技术特征：
1.一种低温离子注入装置，其特征在于，所述装置包括工艺腔、预冷台、与所述预冷台相连的预热台和传送部：所述传送部，用于在对硅片进行低温离子注入工艺前，将所述硅片传送至预冷台；所述预冷台，用于对所述硅片进行预冷；所述传送部，还用于将所述硅片转移到工艺腔中进行低温离子注入处理，以及在完成低温离子注入处理后，将所述硅片传送至预热台；所述预热台，用于对所述硅片进行预热；其中，所述预冷台与所述预热台通过半导体温控设备实现互连，所述半导体温控设备的热端连接所述预热台，所述半导体温控设备的冷端连接所述预冷台。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括转移腔，所述转移腔与所述工艺腔相连接，所述预热台和预冷台共同设置于所述装置的转移腔中，且所述转移腔为真空环境。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括预冷腔和转移腔，所述预冷腔与所述转移腔相连接，所述转移腔与所述工艺腔相连接，所述预冷台设置于所述装置的预冷腔内，所述预热台设置于所述装置的转移腔内。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括预冷腔，所述预冷腔与所述工艺腔相连接，所述预冷台设置于所述装置的预冷腔内，所述预热台设置于所述装置的工艺腔内，所述工艺腔为真空环境。5.根据权利要求2至4任一项所述的装置，其特征在于，所述传送部在将当前第n个硅片由预冷台转移到工艺腔进行低温离子注入处理时，还用于：同时传送第n+1个硅片至所述预冷台，且传送已完成低温离子注入处理工艺的第n-1个硅片至预热台，n为大于1的正整数。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括转移腔和预冷腔，所述预冷腔与所述转移腔相连接，所述转移腔与所述工艺腔相连接，所述预冷台设置于所述装置的预冷腔内，一预热台设置于所述装置的工艺腔内，另一预热台设置于所述装置的转移腔内，所述工艺腔内的预热台温度低于所述转移腔内的预热台；所述传送部在将当前第m个硅片由预冷台转移到工艺腔进行低温离子注入处理时，同时传送第m+1个硅片至预冷台；且传送已完成低温离子注入处理工艺的第m-1个硅片至工艺腔内的第一预热台，且同时传送第m-2个硅片至硅片转移腔的另一预热台上进行预热，m为大于2的正整数。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述工艺腔的硅片承载台内部设置有半导体制冷器的制冷端，并与外部加热台的制热端连接在一起。8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述硅片承载台包括硅片承载台表面、所述硅片承载台表面下方的高热导材料层、所述高热导材料层下方的制冷液体通道及与通道间隔排列的半导体制冷器的制冷端。9.一种低温离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅片；在对硅片进行低温离子注入工艺前，利用预冷台对所述硅片进行预冷；将所述硅片转移到工艺腔中进行低温离子注入处理，以及在完成低温离子注入处理后，利用预热台对所述硅片进行预热；
其中，所述预冷台与所述预热台通过半导体温控设备实现互连，所述半导体温控设备的热端连接所述预热台，所述半导体温控设备的冷端连接所述预冷台。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在将当前第n个硅片由预冷台转移到工艺腔进行低温离子注入处理时，同时传送第n+1个硅片至所述预冷台，且传送已完成低温离子注入处理工艺的第n-1个硅片至预热台。
技术总结
本发明提供了一种低温离子注入方法及装置，该装置包括预冷台、与所述预冷台相连的预热台和传送部。所述传送部，用于在对硅片进行低温离子注入工艺前，将所述硅片传送至预冷台；所述预冷台，用于对所述硅片进行预冷；所述传送部，还用于将所述硅片转移到工艺腔中进行低温离子注入处理，以及在完成温离子注入处理后，将所述硅片传送至预热台；所述预热台，用于对所述硅片进行预热；预冷台与所述预热台通过半导体温控设备实现互连，所述半导体温控设备的热端连接所述预热台，所述半导体温控设备的冷端连接所述预冷台。该装置用以提升器件在低温下超浅结的离子注入效果。温下超浅结的离子注入效果。温下超浅结的离子注入效果。
技术研发人员：康晓旭
受保护的技术使用者：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
技术研发日：2022.06.28
技术公布日：2022/9/23