制造太阳能电池装置背侧触点的方法和太阳能电池装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本公开的实施例涉及一种用于制造太阳能电池装置触点的方法，具体地说，是用于制造背侧接触式太阳能电池装置(具体地说，是金属穿孔式(Metal Wrap Through;MWT)太阳能电池装置)的背侧上的前侧触点的方法。此外，本公开的实施例涉及一种太阳能电池装置，所述太阳能电池装置包括至少一个触点，具体地说，所述触点是位于太阳能电池(具体地说，是MWT太阳能电池装置)的背侧上的前侧触点。
【背景技术】
[0002]太阳能电池装置是光伏(PV)装置，所述装置将阳光转变成电能。典型的太阳能电池装置(在本文中还可以仅称为“太阳能电池”或〃电池〃)包含基板(在本文中还可以称为“晶片”)。所述晶片通常由硅制成。所述晶片中可能形成有一个或多个P-η结或p-1-n结。每一 p-n结具有P型区域和η型区域。当所述ρ-η结暴露于阳光时，所述阳光经由PV效应转变为电能。通常将大量的太阳能电池装配到一起，以形成面板(或同意义地，模块)。面板是安装在例如屋顶或类似地方上。
[0003]太阳能电池一般是由硅基板形成，所述硅基板可以是单晶硅基板或多晶硅基板。所述硅基板可在前侧上具有η型硅薄层，而在背侧上形成有P型区域。或者，所述硅基板可在前侧上具有P型硅薄层，而在背侧上形成有η型区域(所谓的“η型晶片”)。可以进一步地设置附加层，诸如在前侧上的抗反射层或者在背侧上的反射层。
[0004]本公开具体地说目的是背侧接触式太阳能电池，即在背侧上接触的太阳能电池。制造背侧接触式太阳能电池的方法之一包括金属穿孔式(Metal Wrap Through;MWT)技术，在所述技术中不仅背侧触点是印刷在背侧上，而且用于前侧区域的触点(具体地说，汇流排)也位于背侧表面上。然而，收集结或指状件仍可能位于所述太阳能电池的前侧上。在本文中，所述前侧上的印刷图案也可以称为“前侧图案”。
[0005]因此在所述前侧上由收集结或指状件收集的电流经由通孔传导到所述背侧，所述通孔横向地延伸穿过晶片。随后经由一个或多个汇流排收集电流，所述汇流排位于太阳能电池的背侧表面上。这样可以减少由于被前侧金属化栅格遮暗的区域而造成的损失，因为汇流排位于所述太阳能电池的非光照侧上。
[0006]图1将图示包括晶片I的太阳能电池的一部分，所述晶片I具有通孔2。所图示的太阳能电池倚靠在太阳能电池的前侧3上。所述通孔2定位为使得通孔2通向导电指状件5，所述导电指状件5位于所述太阳能电池的前侧3上。为了使所述太阳能电池的前侧3与背侧4电接触，用导电性材料填充所述通孔以形成填充物10。值得注意的是，填充物10通常不仅充满通孔，而是还超出所述通孔的直径，因此另外地形成突出部(tabbing)。
[0007]用于制造如所描述的背侧接触式太阳能电池的触点的材料成本很高。此外，仍然可以改良已知触点的导电性，以获得对太阳能电池的综合性能改良。
【发明内容】
[0008]鉴于上述情形，本公开提供以下内容。
[0009]根据一方面，提供了一种用于制造太阳能电池中的背侧触点的方法。所述方法包括:提供晶片，所述晶片具有背侧、前侧，和穿过所述晶片的一个或多个通孔；从背侧用第一胶浆填充通孔；以及从背侧将第二胶浆沉积在所述填充物上。
[0010]根据另一方面，提供了一种太阳能电池装置。所述太阳能电池装置包括具有背侧和前侧的晶片；以及背侧触点。所述背侧触点包括:一个或多个通孔，所述通孔穿过所述晶片；一个或多个通孔的填充物，所述填充物由第一胶浆构成；以及位于晶片背侧的背侧突出部，所述背侧突出部在填充物上且由第二胶浆构成。
[0011]根据特定实施例，第一胶浆的银重量含量可能比第二胶浆的银重量含量高。
[0012]根据从属权利要求、说明书以及所述附图，进一步实施方式、方面、细节以及优点将更显而易见。
【附图说明】
[0013]因此，可详细了解本公开的以上详述特征结构，以上简略概述的本公开的更特定描述可参照实施方式。以下描述与本公开的实施例相关的附图:
[0014]图1图示根据已知的MWT技术制造的太阳能电池装置的部分的示意性剖面图；
[0015]图2图示根据本公开的各实施例的太阳能电池装置的部分的示意性剖面图；
[0016]图3图示根据本公开的各实施例的太阳能电池装置的部分的示意性剖面图；
[0017]图4图示根据本公开的各实施例的太阳能电池装置的部分的示意性剖面图；
[0018]图5图示根据本公开的各实施例的太阳能电池装置的部分的示意性剖面图；
[0019]图6图示用于根据已知的MWT技术进行太阳能电池触点制造的工艺；
[0020]图7示意性地图示根据如本文所描述的各实施例用于太阳能电池触点制造的工艺；
[0021]图8图示根据本文描述的实施例在制造填充物之后的晶片背侧的示意性俯视图；
[0022]图9图示根据本文描述的实施例在另外制造突出部之后的晶片背侧的示意性俯视图；
[0023]图10图示根据本文描述的实施例在另外制造酸沼垫(bog pads)之后的晶片背侧的不意性俯视图；
[0024]图11图示根据本文描述的实施例在另外制造酸沼垫和绝缘层之后的晶片背侧的不意性俯视图；
[0025]图12图示根据本公开的各实施例的太阳能电池装置的一部分的示意性剖面图；
[0026]图13图示根据本公开的各实施例的太阳能电池装置的一部分的示意性剖面图；以及
[0027]图14图示在图13中图示的实施例的部分的俯视图。
【具体实施方式】
[0028]现将详细提及本发明的各种实施例，其中所述实施例的一个或多个实例图示于诸图中。在以下附图的描述中，相同附图标记代表相同组件。在本公开中，仅描述了关于各个实施例的差异。各实例以解释说明本发明的方式提供，而并非旨在限制本发明。此外，图示或者描述为一个实施例的部分的特征结构可用于其它实施例，或者与其他实施例结合以用于产生更进一步的实施例。所述描述旨在包括此类修改和变更。
[0029]本公开提出填充晶片的通孔，以使用MWT技术制造触点，如下所述。首先，从晶片背侧将第一胶浆填充到通孔中。由此产生通孔的填充物。如本文所理解的，可以经由下列填充技术来进行填充:诸如印刷、蒸发、电镀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)Ji射等等。仅仅为了说明而不是任何意义的限制，下文基于以印刷作为填充技术而解释。也可以使用其他的填充技术。此外，如本文所理解的，胶浆通常是指导电性胶，所述导电性胶适合于沉积以形成电触点。
[0030]根据典型实施例，填充物并非仅仅填充所述通孔，而是超出所述通孔。因此所述填充物可以在晶片背侧表面之上超出通孔，在本文中应称为“在垂直方向”(即，垂直于晶片表面的方向)上超出通孔。所述填充物可以另外或替代地在水平方向(本文中，这个方向应被理解为平行于晶片背侧的方向)超出通孔。
[0031]随后，将第二胶浆沉积在所述填充物上。所述第二胶浆的沉积会在所述晶片上形成所谓的“突出部”。又，可以经由下列沉积技术来进行沉积:诸如印刷、蒸发、电镀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射等等。仅仅为了说明而不是在任何意义上的限制，下文基于以印刷作为沉积技术而解释。也可以使用其他的沉积技术。
[0032]根据各实施例，所述突出部完全地遮盖所述填充物。根据特别地参考图13和图14所更详细说明的其他实施例，所述突出部可以设置为环形，所述环形的部分遮盖所述填充物。在任何情况下，突出部沉积为使得所述突出部接触所述填充物。
[0033]根据典型性实施例，与第二胶浆相比，第一胶浆含有更高水平的银含量。
[0034]特别地，所述第一胶浆的银含量可以是按重量计75%或更多。根据一些实施例，所述第一胶浆的银含量可以是按重量计85%或更多。
[0035]在其它实施例中，所述第一胶浆中的一些银可以用一种或多种别的过渡金属(诸如，镍)替代。换句话说，所述第一胶浆的银含量可以是例如按重量计65%或更多，并且按重量计10%的胶浆可以是一种或多种其他的过渡金属，诸如镍。又，所述