1.一种场效应管，其特征在于，包括：沟道层、与所述沟道层层叠设置的源极、漏极和栅极结构；其中，所述源极、漏极和栅极结构同层设置；
所述栅极结构包括层叠设置的p型氮化镓层和n型氮化镓层，且所述p型氮化镓层位于所述n型氮化镓层与所述沟道层之间；所述p型氮化镓层的掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3；
所述场效应管还包括栅极金属层，所述栅极金属层与所述n型氮化镓层欧姆接触。
2.如权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述p型氮化镓层的厚度大于或等于50nm、且小于或等于70nm。
3.如权利要求1或2所述的场效应管，其特征在于，所述n型氮化镓层的掺杂浓度为1×1016cm-3～5×1019cm-3。
4.如权利要求3所述的场效应管，其特征在于，所述n型氮化镓层的厚度小于或等于40nm。
5.如权利要求1～4任一项所述的场效应管，其特征在于，所述沟道层包括层叠的氮化镓层和铝镓氮势垒层；
所述源极、漏极和所述栅极结构设置在所述铝镓氮势垒层。
6.如权利要求5所述的场效应管，其特征在于，还包括衬底，以及设置在所述衬底上的缓冲层；
所述氮化镓层形成在所述缓冲层上。
7.如权利要求6所述的场效应管，其特征在于，所述衬底的材料为硅、蓝宝石、碳化硅或氮化镓体材料。
8.如权利要求5～7任一项所述的场效应管，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层与所述铝镓氮势垒层层叠设置；
所述源极、所述漏极和所述栅极结构穿过所述钝化层，并外露在所述钝化层外。
9.一种场效应管的制备方法，其特征在于，包括：
形成沟道层；
在所述沟道层上形成栅极结构，其中所述栅极结构包括层叠设置的p型氮化镓层和n型氮化镓层，且所述p型氮化镓层位于所述n型氮化镓层与所述沟道层之间；所述p型氮化镓层的掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3；
在所述沟道层上形成源极和漏极，并在所述栅极结构上形成栅极金属层。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述p型氮化镓层的厚度大于或等于50nm、且小于或等于70nm。
11.一种开关电路，其特征在于，包括主板以及设置在所述主板上的如权利要求1～8任一项所述的场效应管。