发光二极管的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管。
【背景技术】
[0002] 覆晶式（Flip-Chip)发光二极管一般包括一平整的基板、间隔设置于基板上的第 一电极及第二电极以及设置在基板上且与所述第一电极及第二电极电性连接的发光芯片。
[0003] 所述发光芯片包括一第一电极接点以及与该第一电极接点间隔设置的第二电极 接点。所述第一电极接点及第二电极接点分别通过导电胶固定至所述第一电极及第二电 极。然而，所述发光芯片的第一电极接点与第二电极接点之间的间距较小，从而导致固定所 述第一电极接点的导电胶与固定所述第二电极接点的导电胶之间易于发生粘连，进而影响 其安全性。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种安全性较高的发光二极管。
[0005] -种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电 极、分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶以及设置在第一导电胶及 第二导电胶上的发光芯片，所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽及第二收容 槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，以便所 述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二收容槽以 避免二者粘连。
[0006] 与传统技术相比，本发明的发光二极管的基板上设置有间隔设置的第一收容槽及 第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外 侦牝从而使得所述第一导电胶及第二导电胶在受到发光芯片的挤压后分别流入所述第一收 容槽及第二收容槽以避免二者粘连，提高安全性。
【附图说明】
[0007] 图1为本发明第一实施例的发光二极管的俯视图。
[0008] 图2为图1中的发光二极管沿着II-II线的剖视图。
[0009] 图3-图4为本发明第二实施例的发光二极管的剖视图。
[0010] 图5为本发明第三实施例的发光二极管的剖视图。
[0011] 主要元件符号说明
【主权项】
1. 一种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电极、 分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶W及设置在第一导电胶及第 二导电胶上的发光芯片，其特征在于：所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽 及第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外 侦UW便所述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二 收容槽W避免二者粘连。
2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽分别 自所述基板的顶面中部内凹形成。
3. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽的深 度小于所述基板的整体厚度。
4. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽的横 截面为H角形，且所述第一收容槽及第二收容槽的宽度自上向下逐渐减小。
5. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于；所述第一收容槽正对所述第一导电 胶的位置上形成朝向所述第一导电胶弯折的第一弯折槽，所述第二收容槽正对所述第二导 电胶的位置上形成朝向所述第二导电胶弯折的第二弯折槽。
6. 如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于；所述第一弯折槽包括自所述第一收 容槽朝向所述第一导电胶延伸的二间隔相对的第一水平槽W及连接所述二第一水平槽的 第一竖直槽，所述第二弯折槽包括自所述第二收容槽朝向所述第二导电胶延伸的二间隔相 对的第二水平槽W及连接所述二第二水平槽的第二竖直槽。
7. 如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于；所述第一竖直槽及所述第二竖直槽 分别自所述基板的顶面的相对两侧边缘内凹形成。
8. 如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于；所述第一竖直槽的长度大于所述第 一导电胶的最大宽度，所述第二竖直槽的长度大于所述第二导电胶的最大宽度。
9. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于；所述第一收容槽及第二收容槽分别 自所述基板顶面的相对两侧边缘内凹形成。
10. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于；所述第一收容槽平行于所述第二收 容槽，所述第一收容槽及第二收容槽分别沿着所述基板的纵向延伸且分别贯穿所述基板的 纵向相对的两端。
【专利摘要】一种发光二极管，包括基板、设置在所述基板横向相对两侧的第一电极及第二电极、分别设置在第一电极及第二电极的第一导电胶及第二导电胶以及设置在第一导电胶及第二导电胶上的发光芯片，所述基板的顶面凹陷形成有间隔设置的第一收容槽及第二收容槽，所述第一导电胶及第二导电胶分别位于所述第一收容槽及第二收容槽的外侧，以便所述第一导电胶及第二导电胶受到发光芯片的挤压后分别流入第一收容槽及第二收容槽以避免二者粘连。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-62
【公开号】CN104659196
【申请号】CN201310583879
【发明人】林厚德, 张超雄, 陈滨全, 陈隆欣
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月20日