显示面板及显示面板制作方法、显示装置与流程

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及显示面板制作方法、显示装置。

背景技术：

有机发光显示面板(oled面板)已经广泛用于人们生活中，例如手机、电脑等的显示屏幕。随着显示技术的发展以及人们对显示技术的进步要求，人们对显示面板的显示品质要求越来越高。

然而，在有机发光显示面板中一直存在子像素偷亮的问题，原因是相邻子像素之间存在横向漏电流，例如绿色子像素显示，而蓝色子像素关闭时，绿色子像素与蓝色子像素相邻，则会有绿色子像素中的电流横向流入蓝色子像素，导致蓝色子像素发光而不能呈现全黑状态，严重影响了有机发光显示面板的显示品质。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制作方法、显示装置，在显示面板中的相邻发光器件之间设置电流阻断结构，电流阻断结构使得公共发光材料层和第二电极在电流阻断结构上断开，从而防止电流通过公共发光材料层或/和第二电极在相邻子像素之间横向流动，从而解决电流横向流动导致的子像素偷亮的问题。

本申请实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板、阵列设置于所述阵列基板上的发光器件；

其中，至少一个排布方向上相邻的所述发光器件之间设置有电流阻断结构，所述电流阻断结构包括呈狭缝形状的辅助层、以及所述辅助层的狭缝下方的凹槽，所述凹槽的膜层截面具有底切轮廓。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括设于相邻的所述发光器件之间的像素定义层，所述像素定义层包括用于露出所述发光器件的开口；

所述发光器件包括设于所述阵列基板上的第一电极、设于所述第一电极上的公共发光材料层、以及设于所述公共发光材料层上的第二电极；

所述像素定义层、所述公共发光材料层和所述第二电极在所述电流阻断结构上断开。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括第一绝缘层，所述第一电极设于所述第一绝缘层上，所述像素定义层设于所述第一电极的端部和所述第一绝缘层上；

所述辅助层设于所述第一绝缘层上，且位于两相邻的所述第一电极之间；

所述像素定义层在所述辅助层的上方还包括通孔以露出所述辅助层的狭缝和所述凹槽。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极位于所述像素定义层的所述开口，且所述第一电极的端部位于所述像素定义层之上；

所述辅助层位于所述像素定义层之上，且位于相邻的所述第一电极之间，所述像素定义层包括所述凹槽。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助层由金属制作。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助层与所述第一电极的材料相同，且为同层设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，

所述电流阻断结构包括沿第一方向上排布的相邻所述发光器件之间的第一电流阻断结构、以及沿第二方向上排布的相邻所述发光器件之间的第二电流阻断结构，所述第一电流阻断结构与所述第二电流阻断结构不相交，所述第一方向与所述第二方向相交。

可选的，在本申请的一些实施例中，相邻的所述发光器件之间包括正向对的第一区域、以及所述第一区域两端的第二区域，所述电流阻断结构设于所述第一区域。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板制作方法，包括：

提供一阵列基板，所述阵列基板包括阵列复合层；

在所述阵列复合层上形成第一电极和辅助层，其中，所述辅助层呈狭缝形状，所述辅助层与所述第一电极的材料相同，且为同层设置；

在所述第一电极和所述辅助层上形成像素定义层、以及所述辅助层的狭缝下方的凹槽，其中，所述凹槽的膜层截面具有底切轮廓，所述像素定义层包括用于露出发光器件的开口、以及露出所述辅助层的狭缝和所述凹槽的通孔；

在所述像素定义层上形成公共发光材料层；

在所述公共发光材料层上形成第二电极。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。

本申请实施例中，显示面板的相邻发光器件之间设置电流阻断结构，电流阻断结构使得公共发光材料层和第二电极在电流阻断结构上断开，从而防止电流通过公共发光材料层或/和第二电极在相邻子像素之间横向流动，从而解决电流横向流动导致的子像素偷亮的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例提供的第一种显示面板的截面示意图；

图2是本申请一实施例提供的显示面板的俯视示意图；

图3是本申请一实施例提供的又一显示面板的俯视示意图；

图4是本申请一实施例提供的第二种显示面板的截面示意图；

图5是本申请一实施例提供的另一显示面板的局部俯视示意图；

图6是本申请一实施例提供的显示面板的制作方法的第一示意图；

图7是本申请一实施例提供的显示面板的制作方法的第二示意图；

图8是本申请一实施例提供的显示面板的制作方法的第三示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制作方法、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一、

请参阅图1、图2、图3，图1为本申请实施例提供的一种显示面板1000的断面图，图2是本申请实施例提供的一种显示面板1000的俯视图，图3是本申请实施例提供的又一种显示面板1000的俯视图，本申请的实施例提供了一种显示面板1000，显示面板1000包括阵列基板、阵列设置于阵列基板上的发光器件59，其中，至少一个排布方向上相邻的发光器件59之间设置有电流阻断结构60，电流阻断结构60包括呈狭缝形状的辅助层190、以及辅助层190的狭缝191下方的凹槽181，凹槽181的截面具有底切轮廓。

具体的，显示面板1000包括阵列排布多个发光器件59，如图2、图3所示，发光器件59可以包括第一颜色发光器件61、第二颜色发光器件62、第三颜色发光器件63，第一颜色发光器件61可以为红色发光器件，第二颜色发光器件62可以为绿色发光器件，第三颜色发光器件63可以为蓝色发光器件。图2中示意了沿第一方向上相邻的发光器件59之间设置有电流阻断结构60，图3中示意了沿第一方向上和沿第二方向上相邻的发光器件59之间均设置有电流阻断结构60，第一方向与第二方向相交，例如第一方向与第二方向相互垂直。

具体的，电流阻断结构60包括呈狭缝形状的辅助层190，辅助层190可以包括狭缝形状的两条或多条结构，辅助层190的狭缝191下方具有凹槽181，凹槽181的截面具有底切轮廓，在截面图中，底切轮廓是指凹槽181远离辅助层190一侧的宽度大于凹槽181靠近辅助层190一侧的宽度。

在一些实施例中，如图1所示，阵列基板包括设于相邻的发光器件59之间的像素定义层20，像素定义层20包括用于露出发光器件59的开口；发光器件59包括设于阵列基板上的第一电极19、设于第一电极19上的颜色发光层21、设于颜色发光层21上的公共发光材料层22、以及设于公共发光材料层22上的第二电极23；像素定义层20、公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开。

在一些实施例中，如图1所示，阵列基板包括第一绝缘层18，第一电极19设于第一绝缘层18上，像素定义层20设于第一电极19的端部和第一绝缘层18上；辅助层190设于第一绝缘层18上，且位于两相邻的第一电极19之间；像素定义层20在辅助层190的上方还包括通孔210，通过通孔210可以露出辅助层190的狭缝191和凹槽181。

具体的，显示面板1000包括基底11、设于基底11上的缓冲层12、设于缓冲层12上的半导体层13、设于半导体层13上的栅极绝缘层14、设于栅极绝缘层14上的栅极层15、设于栅极层15上的层间绝缘层16、设于层间绝缘层16上的源漏极层17、设于源漏极层17上的第一绝缘层18、设于第一绝缘层18上的第一电极19、设于第一电极19上的像素定义层20、设于像素定义层20上的颜色发光层21、设于颜色发光层21上的公共发光层22、设于公共发光层22上的第二电极23，显示面板1000还可以包括封装层(图未示意)，封装层可以为薄膜封装层或/和盖板封装层，在此不做限定。其中，栅极层15可以包括栅极走线和栅极151，源漏极层17可以包括源极171、漏极172和数据线，由半导体层13、栅极绝缘层14、栅极151、层间绝缘层16、源极171、漏极172构成了薄膜晶体管100。

需要说明的是，这里虽然举例说明的显示面板1000的结构，但是显示面板1000的结构还可以为其他结构。

需要说明的是，在这里举例描述了薄膜晶体管100的结构，但是薄膜晶体管100还可以为其他结构，例如可以为底栅结构。薄膜晶体管100的半导体层材料不做限定，例如可以为非晶硅或低温多晶硅。

需要说明的是，这里虽然举例说明了发光器件59包括第一电极19、颜色发光层21、公共发光层22、第二电极23，但是发光器件59还可以包括其他结构，例如为第一电极19、公共发光层22、颜色发光层21、公共发光层22、第二电极23的多层结构。其中，公共发光层22包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的一种或几种。其中，颜色发光层21可以发出不同颜色的光，例如红色发光器件中的颜色发光层21发出红光，绿色发光器件中的颜色发光层21发出绿光，蓝色发光器件中的颜色发光层21发出蓝光。发光器件59的第一电极19可以为阳极，发光器件59的第二电极23可以为阴极。

具体的，第一绝缘层18可以为平坦层，第一绝缘层18的材料可以为无机材料中的氧化硅、氮化硅等，第一绝缘层18的材料可以为有机材料中的树脂等。

在本申请实施例中，如图1所示，辅助层190设于第一绝缘层18上，且位于两相邻的第一电极19之间；像素定义层20在辅助层190的上方还包括通孔210以露出辅助层190的狭缝和凹槽181，像素定义层20、公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开。

在一些实施例中，辅助层190由金属制作。

在一些实施例中，辅助层190与第一电极19的材料相同，且为同层设置。具体的，辅助层190与第一电极19通过同一工艺形成。

具体的，在制作第一电极19时，同时形成了辅助层190，辅助层190由至少两条狭缝金属构成，优选辅助层190由两条狭缝金属构成，凹槽181形成在第一绝缘层18之中。

在本申请实施例的显示面板中，在相邻发光器件之间设置电流阻断结构，电流阻断结构使得公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开，从而防止电流通过公共发光材料层22或/和第二电极23在相邻子像素之间横向流动，从而解决电流横向流动导致的子像素偷亮的问题。

实施例二、

请参阅图4、图2、图3，图4为本申请实施例提供的一种显示面板1000的断面图，图2是本申请实施例提供的一种显示面板1000的俯视图，图3是本申请实施例提供的又一种显示面板1000的俯视图，本申请的实施例提供了一种显示面板1000，显示面板1000包括阵列基板、阵列设置于阵列基板上的发光器件59，其中，至少一个排布方向上相邻的发光器件59之间设置有电流阻断结构60，电流阻断结构60包括呈狭缝形状的辅助层190、以及辅助层190的狭缝191下方的凹槽181，凹槽181的截面具有底切轮廓。

具体的，显示面板1000包括阵列排布多个发光器件，如图2、图3所示，发光器件59包括第一颜色发光器件61、第二颜色发光器件62、第三颜色发光器件63，第一颜色发光器件61可以为红色发光器件，第二颜色发光器件62可以为绿色发光器件，第三颜色发光器件63可以为蓝色发光器件。图2中示意了沿第一方向上相邻的发光器件59之间设置有电流阻断结构60，图3中示意了沿第一方向上和沿第二方向上相邻的发光器件59之间均设置有电流阻断结构60，第一方向与第二方向相交，例如第一方向与第二方向相互垂直。

具体的，电流阻断结构60包括呈狭缝形状的辅助层190，辅助层190可以包括狭缝形状的两条或多条结构，辅助层190的狭缝191下方具有凹槽181，凹槽181的截面具有底切轮廓，在截面图中，底切轮廓是指凹槽181远离辅助层190一侧的宽度大于凹槽181靠近辅助层190一侧的宽度。

在一些实施例中，如图4所示，阵列基板包括设于相邻的发光器件59之间的像素定义层20，像素定义层20包括用于露出发光器件59的开口；发光器件59包括设于阵列基板上的第一电极19、设于第一电极19上的颜色发光层21、设于颜色发光层21上的公共发光材料层22、以及设于公共发光材料层22上的第二电极23；像素定义层20、公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开。

在一些实施例中，如图1所示，第一电极19位于像素定义层20的开口，且第一电极19的端部位于像素定义层20之上；辅助层190位于像素定义层20之上，且位于相邻的第一电极19之间，像素定义层20包括凹槽181。

具体的，显示面板1000包括基底11、设于基底11上的缓冲层12、设于缓冲层12上的半导体层13、设于半导体层13上的栅极绝缘层14、设于栅极绝缘层14上的栅极层15、设于栅极层15上的层间绝缘层16、设于层间绝缘层16上的源漏极层17、设于源漏极层17上的第一绝缘层18、设于第一绝缘层18上的像素定义层20、设于像素定义层20的开口上的第一电极19、设于第一电极19上颜色发光层21、设于颜色发光层21上的公共发光层22、设于公共发光层22上的第二电极23，显示面板1000还可以包括封装层(图未示意)，封装层可以为薄膜封装层或/和盖板封装层，在此不做限定。其中，栅极层15可以包括栅极走线和栅极151，源漏极层17可以包括源极171、漏极172和数据线，由半导体层13、栅极绝缘层14、栅极151、层间绝缘层16、源极171、漏极172构成了薄膜晶体管100。

需要说明的是，这里虽然举例说明的显示面板1000的结构，但是显示面板1000的结构还可以为其他结构。

需要说明的是，在这里举例描述了薄膜晶体管100的结构，但是薄膜晶体管100还可以为其他结构，例如可以为底栅结构。薄膜晶体管100的半导体层材料不做限定，例如可以为非晶硅或低温多晶硅。

需要说明的是，这里虽然举例说明了发光器件59包括第一电极19、颜色发光层21、公共发光层22、第二电极23，但是发光器件59还可以包括其他结构，例如为第一电极19、公共发光层22、颜色发光层21、公共发光层22、第二电极23的多层结构。其中，公共发光层22包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的一种或几种。其中，颜色发光层21可以发出不同颜色的光，例如红色发光器件中的颜色发光层21发出红光，绿色发光器件中的颜色发光层21发出绿光，蓝色发光器件中的颜色发光层21发出蓝光。发光器件59的第一电极19可以为阳极，发光器件59的第二电极23可以为阴极。

具体的，第一绝缘层18可以为平坦层，第一绝缘层18的材料可以为无机材料中的氧化硅、氮化硅等，第一绝缘层18的材料可以为有机材料中的树脂等。

在本申请实施例中，如图4所示，辅助层190设于像素定义层20上，且位于两相邻的第一电极19之间；像素定义层20包括位于辅助层190的狭缝191下方的凹槽181，凹槽181的截面呈现底切轮廓，像素定义层20、公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开。

在一些实施例中，辅助层190由金属制作。

在一些实施例中，辅助层190与第一电极19的材料相同，且为同层设置。具体的，辅助层190与第一电极19通过同一工艺形成。

具体的，在制作第一电极19时，同时形成了辅助层190，辅助层190由至少两条狭缝金属构成，优选辅助层190由两条狭缝金属构成，凹槽181形成在像素定义层20之中。

在本申请实施例的显示面板中，在相邻发光器件之间设置电流阻断结构，电流阻断结构使得公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开，从而防止电流通过公共发光材料层22或/和第二电极23在相邻子像素之间横向流动，从而解决电流横向流动导致的子像素偷亮的问题。

实施例三、

本申请实施例对上述实施例中的电流阻断结构的设置部位进一步详细描述。

在一些实施例中，请参阅图3，电流阻断结构60包括沿第一方向上排布的相邻所述发光器件59之间的第一电流阻断结构610、以及沿第二方向上排布的相邻发光器件59之间的第二电流阻断结构620，第一电流阻断结构610与第二电流阻断结构620不相交，第一方向与所述第二方向相交。

具体的，第一方向上的第一电流阻断结构610与第二方向上的第二电流阻断结构620不相交，那么相邻发光器件59之间的第二电极23不会彼此绝缘，还可以保持的电信号供给的通畅，可以保证第二电极23的信号正常供给，同时又防止了横向的漏电流通过最短距离到达相邻的子像素，从而阻断了横向的漏电流的发生，避免了子像素偷亮现象。

具体的，优选第一方向垂直于第二方向。

在一些实施例中，请参阅图5，图5为显示面板的部分发光器件的俯视图，相邻的发光器件59之间包括正向对的第一区域71、以及第一区域71两端的非正相对的第二区域72，电流阻断结构60设于第一区域71。

具体的，电流阻断结构60设于第一区域71，第二区域72未设置电流阻断结构60，那么相邻的相邻发光器件59之间还可以通过第二区域72的第二电极保持电性通畅，可以保证第二电极23的信号正常供给，同时又防止了横向的漏电流通过最短距离的第一区域71到达相邻的子像素，从而阻断了横向的漏电流的发生，避免了子像素偷亮现象。

实施例四、

请参阅图6至图8、图1，图6至图8、图1示意了显示面板的制作过程，本实施例还提供了实施例一的显示面板制作方法，显示面板制作方法包括：

1)如图6所示，提供一阵列基板，阵列基板包括基底11和阵列复合层；

具体的，阵列复合层包括设于基底11上的缓冲层12、设于缓冲层12上的半导体层13、设于半导体层13上的栅极绝缘层14、设于栅极绝缘层14上的栅极层15、设于栅极层15上的层间绝缘层16、设于层间绝缘层16上的源漏极层17、设于源漏极层17上的第一绝缘层18。第一绝缘层可以为平坦层。

2)如图7所示，在阵列复合层上形成第一电极19和辅助层190，其中，辅助层190呈狭缝形状，辅助层190与第一电极19的材料相同，且为同层设置，辅助层190位于相邻的第一电极19之间。具体的，辅助层190与第一电极19通过同一工艺形成。

3)如图8所示，在第一电极19和辅助层190上形成像素定义层20、以及辅助层190的狭缝下方的凹槽181，其中，凹槽181的截面具有底切轮廓，像素定义层20包括用于露出发光器件的开口、以及露出辅助层190的狭缝191和凹槽181的通孔210。

具体的，像素定义层20可以采用无机或有机材料制作，制作像素定义层时同时形成了像素定义层20容纳发光器件的开口和露出辅助层190的狭缝191的通孔210，继续显影或刻蚀像素定义层，显影液或刻蚀液穿透过辅助层190的狭缝191继续刻蚀下方的第一绝缘层18，通过控制显影液或刻蚀液的用量，或者通过控制显影或刻蚀的时间，可以同时形成像素定义层20和凹槽181。

4)如图1所示，在像素定义层20上形成公共发光材料层22。

具体的，在像素定义层20上形成发光材料时，依据发光器件的实际发光材料的堆叠进行制作，例如，发光器件可以包括第一电极19、颜色发光层21、公共发光层22、第二电极23，发光器件也可以包括第一电极19、公共发光层22、颜色发光层21、公共发光层22、第二电极23的多层结构。其中，公共发光层22包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的一种或几种。

5)如图1所示，在公共发光材料层22上形成第二电极23。

具体的，第一电极可以为阳极，第二电极可以为阴极。

需要说明的是，公共发光材料层22和第二电极23为整面性制作，即公共发光材料层22和第二电极23制作过程不采用光罩，公共发光材料层22和第二电极23成膜后自然的在电流阻断结构上断开，从而避免了横向电流在相邻子像素之间横向流动，从而改善了子像素偷亮。

具体的，在形成第二电极23后还包括形成封装层，在此不再赘述。

实施例五、

本实施例还提供了实施例二的显示面板制作方法，显示面板制作方法与实施例四中的制作方法相同或相似之处，在此不再赘述。

需要说明的是，在上述实施例中，辅助层190的宽度可以为1至20微米，夹缝191的宽度可以为2至12微米。

不同点在于，提供一阵列基板后，在阵列基板上形成像素定义层20，然后在像素定义层20上形成第一电极19和辅助层190，第一电极19位于像素定义层20的开口，且第一电极19的端部位于像素定义层20之上；辅助层190位于像素定义层20之上，且位于相邻的第一电极19之间。然后通过一道光罩在辅助层190的狭缝191下方形成凹槽181，其中，像素定义层20包括凹槽181。

实施例六、

本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。

在本申请实施例中，在相邻发光器件之间设置电流阻断结构，电流阻断结构使得公共发光材料层22和第二电极23在电流阻断结构上断开，从而防止电流通过公共发光材料层22或/和第二电极23在相邻子像素之间横向流动，从而解决电流横向流动导致的子像素偷亮的问题。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示面板制作方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。