到室温。
[0030]最后将Ndci tl6Y2 94Al5O12陶瓷与单晶的复合介质放入氧气气氛炉中退火处理。程序如下。升温阶段:室温?1200°C，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:1200°C保温40小时；降温阶段:1200°C?700°C，降温速度为0.2V /分钟；700°C?300°C，降温速度为，1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0031]实施例2
将长40毫米、宽20毫米、高1.5毫米的Ceatl3: Y2.97A15012陶瓷板条和长40毫米、宽20毫米、高5毫米Y3Al5O12陶瓷板条进行光加，要求结合面的光洁度在光学三级以上、平面度入/4、光圈数N = 0.5。将二块介质经酒精清洗后，放入20% (硫酸体积:磷酸体积=1:5)的混合酸中40分钟。将介质从酸液中取出，用酒精清洗，然后在结合面涂覆硅胶0.8毫升，进行胶粘，并压紧(40千克/cm2)。
[0032]将胶粘压制好的陶瓷与晶体复合体放入马弗炉中进行预烧处理，除去表面吸附的水、有机物和气体等。程序如下。升温阶段:室温?30(TC，升温速度为0.5°C/分钟；保温阶段:300°C保温10小时；升温阶段:300?800°C，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:800°C保温60小时；降温阶段:800°C?300°C，降温速度为1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0033]将Cea ^Y2.9#15012陶瓷复合介质放入真空烧结炉内进行烧结，真空度为lX10_5Pa，烧结程序如下。以10°C /分钟手动升温至600°C，然后改程序控制，升温阶段:600?1750°C，升温速度为10°C /分钟；保温阶段:1750°C保温30小时；降温阶段:1750。。?1200°C，降温速度为50C /分钟；1200?700°C，降温速度为10°C /分钟；700°C以下自然降温到室温。
[0034]最后将Cea㈤= Y2 97Al5O12陶瓷复合介质放入氢气气氛炉中退火处理，程序如下。升温阶段:室温?1500°C，升温速度为0.2 V /分钟；保温阶段:1500°C保温200小时；降温阶段:1400°C?700°C，降温速度为0.20C /分钟；700°C?300°C，降温速度为，1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0035]实施例3
将直径20毫米、高2毫米Y3Al5O1^体圆片，直径20毫米、高2毫米Ho α6: \#5012陶瓷，直径20毫米、高5毫米Y3Al5O12晶体圆片进行光加，要求结合面的光洁度在光学三级以上、平面度λ/4、光圈数N = 0.5。将二块介质经酒精清洗后，放入20% (硫酸体积:磷酸体积=1:5)的混合酸中40分钟。将介质从酸液中取出，用酒精清洗，然后在结合面涂覆硅胶0.5毫升，进行胶粘，并压紧(40千克/cm2)。
[0036]将胶粘压制好的陶瓷与晶体复合体放入马弗炉中进行预烧处理，除去表面吸附的水、有机物和气体等。程序如下。升温阶段:室温?30(TC，升温速度为0.5°C/分钟；保温阶段:300°C保温10小时；升温阶段:300?800°C，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:800°C保温60小时；降温阶段:800°C?300°C，降温速度为1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0037]将Ηοα6: Y2.4A150122陶瓷复合介质放入真空烧结炉内进行烧结，真空度为5X10_5Pa，烧结程序如下，以10°C /分钟手动升温至600°C，然后改程序控制，升温阶段:600?1720°C，升温速度为10°C /分钟；保温阶段:1720°C保温30小时；降温阶段:1750。。?1200°C，降温速度为50C /分钟；1200?700°C，降温速度为10°C /分钟；700°C以下自然降温到室温。
[0038]最后将Hotl 6: Y2.4A15012陶瓷复合介质放入氢气气氛炉中退火处理，程序如下。升温阶段:0?1500°C，升温速度为0.20C /分钟；保温阶段:1500°C保温200小时；降温阶段:1400°C?700°C，降温速度为0.20C /分钟；700°C?300°C，降温速度为，1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0039]实施例4
将边长15毫米、高I毫米Ybacil5^ 985Al5O1JH瓷方块、15毫米、高1.5毫米Yba6:Y2.4Al5012陶瓷方块和15毫米、高5毫米Y3Al5O12晶体方块进行光加，要求结合面的光洁度在光学三级、平面度λ/4、光圈数N = 0.5。将三块介质经酒精清洗后，放入15% (硫酸体积:磷酸体积=1:5)的混合酸中30分钟。将介质从酸液中取出，用酒精清洗，然后在结合面涂覆硅胶0.4毫升，进行胶粘，并压紧(30千克/cm2)。
[0040]将胶粘压制好的陶瓷与晶体复合体放入马弗炉中进行预烧处理，除去表面吸附的水、有机物和气体等。程序如下。升温阶段:室温?30(TC，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:300°C保温8小时；升温阶段:300?800°C，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:800°C保温20小时；降温阶段:800°C?300°C，降温速度为1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0041]将YbQ.Q15:Y2.985Al5012陶瓷、YbQ.6:Y2.4Al5012陶瓷与单晶的复合体真空烧结炉内进行烧结，真空度为lX10_5Pa，烧结程序如下。以10°C /分钟手动升温至600°C，然后改程序控制，升温阶段:600?1750°C，升温速度为10°C /分钟；保温阶段:1750°C保温20小时；降温阶段:1750°C?1200°C，降温速度为5°C /分钟；1200?700°C，降温速度为10°C /分钟；700 0C以下自然降温到室温。
[0042]最后将陶瓷与单晶的复合体放入氢气气氛炉中退火处理，程序如下。升温阶段:室温?1400°C，升温速度为0.20C /分钟；保温阶段:1400°C保温150小时；降温阶段:1400°C?700°C，降温速度为0.20C /分钟；700°C?300°C，降温速度为，1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0043]实施例5
将直径10毫米、高I毫米EraC11 = Yu9O3陶瓷和直径10毫米、高6毫米Y 203晶体进行光力口，要求结合面的光洁度在光学三级、平面度λ/4、光圈数N = 0.5。将二块介质经酒精清洗后，放入20% (硫酸体积:磷酸体积=1:5)的混合酸中20分钟。将介质从酸液中取出，用酒精清洗，然后在结合面涂覆硅胶0.3毫升，进行胶粘，并压紧(20千克/cm2?40千克/cm2)。
[0044]将胶粘压制好的陶瓷与晶体复合体放入马弗炉中进行预烧处理，除去表面吸附的水、有机物和气体等。程序如下。升温阶段:室温?30(TC，升温速度为0.5°C/分钟；保温阶段:300°C保温10小时；升温阶段:300?800°C，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:800°C保温30小时；降温阶段:800°C?300°C，降温速度为1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0045]将Era 01:YL 9903陶瓷与单晶的复合体放入真空烧结炉内进行烧结，真空度为lX10_5Pa，烧结程序如下。以10°C /分钟手动升温至600°C，然后改程序控制，升温阶段:600?1800°C，升温速度为10°C /分钟；保温阶段:1800°C保温15小时；降温阶段:1800。。?1200°C，降温速度为5°C /分钟；1200?700°C，降温速度为10°C /分钟；700°C以下自然降温到室温。
[0046]最后将Eratll = Y199O3陶瓷与单晶的复合体放入氢气气氛炉中退火处理，程序如下。升温阶段:室温?1450°C，升温速度为0.2V /分钟；保温阶段:1450°C保温200小时；降温阶段:1450°C?700°C，降温速度为0.20C /分钟；700°C?300°C，降温速度为，1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0047]实施例6
将直径15毫米、高2毫米Cra‘Sq99O3陶瓷和直径15毫米、高4毫米Sc 203晶体进行光加，要求结合面的光洁度在光学三级、平面度λ/4、光圈数N = 0.5。将二块介质经酒精清洗后，放入20% (硫酸体积:磷酸体积=1:5)的混合酸中30分钟。将介质从酸液中取出，用酒精清洗，然后在结合面涂覆硅胶0.4毫升，进行胶粘，并压紧(20千克/cm2?40千克 /cm2)。
[0048]将胶粘压制好的陶瓷与晶体复合体放入马弗炉中进行预烧处理，除去表面吸附的水、有机物和气体等。程序如下。升温阶段:室温?30(TC，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:300°C保温7小时；升温阶段:300?800°C，升温速度为0.5°C /分钟；保温阶段:800°C保温30小时；降温阶段:800°C?300°C，降温速度为1°C /分钟；300°C以下自然降温到室温。
[0049]将Crtl tll = Sc199O3陶瓷与单晶的复合体放入真空烧结炉内进行烧结，真空度为5X10_5Pa，烧结程序如下。以10°C /分钟手动升温至6