顶部部分112和固定到弯曲下壁103的弯曲外部表面的第一弯曲底部部分113。因此，反应室132还可包含安置在反应室132的第二侧109上且彼此纵向间隔开的多个第二肋支撑结构115b，所述多个第二肋支撑结构中的每个第二肋支撑结构115b具有固定到弯曲上壁101的弯曲外部表面的第二弯曲顶部部分112和固定到弯曲下壁104的弯曲外部表面的第二弯曲底部部分113。肋支撑结构115a、115b既可向处理室132提供结构支撑，又可充当散热片。所属领域技术人员将理解，可使用最小数目个肋支撑结构来提供适当的结构支撑，以便改进可制造性。图3d示出了处理室的横截面视图，其示出了安置在内腔105中并且被配置成支撑例如半导体晶片之类的基板54的水平搁板114。图3e示出了处理室132的横截面正视图，其示出了搁板114跨弯曲上壁101和弯曲下壁104之间的第一和第二连接或交界处106、108延伸并在所述连接或交界处处接合的截面。在图3d中，搁板114示出为包含反应室132的后部第二端部部分103处的第一部分，然而应了解，搁板114可包含在反应室132的前部第一端部部分102处的第二部分。因此，在一些实施例中，水平搁板114的第一部分和第二部分可放置成彼此的镜像，使得晶片进入室132的中心部分。在各种实施例中，搁架114可相对于反应室132对称，例如，相对于反应室132的纵向轴线对称。图4a-4c示出了图2的弯曲处理室的各种视图，其中肋支撑结构附接到沿着上壁101与下壁104之间的连接或交界处106、108延伸的轨道116。图4a-4c的实施例共用图2和3的实施例的许多特征，并且此处不再描述图4a-4c的特征。轨道116可附接到多个肋支撑结构115a、115b，并且可沿着第一交界处106和第二交界处108中的至少一个延伸并且机械地固定到所述第一交界处和所述第二交界处中的至少一个。轨道116可直接连接到弯曲上壁101、弯曲下壁104以及上壁101和下壁104之间的连接器中的至少一个。在一些实施例中，轨道116可焊接到弯曲上壁101、弯曲下壁104或连接器中的至少一个。多个肋支撑结构115a、115b可包括位于细长轨道116的顶部上的多个顶部肋支撑结构115’和位于轨道116的底部上的多个底部肋支撑结构115”。在一些实施例中，沿着交界处106、108的连接器或相对连接器可具有连接到其自身的多个肋支撑结构的随附轨道116。在一些实施例中，在反应室132的一侧上，连接器可具有多个肋支撑结构115a或115b，不具有直接连接到弯曲上壁101和弯曲下壁104中的至少一个的轨道，但另一侧可具有连接到多个肋支撑结构115a或115b的轨道116。在一些实施例中，第一轨道116a可沿着靠近上壁101与下壁104之间的连接或交界处106的内腔105外侧的反应室132的外部表面上延伸且可机械地固定在靠近上壁与下壁之间的连接或交界处的内腔外侧的反应室的外部表面上。每个第一肋支撑结构115a的第一弯曲顶部部分115’可安置在第一轨道116上方，并且每个第一肋支撑结构115a的第一弯曲底部部分115”可安置在第一轨道116a下方。在一些实施例中，第一弯曲顶部部分115’和第一弯曲底部部分115”可一体地形成在一起。第一弯曲顶部部分115’可包括成形为与弯曲上壁101的外部表面一致的弯曲表面，并且第一弯曲底部部分115”可包括成形为与弯曲下壁104的外部表面一致的弯曲表面。第一弯曲顶部部分115’和第一弯曲底部部分115”可协作以限定大体c形轮廓。轨道和肋结构可安置在如本文所示的反应室132的相对侧上。图5a-5c示出了不具有肋支撑结构但具有轨道116的弯曲处理室132的一个实例的各种视图，以示出轨道116相对于弯曲上壁101和弯曲下壁104的放置。因此，在一些布置中，弯曲处理室132可包含在处理室132的相对侧上没有肋的轨道。图6a和6b示出了包含竖直侧壁117a、117b的弯曲处理室132的实例的横截面视图。图6a和6b共用图3e的结构特征，并且这些特征将不再重复。然而，图6a和6b的示例弯曲处理室132还包含竖直侧壁117a、117b，所述竖直侧壁在弯曲上壁102和弯曲下壁104的端部部分处基本平坦。如图所示，搁板114的两个端部区段可连接到竖直侧壁117a、117b的侧表面。搁板114可在竖直侧壁117a、117b的中间或中心部分处或竖直侧壁117a、117b的不处于中间或中心部分的区段处连接到竖直侧壁。图6a和6b的弯曲处理室132可在包括竖直侧壁17a、17b的接头或连接器处连接。竖直侧壁17a、17b可在弯曲上壁101与弯曲下壁104之间线性延伸。竖直侧壁17a、17b可焊接到弯曲上壁101和弯曲下壁104的端部。图6a的弯曲处理室132示出了不包含侧肋结构或轨道的实施方案。在一些实施例中，如图6b所示，弯曲处理室132可包含一个或多个侧肋结构115a、115b。如图6b所示，这些侧肋结构115a、115b可由一个或多个轨道116a、116b固定在一起或这些侧肋结构可连接到一个或多个轨道。在一些实施例中，如图3a-3e示出的处理室所示，可以省略轨道。图7a和7b示出了弯曲处理室132的多个实例的横截面视图。这些实例可在上文所论述的所有实例中实施。在图7a中，弯曲处理室132包含单独的搁板114以及单独的弯曲上壁101和弯曲下壁104。弯曲上壁101和弯曲下壁104可焊接在一起以形成内腔105。弯曲上壁101和弯曲下壁104相接以形成c形轮廓。可将搁板114焊接到弯曲上壁101和弯曲下壁104，其中弯曲上壁101和弯曲下壁104在焊接处相接。图7b示出了包含搁板114、弯曲上壁101、弯曲下壁104和e形连接器118a、118b的弯曲处理室132，所述弯曲处理室安置在上壁101与下壁104之间且连接所述上壁和所述下壁。弯曲上壁101因此可通过e形连接器118a、118b连接到弯曲下壁104。e形连接器118a、118b可以任何合适的方式，例如，通过焊接连接到壁101、104的端部。e形连接器118a、118b也可例如通过焊接连接到搁板114。在一些实施例中，弯曲上壁101从反应室132的第一端部部分102纵向延伸到反应室132的第二端部部分103。弯曲下壁104可与弯曲上壁101协作以至少部分地限定内腔105。弯曲下壁101的上端部可通过接头(例如，通过直接接头或焊接，或通过介入连接器)在反应室132的第一侧107和反应室132的第二侧109连接到从第一端部部分102到第二端部部分103的弯曲上壁101的下端部。接头的第一最大厚度可在弯曲上壁101的下端部和弯曲下壁104的上端部中的至少一个的第二最大厚度的20％内。在各种实施例中，接头的第一最大厚度可在弯曲上壁101的下端部和弯曲下壁104的上端部中的至少一个的第二最大厚度的10％内或5％内。在一些实施例中，接头包含焊接到弯曲上壁和弯曲下壁101、104的e形连接器118a、118b。在一些实施例中，e形连接器118a、118b或接头包含具有三个机械连接点的线性或弧形基部，所述三个机械连接点从基部的第一端部、第二端部和内部部分延伸。e形连接器118a、118b可包括顶部部分、底部部分和顶部部分与底部部分之间的中间部分。例如，如图7b的e形连接器118a、118b所示，连接器118a、118b的第一连接点119a可连接(例如，焊接到)上壁101的下端部。第二连接点119b可连接(例如，焊接到)搁板114的横向侧边缘。第三连接点119c可连接(例如，焊接到)下壁104的上端部。在其它实施例中，接头包含弯曲上壁与弯曲下壁之间的焊接连接，使得弯曲上壁与弯曲下壁之间可不存在单独的介入连接器。接头的第一最大厚度(例如、e形连接器118a、118b或其它连接器的最大厚度，或直接焊接接头的最大厚度)可与上壁或下壁101、104的端部部分的第二最大厚度基本相同。在一些实施例中，接头包含在壁101、104的上端部与下端部之间线性延伸的竖直侧壁117a、117b，所述竖直侧壁可焊接到上端部和下端部。在一些实施例中，第一多个第一肋支撑结构115a、115b可仅沿着弯曲上壁101的一部分且仅沿着弯曲下壁104的一部分安置在接头或安置在所述接头附近。在上文所描述的实施例中，结合具体实施例描述了用于加强具有侧肋的弯曲处理室的设备、系统和方法。然而，应理解，实施例的原理和优点可用于任何其它系统、设备或方法。尽管为了清楚和理解起见通过图示和实例详细描述了前文，但所属领域的技术人员清楚可实践某些变化和修改。因此，描述和实例不应被理解为将本发明的范围限制为本文中所描述的具体实施例和实例，而是实际上还涵盖属于本发明的真正范围和精神内的所有修改和替代方案。此外，实践本发明未必需要上文所描述的所有特征、方面和优点。除非上下文另有明确要求，否则在整个描述和权利要求书中，词语“包括(comprise/comprising)”、“包含(include/including)”等应被解释为具有包含性意义，而不是具有排他性或详尽的意义；也就是说，在“包含，但不限于”的意义上。如本文中通常所使用，词语“联接”或“连接”是指可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或更多个元件。另外，当在本申请中使用时，词语“本文中”、“以上”、“以下”以及类似意义的词语应指本申请的整体，而不是指本申请的任何特定部分。在上下文准许的情况下，具体实施方式中使用单数或复数的词语还可分别包含复数或单数。提及两个或多于两个项目的列表时，词语“或”旨在涵盖词语的以下所有解译：列表中的项目中的任一项目、列表中的所有项目以及列表中的项目的任何组合。本文中所提供的所有数值旨在包含测量误差内的类似值。此外，除非另外具体说明或在如所使用的上下文内以其它方式理解，否则本文中所使用的条件性语言，例如，“可以”、“可能”、“能够”、“可”、“例如(e.g./forexample/suchas)”等通常旨在表达某些实施例包含而其它实施例不包含的某些特征、要素和/或状态。本文所提供的实施例的教示可应用于其它系统，而未必是上文所描述的系统。可对以上描述的各种实施例的元件和动作进行组合以提供其它实施例。本文所论述的方法的动作可适当按任何次序执行。此外，本文所论述的方法的动作可适当连续或并行地执行。尽管已经描述本发明的某些实施例，但这些实施例仅作为实例而呈现并且不旨在限制本公开的范围。实际上，本文所描述的新颖方法和系统可以各种其它形式体现。此外，可以在不脱离本公开的精神的情况下对本文所描述的方法及系统的形式作出各种省略、替代和改变。所附权利要求书及其等效物旨在涵盖将属于本公开的范围和精神内的此类形式或修改。因此，本发明的范围通过参考权利要求书来限定。当前第1页12当前第1页12