214同步形成并连接源极电极213、漏极电极214。刻蚀第二保护层70、第一保护层60以及第一绝缘层50以形成对应于引线端子的过孔74。
[0104]在外围区300形成第二保护层70的工艺参数测试区330的步骤包括:
[0105]在外围区300形成第二保护层70的开口 73，开口 73用于测试第二保护层的线宽和/或对位偏差。
[0106]在这样的变化例中，在形成上电极层80和刻蚀阻挡层90的步骤中，若涂布的光刻胶为正性光刻胶，则上电极层80和刻蚀阻挡层90的掩模板的不透光区域与上电极层80和刻蚀阻挡层90的图案相同，其不透光区域至少对应覆盖掩模板对位标记以及多个测试区。若涂布的光刻胶为负性光刻胶，则该掩模板透光区域与上电极层80和刻蚀阻挡层90的图案相同，其透光区域至少对应覆盖掩模板对位标记以及多个测试区，以使刻蚀阻挡层90能够对应覆盖掩模板对位标记以及多个测试区。
[0107]与现有技术相比，本发明通过在第二保护层与第一保护层之间涂布对应于第二保护层开口的刻蚀阻挡层，使第二保护层的开口仅刻蚀至刻蚀阻挡层，进而减少由于第二保护层开口而导致邻近该开口的像素区中像素受到的该开口处的温湿度影响。具体地，该刻蚀阻挡层可与像素区的上电极层是同步形成的同一层，以在不增加制程步骤的情况下，达到相同的技术效果。
[0108]以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求范围内的各种修改和等效置换。
【主权项】
1.一种平板图像传感器，包括: 衬底，所述衬底上具有像素区和外围区，所述像素区包括传感元件，所述外围区包括至少一个掩模板对位标记； 第一保护层，形成于所述像素区的传感元件之上，并延伸至所述外围区的至少一个所述掩模板对位标记上方； 上电极层，形成于所述像素区内的第一保护层之上； 刻蚀阻挡层，形成于所述外围区内的第一保护层之上； 第二保护层，覆盖所述上电极层和所述刻蚀阻挡层；其中， 在所述外围区中，所述第二保护层包括第一开口，所述第一开口暴露出所述刻蚀阻挡层，所述第一开口与至少一所述掩模板对位标记相匹配。
2.如权利要求1所述的平板图像传感器，其特征在于，所述传感元件包括TFT元件以及光电二极管， 所述TFT元件包括依次在所述衬底上形成的栅极电极、栅绝缘层、半导体层以及源极、漏极电极； 所述光电二极管包括依次在所述栅绝缘层上形成的第一端电极、功能结构层以及第二端电极， 其中，所述第一端电极与所述源极、漏极电极为同步形成的同一层，所述平板图像传感器还包括: 第一绝缘层，位于所述外围区的至少一个所述掩模板对位标记之上和所述像素区的所述源极、漏极电极上，并具有暴露所述第一端电极的开口，所述功能结构层通过所述第一绝缘层的开口与所述第一端电极连接。
3.如权利要求2所述的平板图像传感器，其特征在于，所述掩模板对位标记与所述栅极电极或者所述源极、漏极电极位于同一层，每一所述掩模板对位标记包括限定区域内的对位标记图案，所述对位标记图案包括所述限定区域内由金属刻蚀而成的金属图案和/或开口图案。
4.如权利要求3所述的平板图像传感器，其特征在于，所述第一开口具有匹配图案，所述第一开口与至少一所述掩模板对位标记相匹配包括:所述匹配图案与所述对位标记图案互补或者相同。
5.如权利要求3所述的平板图像传感器，其特征在于，所述像素区的边界与其相邻的掩模板对位标记的所述限定区域的边界之间的最近距离为1000微米至1500微米。
6.如权利要求2所述的平板图像传感器，其特征在于，所述外围区还包括多个测试区，所述刻蚀阻挡层对应覆盖多个所述测试区。
7.如权利要求6所述的平板图像传感器，其特征在于，所述测试区设置有引线端子，所述第二保护层具有对应于所述引线端子的过孔。
8.如权利要求6所述的平板图像传感器，其特征在于，所述第二保护层包括与所述测试区对应设置的第二开口，至少用于测试所述第二保护层的线宽和/或对位偏差。
9.如权利要求2所述的平板图像传感器，其特征在于，所述第一保护层位于所述第二端电极上，并具有第三开口，所述上电极层通过所述第三开口与所述第二端电极连接。
10.如权利要求1所述的平板图像传感器，其特征在于，所述刻蚀阻挡层与所述上电极层位于同一层，且材质相同。
11.一种平板图像传感器的制造方法，包括: 提供一衬底，包括像素区和外围区； 在所述像素区形成传感元件，在所述外围区形成至少一掩模板对位标记； 形成第一保护层，其位于所述像素区的传感元件之上，并延伸至所述外围区的至少一个所述掩模板对位标记上方； 形成上电极层和刻蚀阻挡层，所述上电极层位于所述像素区内的第一保护层之上，所述刻蚀阻挡层位于所述外围区内的第一保护层之上； 形成第二保护层，其覆盖所述上电极层和所述刻蚀阻挡层，刻蚀所述第二保护层在所述外围区中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述刻蚀阻挡层，所述第一开口与至少一个所述掩模板对位标记相匹配。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述传感元件包括TFT元件以及光电二极管，其中，在所述像素区形成所述传感元件包括: 依次在所述衬底上形成所述TFT元件的栅极电极、所述TFT元件的栅绝缘层、所述TFT元件的半导体层、所述TFT元件的源极、漏极电极、所述光电二极管的第一端电极、所述光电二极管的功能结构层以及所述光电二极管的第二端电极，其中，所述第一端电极与所述源极、漏极电极是同步形成的同一层； 所述制造方法还包括: 在所述外围区的至少一个所述掩模板对位标记之上和所述像素区的所述源极、漏极电极上形成第一绝缘层，并刻蚀所述第一绝缘层形成暴露所述第一端电极的开口，所述功能结构层通过所述第一绝缘层的开口与所述第一端电极连接。
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，还包括: 在所述外围区形成多个测试区，所述刻蚀阻挡层对应覆盖多个所述测试区。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述外围区形成多个测试区包括: 在所述外围区形成引线端子； 刻蚀所述引线端子上的各层，以形成对应于所述引线端子的过孔，所述各层包括所述第一保护层、所述第二保护层、所述第一绝缘层和/或所述栅绝缘层。
15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述外围区形成多个测试区包括: 在所述外围区形成所述第二保护层的第二开口，所述第二开口至少用于测试所述第二保护层的线宽和/或对位偏差。
16.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成第一保护层包括: 在所述第二端电极上形成所述第一保护层；以及 刻蚀所述第一保护层，并形成第三开口，所述上电极层通过所述第三开口与所述第二端电极连接。
17.如权利要求14至16任一项所述的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第二保护层在所述外围区中形成第一开口包括: 在所述第二保护层上涂布光刻胶，并使用第一掩模板对所述第二保护层进行光刻，所述第一掩模板具有对位图案，所述对位图案使所述第二保护层形成所述第一开口，并与至少一所述掩模板对位标记匹配。
18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，形成所述上电极层和所述刻蚀阻挡层包括: 在所述第一保护层上形成透明导电层，并在所述透明导电层上涂布光刻胶，使用第二掩模板对所述透明导电层进行光刻，其中， 所述第二掩模板包括透光区域和不透光区域，其不透光区域与所述上电极层和所述刻蚀阻挡层图案相同，所述第一掩模板包括透光区域和不透光区域，其透光区域与所述第二保护层的开口和过孔的图案相同；或者 所述第二掩模板包括透光区域和不透光区域，其透光区域与所述上电极层和所述刻蚀阻挡层图案相同，所述第一掩模板包括透光区域和不透光区域，其不透光区域与所述第二保护层的开口和过孔的图案相同。
19.如权利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层与所述上电极层是同步形成的相同材质的同一层。
【专利摘要】本发明提供一种平板图像传感器及其制造方法，平板图像传感器包括：衬底，所述衬底上具有像素区和外围区，所述像素区包括传感元件，所述外围区包括至少一个掩模板对位标记；第一保护层，形成于所述像素区的传感元件之上，并延伸至所述外围区的至少一个所述掩模板对位标记上方；上电极层，形成于所述像素区内的第一保护层之上；刻蚀阻挡层，形成于所述外围区内的第一保护层之上；第二保护层，覆盖所述上电极层和所述刻蚀阻挡层；其中，在所述外围区中，所述第二保护层包括第一开口，所述第一开口暴露出所述刻蚀阻挡层，所述第一开口与至少一所述掩模板对位标记相匹配。其能够减少第一开口中的温湿度对像素区中的像素带来的影响。
【IPC分类】H01L27-146
【公开号】CN104576673
【申请号】CN201410778514
【发明人】费小磊
【申请人】上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月15日